WSD30160DN56 30V/120A/DFN5X6/N-ch MOS管 WINSOK場效應(yīng)管
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品牌 WINSOK
型號 WSD30160DN56
封裝 DFN5X6-8
批號 2018
FET類型 N-Ch MOSFET
漏源電壓(Vdss) 30V
漏極電流(Id) 120A
漏源導(dǎo)通電阻(RDS On) 1.9mΩ
柵源電壓(Vgs) ±20
柵極電荷(Qg) 38
反向恢復(fù)時間 2.5
最大耗散功率 62.5
配置類型 增強型
工作溫度范圍 -55 to 150
安裝類型 絕緣柵(MOSFET)
應(yīng)用領(lǐng)域 3C數(shù)碼,醫(yī)療電子,物聯(lián)網(wǎng)IoT,新能源,軍工/航天,安防設(shè)備,家用電器,智能家居,廣電教育,照明電子,測量儀器,可穿戴設(shè)備,汽車電子,網(wǎng)絡(luò)通信
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WSD30160DN56 30V/120A/DFN5X6/N-ch MOS管 WINSOK微碩場效應(yīng)管

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