型號；IXFH69N30P IXFH69N30P

制造商:IXYS

產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-247-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-ChannelVds-

漏源極擊穿電壓:300 VId-

連續(xù)漏極電流:69 ARds On-

漏源導(dǎo)通電阻:49 mOhmsVgs th-

柵源極閾值電壓:5 VVgs - 

柵極-源極電壓:20 VQg-

柵極電荷:156 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 CPd-

功率耗散:500 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:PolarHT, HiPerFET

封裝:Tube

高度:21.46 mm 

長度:16.26 mm 

系列:IXFH69N30

 晶體管類型:1 N-Channel 

類型:PolarHT HiPerFET Power MOSFET

 寬度:5.3 mm 

商標(biāo):IXYS 

正向跨導(dǎo) - 最小值:30 S 

下降時間:27 ns 

產(chǎn)品類型:MOSFET 

上升時間:25 ns 

工廠包裝數(shù)量:30

 子類別:MOSFETs 

典型關(guān)閉延遲時間:75 ns 

典型接通延遲時間:25 ns

 單位重量:6.500 g

Mouser編號：747-IXFH69N30P

制造商編號：IXFH69N30P

制造商：IXYS

說明：MOSFET 69 Amps 300V 0.049 Rds

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