型號；IXFH44N50P

制造商:IXYS

產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 詳細(xì)信息 

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-247-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-ChannelVds-

漏源極擊穿電壓:500 VId-

連續(xù)漏極電流:44 ARds On-

漏源導(dǎo)通電阻:140 mOhmsVgs -

 柵極-源極電壓:30 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 CPd-

功率耗散:650 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:HyperFET

封裝:Tube

高度:21.46 mm 

長度:16.26 mm 

系列:IXFH44N50

 晶體管類型:1 N-Channel 

寬度:5.3 mm 

商標(biāo):IXYS 

正向跨導(dǎo) - 最小值:32 S 

下降時間:27 ns 

產(chǎn)品類型:MOSFET 

上升時間:29 ns 

工廠包裝數(shù)量:30 

子類別:MOSFETs 

典型關(guān)閉延遲時間:85 ns 

典型接通延遲時間:28 ns 

單位重量:6.500 g

Mouser編號：747-IXFH44N50P

制造商編號：IXFH44N50P

制造商：IXYS

說明：MOSFET 500V 44A

數(shù)據(jù)表: IXFH44N50P