型號(hào)；IRF640NPBF IRF640NPBF IRF640NPBF

制造商:Infineon 

產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-ChannelVds-

漏源極擊穿電壓:200 VId-

連續(xù)漏極電流:18 ARds On-

漏源導(dǎo)通電阻:150 mOhmsVgs - 

柵極-源極電壓:20 VQg-

柵極電荷:44.7 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 CPd-

功率耗散:150 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Tube

高度:15.65 mm 

長(zhǎng)度:10 mm 

晶體管類型:1 N-Channel 

寬度:4.4 mm 

商標(biāo):Infineon Technologies

 正向跨導(dǎo) - 最小值:6.8 S 

下降時(shí)間:5.5 ns

 產(chǎn)品類型:MOSFET 

上升時(shí)間:19 ns 

工廠包裝數(shù)量:1000 

子類別:MOSFETs 

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:23 ns

 典型接通延遲時(shí)間:10 ns 

零件號(hào)別名:SP001570078 IRF640NPBF

 單位重量:6 g

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