瞬態(tài)抑制二極管是一種能把瞬態(tài)電壓抑制在被保護(hù)元件能承受的安全水平的高效能保護(hù)器件。瞬態(tài)電壓是交流電路上電流與電壓的一種瞬時(shí)態(tài)的畸變，會(huì)對(duì)微電子半導(dǎo)體芯片造成損壞。雖然有些微電子半導(dǎo)體芯片受到瞬態(tài)電壓侵襲后,它的性能沒(méi)有明顯的下降，但是多次累積的侵襲會(huì)給芯片器件造成內(nèi)傷而形成隱患。瞬態(tài)抑制二極管能夠有效地保護(hù)電子線(xiàn)路中的精密元器件，免受各種浪涌脈沖的損壞。 

過(guò)去，硅TVS器件由于電容高，在保護(hù)低壓高速信號(hào)線(xiàn)路方面存在劣勢(shì)。然而，近年來(lái)的技術(shù)進(jìn)步消除了這種不利因素。安森美半導(dǎo)體的新產(chǎn)品ESD9L5.0將硅器件保護(hù)的優(yōu)勢(shì)與高速應(yīng)用要求的低電容結(jié)合在一起。這個(gè)產(chǎn)品的特性就像一個(gè)簡(jiǎn)單的齊納二極管。事實(shí)上，ESD9L5.0包含一個(gè)擊穿電壓低的齊納二極管和一對(duì)擊穿電壓高(因而電容小)的標(biāo)準(zhǔn)二極管。