藍(lán)光同茂廣告標(biāo)牌設(shè)備公司是一家集研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售于一體的國(guó)內(nèi)高新企業(yè)。產(chǎn)品范圍包括：金屬雕刻機(jī),標(biāo)牌機(jī),銘牌機(jī),腐蝕機(jī),蝕刻機(jī),標(biāo)牌設(shè)備,電鍍?cè)O(shè)備,電鑄機(jī),電刷鍍機(jī),鍍金機(jī),堆金機(jī),電泳設(shè)備,上色機(jī),版畫(huà)機(jī),打標(biāo)機(jī),拋光機(jī),鋁氧化著色設(shè)備,數(shù)碼標(biāo)牌設(shè)備,3D彩印打印機(jī),大型3D熱轉(zhuǎn)移機(jī)，立體玻雕機(jī)等，我公司致力于高質(zhì)量的產(chǎn)品和完善的技術(shù)服務(wù)活躍在各個(gè)領(lǐng)域。

不銹鋼腐蝕機(jī)蝕刻工藝講解

一. 蝕刻工藝流程講解通常我們所了解的蝕刻工藝其實(shí)僅僅只了解了其中一步，該步為蝕刻工藝重要的一步。首先配制好蝕刻液，現(xiàn)在主要采用三氯化鐵溶液。根據(jù)零件特點(diǎn)配置不同濃度以達(dá)到較好的效果。主要影響因素有溶液溫度、濃度、蝕刻速度。蝕刻后通過(guò)堿溶液去摸，最后清洗烘。 我們蝕刻工藝還的分前工序和后工序的，整個(gè)蝕刻工藝的流程一般包括：根據(jù)客戶圖紙電腦設(shè)計(jì)制造菲林、下料清洗涂布烘干、曝光顯影、蝕刻、清洗烘干。

二.蝕刻工藝前工序

①圖紙?jiān)O(shè)計(jì)和菲林制作

圖案都是根據(jù)客戶要求繪制，軟件主要采用CAD/CDR軟件。圖紙?jiān)O(shè)計(jì)完成后給菲林廠家輸出。設(shè)計(jì)過(guò)程中需要按圖紙尺寸和相關(guān)技術(shù)要求進(jìn)行設(shè)計(jì)，根據(jù)蝕刻工藝精度準(zhǔn)確設(shè)計(jì)零件各邊線和工藝用剪斷線和折斷線（生產(chǎn)過(guò)程中產(chǎn)生，成品后去料）。同時(shí)結(jié)合主要材料下料規(guī)格確定每塊菲林上的零件數(shù)量，達(dá)到材料利用率大。

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滲人機(jī)理雖然在鋁合金表面極易形成氧化膜，但這層膜很薄(1tum甚至更薄)。要使氧化膜致密地覆蓋整個(gè)金屬表面，就需要有一定的厚度，而對(duì)于在鋁合金表面自然形成的氧化膜不能或很難做到這一點(diǎn)，在這層氧化膜上有許多的附著不致密處，這些微觀附著不致密處從理論上講滿布了整個(gè)金屬表面。對(duì)于一般環(huán)境，這層氧化膜具有相當(dāng)?shù)姆€(wěn)定性和耐蝕性。但在腐蝕性環(huán)境或腐蝕介質(zhì)中有鹵素離子存在時(shí)，特別是有穿透性強(qiáng)的C1一存在時(shí)，這層氧化膜就顯得特別脆弱。在氧化膜的附著不致密處，吸附有氧化性金屬離子的氯化物時(shí)，氧化性金屬離子和Cl-滲人到氧化膜層的晶格中，侵蝕氧化膜，使微觀不致密處迅速擴(kuò)大，進(jìn)而使C1一完全穿透氧化膜而進(jìn)人到膜內(nèi)層。同時(shí)與由它帶人的氧化性金屬離子共同作用于基體金屬表面，并在其他輔助離子參與下腐蝕金屬基體，在氧化膜附著不致密處優(yōu)先產(chǎn)生點(diǎn)蝕，進(jìn)而擴(kuò)散到整個(gè)金屬表面。

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點(diǎn)蝕的過(guò)程

點(diǎn)蝕的形成和發(fā)展過(guò)程對(duì)鋁合金紋理形成和最終結(jié)果具有重要意義。對(duì)化學(xué)紋理蝕刻工藝的研究，在很大程度上就是對(duì)點(diǎn)蝕形成和發(fā)展的研究。鹵素離子是常用的致孔劑，在特定條件下SCN一和S20獷也能產(chǎn)生點(diǎn)蝕。在鹵素離子中Cl一是常用的致孔劑，同時(shí)也是作用最強(qiáng)的活性離子之一。下面以C1一為例來(lái)分析點(diǎn)蝕的發(fā)生與發(fā)展過(guò)程，這對(duì)化學(xué)紋理蝕刻的研究很有必要。點(diǎn)蝕過(guò)程一般分為四個(gè)階段:開(kāi)始、發(fā)展、終結(jié)、再開(kāi)始。

(1)開(kāi)始階段點(diǎn)蝕不管是由何種原因引起，都存在C1一的吸附。這種吸附不是在整個(gè)表面上均勻進(jìn)行，而是先在少數(shù)某些點(diǎn)上優(yōu)先吸附(如氧化膜附著不致密處、熱力學(xué)相對(duì)不穩(wěn)定處及氧化膜微觀處等)。如表面鈍化膜的穩(wěn)定性較高，則腐蝕電位將會(huì)落在鈍化區(qū)，這時(shí)雖有C1-的吸附，但維持在這一腐蝕電位下的鈍化膜仍然完整，不會(huì)發(fā)生點(diǎn)蝕。只有當(dāng)金屬電位從腐蝕電位起，向正向逐步提高，進(jìn)人陽(yáng)極極化階段，上升到高于擊穿電位Eb時(shí)(見(jiàn)圖2-11)，這時(shí)金屬鈍化膜表面電流迅速增大，將膜擊穿使鈍化膜局部被破壞，從而導(dǎo)致點(diǎn)蝕源的發(fā)生。由于吸附的C1一改變了吸附處鈍化膜的成分和性質(zhì)，使該處鈍化膜的溶解速度遠(yuǎn)大于沒(méi)有Cl一吸附的表面，從而形成點(diǎn)蝕。但這種選擇性會(huì)帶來(lái)不少麻煩，這時(shí)就要借助于其他活性離子的加人，比如，某些氧化性金屬離子的氯化物就是強(qiáng)烈的致點(diǎn)蝕劑，通過(guò)這些點(diǎn)蝕劑的加人，可以加速點(diǎn)蝕的形成和點(diǎn)蝕在整個(gè)表面上的展開(kāi)。