GEM8206 GEM8206 GEM8206 GEM8206

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:  詳細信息  

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SO-8

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V

Id-連續(xù)漏極電流: 55 A

Rds On-漏源導通電阻: 26 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: 25 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 3.75 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

高度: 4.83 mm  

長度: 10.67 mm  

系列: FQB55N10  

晶體管類型: 1 N-Channel  

類型: MOSFET  

寬度: 9.65 mm  

商標: ON Semiconductor / Fairchild  

正向跨導 - 最小值: 38 S  

深圳市天卓偉業(yè)電子有限公司

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