SSN1N45BTA的主要參數(shù)

型號：SSN1N45BTA

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

 技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-92-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:450 V

Id-連續(xù)漏極電流:500 mA

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:4.25 Ohms

Vgs - 柵極-源極電壓:50 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:900 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Ammo Pack

高度:5.33 mm 

長度:5.2 mm 

產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 

系列:SSN1N45B 

晶體管類型:1 N-Channel 

類型:MOSFET

 寬度:4.19 mm 

商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild 

正向跨導(dǎo) - 最小值:0.7 S 

下降時間:21 ns

 產(chǎn)品類型:MOSFET 

上升時間:21 ns 

工廠包裝數(shù)量:2000 

子類別:MOSFETs 

典型關(guān)閉延遲時間:23 ns 

典型接通延遲時間:7.5 ns

 零件號別名:SSN1N45BTA_NL 

單位重量:240 mg

Mouser編號：512-SSN1N45BTA

制造商編號：SSN1N45BTA

制造商：ON Semiconductor / Fairchild

說明：MOSFET N-CH/450V/0.5A/BFET

公司簡介：

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