供應(yīng)THGBMBG7D2KBAIL 手機(jī)閃存
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供應(yīng)THGBMBG7D2KBAIL-手機(jī)閃存

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品牌 TOSHIBA
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封裝 BGA
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型號(hào):THGBMBG7D2KBAIL

品牌:TOSHIBA

封裝:BGA

東芝閃存  

東京-- 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)已面向建筑自動(dòng)化系統(tǒng)、安防設(shè)備和半導(dǎo)體測試器等工廠自動(dòng)化和其他工業(yè)應(yīng)用推出新型光繼電器“TLP3122A”。

這一新型光繼電器集成有采用最新U-MOS IX工藝MOSFET器件,有效降低導(dǎo)通電阻。TLP3122A采用小型4引腳SO6封裝,提供高達(dá)60V的斷態(tài)輸出端電壓(VOFF)、1.4A的導(dǎo)通電流(ION)以及高達(dá)4.2A的導(dǎo)通脈沖電流。而導(dǎo)通電阻(RON)通常僅為0.13Ω,即使在斷態(tài)電流僅為1μA的情況下,也可實(shí)現(xiàn)高效運(yùn)行。  

該器件利用3750Vrms隔離電壓提供3ms (tON) 和1ms (tOFF) 的快速開關(guān)時(shí)間。 完全符合UL1577的安全關(guān)鍵應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)。

常開型TLP176AM可用來取代1-Form-A型機(jī)械式繼電器,提高系統(tǒng)可靠性并節(jié)省繼電器和繼電器驅(qū)動(dòng)器所需的空間。此外,TLP3122A額定工作溫度為-40°C-110°C,是工業(yè)應(yīng)用的理想之選,且更易于在系統(tǒng)級(jí)散熱設(shè)計(jì)中保證一定的溫度冗余。

新型TLP3122A光繼電器能夠與采用傳統(tǒng)2.54 SOP4封裝的光電繼電器TLP3122實(shí)現(xiàn)規(guī)格升級(jí)并兼容。還有助于實(shí)現(xiàn)更大的系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)電流,因此可取代更為廣泛的機(jī)械式繼電器。

該新型光繼電器的批量發(fā)貨現(xiàn)已啟動(dòng)。

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社將根據(jù)市場趨勢促進(jìn)多樣化光電耦合器和光繼電器產(chǎn)品組合的開發(fā),繼續(xù)提供滿足客戶需求的產(chǎn)品。




東芝eMMC V5.0嵌入式存儲(chǔ)模塊符合JEDEC發(fā)布的JEDEC eMMC 5.0版標(biāo)準(zhǔn)。采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的NAND芯片,11.5 x 13mm的小型FBGA封裝,容量從4GB-128GB容量。主要應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦和數(shù)字?jǐn)z像機(jī)等廣泛的數(shù)字消費(fèi)品,批量生產(chǎn)從11月底開始。

能夠支持高分辨率視頻和提供更大存儲(chǔ)空間的高密度NAND閃存芯片的需求不斷增長。這在包含控制器功能的嵌入式存儲(chǔ)器領(lǐng)域尤為明顯,這種嵌入式存儲(chǔ)器可以使開發(fā)要求降至最低,并使得整合進(jìn)系統(tǒng)設(shè)計(jì)更加便利。東芝正通過增強(qiáng)其高密度存儲(chǔ)器產(chǎn)品系列來滿足這一需求。

該公司的新型32 GB嵌入式設(shè)備在11.5 x 13 x 1.0mm的小封裝中整合了4個(gè)64Gbit(相當(dāng)于8GB)NAND芯片(采用東芝的19納米第二代尖端工藝技術(shù)制造)和一個(gè)專用控制器。它符合JEDEC于9月發(fā)布的JEDEC eMMC 5.0版標(biāo)準(zhǔn),并且通過采用新的HS400高速接口標(biāo)準(zhǔn)實(shí)現(xiàn)了高讀寫性能。

東芝將在密度為4GB至128GB的單一封裝嵌入式NAND閃存系列中使用這些NAND芯片。所有設(shè)備都將整合一個(gè)控制器來管理NAND應(yīng)用的基本控制功能。





THGBF7G9L4LBATR

TC58BVG2S3HTA00B4

TC58BVG1S3HTA00B4H

TC58BVG0S3HTA00B4H

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THGAF8T1T83BAIR

THGAF8T0T43BAIR

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THGAF8G8T23BAIL

THGAF4T0N8LBAIR

THGAF4G9N4LBAIR

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THGBMDG5D1LBAIL

THGBMFG6C1LBAIL

THGBMHG6C1LBAIL


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聯(lián)系賣家 李先生 (QQ:1563538547)
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