SUM90P10-19L-E3    MOSFET 100V 90A 375W 19mohm @ 10V SUM90P10-19L-E3 SUM90P10-19L-E3 SUM90P10-19L-E3

制造商: Vishay

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V

Id-連續(xù)漏極電流: 90 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 19 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V

Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V

Qg-柵極電荷: 217 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 375 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: TrenchFET  

封裝: Reel

系列: SUM  

晶體管類型: 1 P-Channel  

商標(biāo): Vishay / Siliconix  

正向跨導(dǎo) - 最小值: 80 S  

下降時間: 870 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時間: 510 ns  

工廠包裝數(shù)量: 800  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時間: 145 ns  

典型接通延遲時間: 20 ns  

單位重量: 1.438 g  

制造商: Vishay

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V

Id-連續(xù)漏極電流: 90 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 19 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V

Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V

Qg-柵極電荷: 217 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 375 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: TrenchFET  

封裝: Reel

系列: SUM  

晶體管類型: 1 P-Channel  

商標(biāo): Vishay / Siliconix  

正向跨導(dǎo) - 最小值: 80 S  

下降時間: 870 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時間: 510 ns  

工廠包裝數(shù)量: 800  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時間: 145 ns  

典型接通延遲時間: 20 ns  

單位重量: 1.438 g

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