區(qū)別：NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要區(qū)別是它們的填充介質(zhì)不同。在相同的體積下由于填充介質(zhì)不同所組成的電容器的容量就不同，隨之帶來的電容器的介質(zhì)損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。

NPO電容器

NPO是一種最常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。

NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55℃到 125℃時容量變化為0±30ppm/℃，電容量隨頻率的變化小于±0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯后小于±0.05%，相對大于±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計的。其典型的容量相對使用壽命的變化小于±0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同，大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了NPO電容器可選取的容量范圍。

封 裝 DC=50V DC=100V

0805 0.5---1000pF 0.5---820pF

1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF

1210 560---5600pF 560---2700pF

2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF

NPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦合電容。

貼片電容

全稱：積層貼片陶瓷電容。在電路板中用C表示，英文縮寫：MLCC。貼片電容是目前用量比較大的被動元件之一。

它主要是容納和釋放電荷的電子元器件。其基本工作原理就是充電放電，整流、震蕩以及其他作用。常應(yīng)用于電源電路，實現(xiàn)旁路、去耦、濾波和儲能的做用。

貼片電容有分NOP、X7R、X5R、Y5V等介質(zhì)，不同介質(zhì)它們特性不一樣，在相同的體積下由于介質(zhì)不同所組成的電容器的容量就不同，隨之帶來的電容器的介質(zhì)損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。所以在使用電容器時應(yīng)根據(jù)其在電路中作用不同來選擇不同的電容器

貼片電容類型：一般通用型、超小型、高壓、軟端電極、安規(guī)、低感值、串連排容和高頻電容

我們在使用之前都要先確定貼片電容的電容量及允許偏差。

 在低頻的耦合及去耦電路中，一般對貼片電容的電容量要求不太嚴格，只要按計算值選取稍大一些的電容量便可以了。

 在一些特殊的電路中，往往對貼片電容的電容量要求非常好，此時應(yīng)選用允許偏差在±0．1％～±0．5％范圍內(nèi)的高精度貼片電容。

在定時電路、振蕩回路及音調(diào)控制等電路中，對貼片電容的電容量要求較為嚴格。

 因此選取電容量的標稱值應(yīng)盡量與計算的電容值相一致或盡量接近，應(yīng)盡量選精度高的貼片電容。

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