公司主要技術(shù)和產(chǎn)品的創(chuàng)新歷程
公司是我國(guó)金屬材料檢測(cè)領(lǐng)域的先行者?；谠撗性鹤?1954 年以來在金 屬材料和冶金工藝分析測(cè)試領(lǐng)域的技術(shù)積淀，公司于 2001 年成立，已逐步搭建 起強(qiáng)大的技術(shù)創(chuàng)新體系。公司自成立以來一直面向國(guó)家重大工程及重點(diǎn)項(xiàng)目需 求，不斷開發(fā)新技術(shù)、新標(biāo)準(zhǔn)、新產(chǎn)品，屢次解決國(guó)家及行業(yè)在金屬檢測(cè)技術(shù)及 儀器裝備領(lǐng)域的瓶頸，不斷實(shí)現(xiàn)重大技術(shù)突破，解決“卡脖子”問題，引領(lǐng)國(guó)內(nèi)金 屬檢測(cè)和檢測(cè)分析儀器的技術(shù)進(jìn)步與創(chuàng)新。 憑借完善的創(chuàng)新體系和持續(xù)創(chuàng)新能力，公司目前擁有了在金屬材料檢測(cè)領(lǐng)域 的檢測(cè)、表征、評(píng)價(jià)和認(rèn)證服務(wù)能力，同時(shí)開發(fā)出一系列具有完全自主知識(shí) 產(chǎn)權(quán)和首創(chuàng)性的儀器產(chǎn)品。
公司檢測(cè)分析儀器可分為原子光譜、X 射線熒光光譜、氣體元素分析、質(zhì)譜、 力學(xué)、無損探傷及環(huán)境監(jiān)測(cè)七大類，產(chǎn)品類型豐富，目前共有 40 多種產(chǎn)品型號(hào)， 覆蓋金屬材料檢測(cè)、環(huán)境監(jiān)測(cè)、食品藥品檢測(cè)等應(yīng)用領(lǐng)域。

PlasmaMS的質(zhì)譜干擾消除辦法
PlasmaMS 300的另一類主要干擾是質(zhì)譜干擾。
1.多原子干擾(Polyatomic) – 與目標(biāo)同位素原子質(zhì)量重合的多原子離子，所帶來的干擾
2. 同量異位素干擾(Isobaric) –與目標(biāo)同位素原子具有相同質(zhì)量數(shù)的原子帶來的干擾(目標(biāo) 原子與干擾原子的質(zhì)子數(shù)和中子數(shù)都不同，但(質(zhì)子數(shù)+中子數(shù))相同)；也包括質(zhì)荷比相等 的不同元素離子形成的干擾。
多原子離子： 包括氬化合物、氫化物、氧化物
氬化合物的產(chǎn)率可以通過性能選項(xiàng)來降低：例如使用等離子體屏蔽環(huán)(PlasmaScreen)和 碰撞反應(yīng)池(CCT, Collision Cell Technology)。
這些干擾有時(shí)是氣體引起的：例如進(jìn)樣時(shí)候引入的空氣、用來維持等離子體燃燒的氬氣。 還有的來自于樣品基體中的陰離子或者陽離子。
氧化物的產(chǎn)率可以通過調(diào)諧來降低：炬管和霧化器的位置、氣體流速對(duì)氧化物產(chǎn)率的影響 是的?；w引起的干擾很多都是氧化物，尤其是樣品中的主量元素，會(huì)在距離主量元 素16個(gè)amu的位置產(chǎn)生一個(gè)氧化物的干擾峰。這樣的干擾普遍存在，并且隨著基體氧化 物沸點(diǎn)的升高，這樣的干擾更加嚴(yán)重。我們可以使用空白扣減來降低這樣的干擾。
同量異位素干擾: 這種干擾指的是，存在著和目標(biāo)元素原子質(zhì)量相同的干擾離子。要消除同量異位素干擾， 只能是盡可能選擇該元素的其它同位素來回避這樣的干擾。
還有一類特殊的同質(zhì)量干擾，如果干擾元素的二級(jí)電離電位(Isobaric interference)低于了 氬原子的一級(jí)電離電位(15.8ev)，這樣的元素原子在ICP中會(huì)形成雙電荷離子。對(duì)于雙電 荷離子的干擾，很難消除，但有的時(shí)候可以通過調(diào)諧來將干擾降低一些。如果可以的話， 通過更換更合適的同位素來解決。
如果用戶的目標(biāo)元素是單同位素元素時(shí)，例如As，此時(shí)就不能采用更換同位素的辦法來 避免干擾。As元素是比較典型的單同位素元素，同時(shí)面臨著普遍的多原子干擾(40Ar 35Cl)，一旦有氯元素的存在，就存在40Ar 35Cl的干擾。

PlasmaMS 300 內(nèi)標(biāo)元素的選擇
內(nèi)標(biāo)元素的使用可以用來校正多樣品測(cè)定的過程中，信號(hào)隨著時(shí)間發(fā)生的漂移。實(shí)驗(yàn)室環(huán) 境的變化或者樣品基體的變化（例如粘度等）都會(huì)造成信號(hào)的漂移。
對(duì)于任何的多元素分析，我們都推薦用戶至少使用一個(gè)內(nèi)標(biāo)元素。如果待測(cè)元素的質(zhì)量分 布從低到高都有，應(yīng)當(dāng)至少使用3個(gè)內(nèi)標(biāo)元素，分別檢測(cè)低質(zhì)量、中質(zhì)量、高質(zhì)量區(qū)段的 同位素信號(hào)漂移。
選擇什么同位素作為內(nèi)標(biāo)元素需要根據(jù)您的方法中的待測(cè)目標(biāo)同位素來決定。當(dāng)需要為您 方法中的各個(gè)目標(biāo)同位素分配內(nèi)標(biāo)同位素的時(shí)候，可以考慮一下幾個(gè)因素：
1.首先考慮的，也是重要的一個(gè)因素就是：用作內(nèi)標(biāo)的元素必須是您的樣品中不包含的 元素。這些內(nèi)標(biāo)元素應(yīng)當(dāng)精準(zhǔn)地添加到每一個(gè)單溶液里。一般我們可以單獨(dú)配置內(nèi)標(biāo)元素 溶液，然后在分析的時(shí)候進(jìn)行在線添加，可以保證添加的精準(zhǔn)性。內(nèi)標(biāo)元素的信號(hào)強(qiáng)度會(huì) 做為參比，由軟件來對(duì)每個(gè)單溶液進(jìn)樣時(shí)發(fā)生的信號(hào)抑制或增強(qiáng)進(jìn)行計(jì)算和校正。如果您 的樣品中含有內(nèi)標(biāo)元素，則內(nèi)標(biāo)信號(hào)會(huì)發(fā)生額外的不規(guī)則的信號(hào)增強(qiáng)，造成軟件校正后的 目標(biāo)元素濃度比實(shí)際濃度偏低。
2.其次，內(nèi)標(biāo)元素的質(zhì)量數(shù)能和目標(biāo)元素比較接近，建議內(nèi)標(biāo)同位素和目標(biāo)元素同位 素之間的質(zhì)量差不要超過50amu。
3.為了確保內(nèi)標(biāo)元素和目標(biāo)元素在相同條件下的行為表現(xiàn)基本一致，內(nèi)標(biāo)元素和目標(biāo)元素 的電離電位比較接近。
當(dāng)使用內(nèi)標(biāo)元素校正的時(shí)候，有兩種校正方式是可以供選擇的：
1. 參考法(Reference)
2. 插值法(Interpolation)
參考法：任何分析元素同位素峰均能以任一內(nèi)標(biāo)元素同位素峰作為參照。目標(biāo)元素峰不需 要為內(nèi)標(biāo)元素附近的峰。當(dāng)使用參考法的時(shí)候，以校正空白(calibration blank)的內(nèi)標(biāo)響應(yīng) 值作為100%，通過計(jì)算樣品中內(nèi)標(biāo)元素的回收率，來校正進(jìn)樣過程中的信號(hào)漂移。
樣品中的內(nèi)標(biāo)元素回收率（相對(duì)于calibration blank中的100%而產(chǎn)生的偏離）會(huì)被用作校 正因子來校正目標(biāo)同位素的數(shù)據(jù)（每種目標(biāo)同位素所使用的內(nèi)標(biāo)同位素都應(yīng)是其在方法中 選擇的用來參考的那一個(gè)內(nèi)標(biāo)同位素）
插補(bǔ)法：內(nèi)標(biāo)對(duì)測(cè)試峰的影響與兩者質(zhì)量數(shù)的接近程度有關(guān)。一個(gè)分析元素若置于兩內(nèi)標(biāo) 物中間，可依據(jù)每個(gè) amu 基數(shù)進(jìn)行計(jì)算因素的校正。
首先：
IS 1 in Blank set to 100% IS 2 in Blank set to 100%
IS 2 的質(zhì)量數(shù)大于 IS 1。
如果
IS 1 in Sample reads 80%
IS 2 in Sample reads 80%
我們可以認(rèn)為 IS 1 &2 之間的所有元素都受到了 20%的抑制. Factor =1/80% = 1.25.
又如：
IS 1 in Sample reads 80%
IS 2 in Sample reads 60%
我們可以認(rèn)為 IS 1 &2 之間的所有元素都受到了與質(zhì)量變化相關(guān)的抑制（質(zhì)量數(shù)越大，受
到抑制越強(qiáng)），距離 IS1 與 IS2 的距離相等的質(zhì)量數(shù)的元素， Factor =1/70% = 1.43.
上圖顯示的就是使用iCAP Q測(cè)量時(shí)，設(shè)置了一系列覆蓋質(zhì)量數(shù)區(qū)間的內(nèi)標(biāo)元素，計(jì)算樣 品中的內(nèi)標(biāo)元素回收率：
6Li 45Sc 115In 209Bi
因?yàn)樗械哪繕?biāo)元素濃度都需要使用內(nèi)標(biāo)回收率來進(jìn)行校正,建議用戶將內(nèi)標(biāo)元素的濃度 控制在一個(gè)合理范圍，來降低內(nèi)標(biāo)的%RSD，一般說來我們建議內(nèi)標(biāo)元素的
icps >100,000。

PLASMAMS 300 在不同行業(yè)的應(yīng)用與干擾
地質(zhì)樣品通常難以消解。相比之下，激光消融幾乎不需要任何樣品制備，僅僅 需要將樣品切至適合激光消融池的大小。
在這一領(lǐng)域中，樣品多種多樣，質(zhì)譜分布范圍很廣，因此此類應(yīng)用為廣泛和復(fù)雜。在單 個(gè)礦物或樣品(minerals or phases)中，可能既需要分析痕量金屬含量，又需要進(jìn)行同位 素信息掃描。
由于在這類樣品中存在著大量的稀土元素(rare earth elements)，因此在這類地質(zhì)樣品中 常見的干擾就是氧化物干擾和雙電荷干擾。
應(yīng)用領(lǐng)域:
巖石稀土分析和巖石消解 激光消融分析礦物
同位素比例研究地球及外來物質(zhì)的原始和進(jìn)化 水沉積物和地下水