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同步整流的損耗同步整流管的損耗計算一般也是包括以下幾方面：■導通損耗■開關損耗■驅(qū)動損耗■反向恢復損耗■死區(qū)時間二極管損耗同步整流的損耗—Rds_onvsQg導通損耗一般由功率拓撲和選用MOS的Rdson決定，值得指出的是，導通損耗，開關損耗和驅(qū)動損耗Pgate存在一定的權衡關系，由于MOS的Qg和Rdson成反比，而Qg大小一定程度上又與開關損耗成反比。所以，需要選擇合適而不是Rdson的MOS。另外，值得指出的是在一些自驅(qū)動線路中，驅(qū)動電平Ug在高壓較高會帶來額外的損耗也需要考慮其中。
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1）自驅(qū)動同步整流關機時候在前一階段為同步整流模式，電壓掉到一定程度，變?yōu)槎O管模式，從而帶來不同的輸出電壓下降斜率。2）外驅(qū)動同步整流原邊關機后，副邊未正確的及時關斷。解決思路：1）采用一定的控制方法控制副邊同步整流管在原邊關斷后快速關斷，變?yōu)槎O管模式關機。2）采用一定的方法控制副邊同步整流軟關斷。同步整流—更好的動態(tài)響應值得指出的一點是，同步整流線路不僅僅能帶來效率的提升，在提高電路的動態(tài)響應方面，如果采用CCM模式的同步整流，會帶來動態(tài)響應的提升。二極管在低載情況下，環(huán)路特性會非常難以補償從而帶來較差的動態(tài)響應，而CCM的同步整流，在空滿載情況下是接近的來源：電源研發(fā)精英圈
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模擬集成電路主要是指由電容、電阻、晶體管等元件組成的模擬電路集成在一起用來處理模擬信號的集成電路。有許多的模擬集成電路，如集成運算放大器、比較器、對數(shù)和指數(shù)放大器、模擬乘（除）法器、鎖相環(huán)、電源管理芯片等。模擬集成電路的主要構(gòu)成電路有：放大器、濾波器、反饋電路、基準源電路、開關電容電路等。模擬集成電路設計主要是通過有經(jīng)驗的設計師進行手動的電路調(diào)試，模擬而得到，與此相對應的數(shù)字集成電路設計大部分是通過使用硬件描述語言在EDA軟件的控制下自動的綜合產(chǎn)生。