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深圳市騰華泰電子有限公司
主營(yíng)產(chǎn)品: 其他二極管
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東科-DK5V45R25C-充電器電源芯片-集成
價(jià)格
訂貨量(件)
¥0.30
≥1
店鋪主推品 熱銷潛力款
聯(lián)系人 楊蘇華
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發(fā)貨地 廣東省深圳市
在線客服
深圳市騰華泰電子有限公司
店齡5年 企業(yè)認(rèn)證
聯(lián)系人
楊蘇華
聯(lián)系電話
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經(jīng)營(yíng)模式
經(jīng)銷批發(fā)
所在地區(qū)
廣東省深圳市
主營(yíng)產(chǎn)品
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商品參數(shù)
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商品介紹
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聯(lián)系方式
品牌 東科
產(chǎn)品特色 優(yōu)勢(shì)
是否跨境貨源 否
工作溫度范圍 5~35℃
產(chǎn)品類型 整流管
NMOS 導(dǎo)通電阻 25 mΩ
批號(hào) 11390372
最大工作頻率 120 KHz
焊接溫度 260/5S ℃
結(jié)溫 -25~ 150 ℃
封裝 SM-7
數(shù)量 10000
型號(hào) DK5V45R25C
商品介紹
深圳市騰華泰電子有限公司主營(yíng):DK112,DK1203,DK124
DK5V100R25DK5V45R25C
同步整流的損耗同步整流管的損耗計(jì)算一般也是包括以下幾方面:■導(dǎo)通損耗■開關(guān)損耗■驅(qū)動(dòng)損耗■反向恢復(fù)損耗■死區(qū)時(shí)間二極管損耗同步整流的損耗—Rds_onvsQg導(dǎo)通損耗一般由功率拓?fù)浜瓦x用MOS的Rdson決定,值得指出的是,導(dǎo)通損耗,開關(guān)損耗和驅(qū)動(dòng)損耗Pgate存在一定的權(quán)衡關(guān)系,由于MOS的Qg和Rdson成反比,而Qg大小一定程度上又與開關(guān)損耗成反比。所以,需要選擇合適而不是Rdson的MOS。另外,值得指出的是在一些自驅(qū)動(dòng)線路中,驅(qū)動(dòng)電平Ug在高壓較高會(huì)帶來(lái)額外的損耗也需要考慮其中。
DK912DK5V45R25C
1)自驅(qū)動(dòng)同步整流關(guān)機(jī)時(shí)候在前一階段為同步整流模式,電壓掉到一定程度,變?yōu)槎O管模式,從而帶來(lái)不同的輸出電壓下降斜率。2)外驅(qū)動(dòng)同步整流原邊關(guān)機(jī)后,副邊未正確的及時(shí)關(guān)斷。解決思路:1)采用一定的控制方法控制副邊同步整流管在原邊關(guān)斷后快速關(guān)斷,變?yōu)槎O管模式關(guān)機(jī)。2)采用一定的方法控制副邊同步整流軟關(guān)斷。同步整流—更好的動(dòng)態(tài)響應(yīng)值得指出的一點(diǎn)是,同步整流線路不僅僅能帶來(lái)效率的提升,在提高電路的動(dòng)態(tài)響應(yīng)方面,如果采用CCM模式的同步整流,會(huì)帶來(lái)動(dòng)態(tài)響應(yīng)的提升。二極管在低載情況下,環(huán)路特性會(huì)非常難以補(bǔ)償從而帶來(lái)較差的動(dòng)態(tài)響應(yīng),而CCM的同步整流,在空滿載情況下是接近的來(lái)源:電源研發(fā)精英圈
DK712DK5V45R25C
模擬集成電路主要是指由電容、電阻、晶體管等元件組成的模擬電路集成在一起用來(lái)處理模擬信號(hào)的集成電路。有許多的模擬集成電路,如集成運(yùn)算放大器、比較器、對(duì)數(shù)和指數(shù)放大器、模擬乘(除)法器、鎖相環(huán)、電源管理芯片等。模擬集成電路的主要構(gòu)成電路有:放大器、濾波器、反饋電路、基準(zhǔn)源電路、開關(guān)電容電路等。模擬集成電路設(shè)計(jì)主要是通過(guò)有經(jīng)驗(yàn)的設(shè)計(jì)師進(jìn)行手動(dòng)的電路調(diào)試,模擬而得到,與此相對(duì)應(yīng)的數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)大部分是通過(guò)使用硬件描述語(yǔ)言在EDA軟件的控制下自動(dòng)的綜合產(chǎn)生。
DK5V100R25DK5V45R25C
同步整流的損耗同步整流管的損耗計(jì)算一般也是包括以下幾方面:■導(dǎo)通損耗■開關(guān)損耗■驅(qū)動(dòng)損耗■反向恢復(fù)損耗■死區(qū)時(shí)間二極管損耗同步整流的損耗—Rds_onvsQg導(dǎo)通損耗一般由功率拓?fù)浜瓦x用MOS的Rdson決定,值得指出的是,導(dǎo)通損耗,開關(guān)損耗和驅(qū)動(dòng)損耗Pgate存在一定的權(quán)衡關(guān)系,由于MOS的Qg和Rdson成反比,而Qg大小一定程度上又與開關(guān)損耗成反比。所以,需要選擇合適而不是Rdson的MOS。另外,值得指出的是在一些自驅(qū)動(dòng)線路中,驅(qū)動(dòng)電平Ug在高壓較高會(huì)帶來(lái)額外的損耗也需要考慮其中。
DK912DK5V45R25C
1)自驅(qū)動(dòng)同步整流關(guān)機(jī)時(shí)候在前一階段為同步整流模式,電壓掉到一定程度,變?yōu)槎O管模式,從而帶來(lái)不同的輸出電壓下降斜率。2)外驅(qū)動(dòng)同步整流原邊關(guān)機(jī)后,副邊未正確的及時(shí)關(guān)斷。解決思路:1)采用一定的控制方法控制副邊同步整流管在原邊關(guān)斷后快速關(guān)斷,變?yōu)槎O管模式關(guān)機(jī)。2)采用一定的方法控制副邊同步整流軟關(guān)斷。同步整流—更好的動(dòng)態(tài)響應(yīng)值得指出的一點(diǎn)是,同步整流線路不僅僅能帶來(lái)效率的提升,在提高電路的動(dòng)態(tài)響應(yīng)方面,如果采用CCM模式的同步整流,會(huì)帶來(lái)動(dòng)態(tài)響應(yīng)的提升。二極管在低載情況下,環(huán)路特性會(huì)非常難以補(bǔ)償從而帶來(lái)較差的動(dòng)態(tài)響應(yīng),而CCM的同步整流,在空滿載情況下是接近的來(lái)源:電源研發(fā)精英圈
DK712DK5V45R25C
模擬集成電路主要是指由電容、電阻、晶體管等元件組成的模擬電路集成在一起用來(lái)處理模擬信號(hào)的集成電路。有許多的模擬集成電路,如集成運(yùn)算放大器、比較器、對(duì)數(shù)和指數(shù)放大器、模擬乘(除)法器、鎖相環(huán)、電源管理芯片等。模擬集成電路的主要構(gòu)成電路有:放大器、濾波器、反饋電路、基準(zhǔn)源電路、開關(guān)電容電路等。模擬集成電路設(shè)計(jì)主要是通過(guò)有經(jīng)驗(yàn)的設(shè)計(jì)師進(jìn)行手動(dòng)的電路調(diào)試,模擬而得到,與此相對(duì)應(yīng)的數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)大部分是通過(guò)使用硬件描述語(yǔ)言在EDA軟件的控制下自動(dòng)的綜合產(chǎn)生。
聯(lián)系方式
公司名稱 深圳市騰華泰電子有限公司
聯(lián)系賣家 楊蘇華 (QQ:110455796)
電話 㜉㜆㜊㜇㜌㜈㜉㜈㜊㜄㜉
手機(jī) 㜉㜆㜊㜇㜌㜈㜉㜈㜊㜄㜉
傳真 㜄㜋㜈㜈-㜇㜃㜌㜅㜅㜇㜊㜌
網(wǎng)址 http://www.tenghuatai.com/
地址 廣東省深圳市