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二、同步整流的基本原則二極管to同步整流1.二極管改為同步整流拓?fù)湟螹OS體二極管方向和原拓?fù)湎嗤?.在改動(dòng)時(shí)候應(yīng)該注意到驅(qū)動(dòng)的容易程度，如下圖。容易的驅(qū)動(dòng)方法應(yīng)該講整流管（forward)改為下面以便共地方便驅(qū)動(dòng)。適用場(chǎng)合■常規(guī)來(lái)講低壓大電流同步整流非常適合，如1.2V,3.3V,5V等，效率可以得到明顯的提升。■的產(chǎn)品設(shè)計(jì)表明，即使在12V,28V,甚至55V輸出電壓下,如果功率較高（>50W)，即使MOS體二極管反向恢復(fù)差于快速二極管，在良好設(shè)計(jì)的情況下，同步整流依然可以提升效率?！鰝鹘y(tǒng)的同步整流方案基本上都是PWM型同步整流，主開(kāi)關(guān)與同步整流開(kāi)關(guān)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)之間必須設(shè)置一定的死區(qū)時(shí)間，以避免交叉導(dǎo)通
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摻雜特性半導(dǎo)體的電導(dǎo)率并不是一成不變的，它會(huì)隨著摻入雜質(zhì)元素、受熱、受光照、受到外力等種種外界條件，而在絕緣體和金屬之間電導(dǎo)率區(qū)間內(nèi)發(fā)生變化，這些特性使得半導(dǎo)體衍生出了較為豐富的應(yīng)用場(chǎng)景一種是摻入Ⅴ族元素（常用的有磷P、As），V族元素相比Ⅳ族的外層電子多出一個(gè)，多出的電子能夠作為導(dǎo)電的來(lái)源，這種摻雜手段被稱(chēng)為N（Negative）型摻雜另一種是摻入Ⅲ族元素（常用的有硼B(yǎng)、BF2），Ⅲ族元素相比Ⅳ族的外層電子少一個(gè)，這種缺少電子的空位被稱(chēng)為空穴，空穴同樣能夠?qū)щ姡瑢?duì)應(yīng)的摻雜手段被稱(chēng)為P型摻雜PN結(jié)把PN這兩種半導(dǎo)體面對(duì)面放一起會(huì)咋樣？不用想也知道，N型那些額外的電子必然是跑到P型那些空位上去了，一直到電場(chǎng)平衡為止，這就是大名鼎鼎的“PN結(jié)”(動(dòng)圖來(lái)自《科學(xué)網(wǎng)》張?jiān)频牟┪?PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?，電流只能從這一頭流向另一頭，無(wú)法從另一頭流向這一頭如果將PN結(jié)加正向電壓，即P區(qū)接正極，N區(qū)接負(fù)極，大多數(shù)載流子將在外電場(chǎng)力的驅(qū)動(dòng)下源源不斷地通過(guò)PN結(jié)，形成較大的擴(kuò)散電流，稱(chēng)為正向電流如果加個(gè)反向的電壓，多數(shù)載流子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)減弱，沒(méi)有正向電流通過(guò)PN結(jié)，只有少數(shù)載流子的漂移運(yùn)動(dòng)形成了反向電流。

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目前涵待突破的是以下幾大領(lǐng)域的核心技術(shù)。1、光刻機(jī)作為集成電路產(chǎn)業(yè)的核心裝備，光刻機(jī)被稱(chēng)為“人類(lèi)精密復(fù)雜的機(jī)器”。當(dāng)前全球能制造光刻機(jī)的只有荷蘭的ASML，制造中低端光刻機(jī)則是日本的尼康和佳能，它們市場(chǎng)份額超過(guò)八成。光刻系統(tǒng)，它是芯片制造核心中的核心，光刻是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)流程中復(fù)雜、關(guān)鍵的工藝步驟，耗時(shí)長(zhǎng)、成本高。半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)的難點(diǎn)和關(guān)鍵點(diǎn)在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上，這一過(guò)程通過(guò)光刻來(lái)實(shí)現(xiàn)，光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能水平。