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同步整流的損耗同步整流管的損耗計算一般也是包括以下幾方面：■導(dǎo)通損耗■開關(guān)損耗■驅(qū)動損耗■反向恢復(fù)損耗■死區(qū)時間二極管損耗同步整流的損耗—Rds_onvsQg導(dǎo)通損耗一般由功率拓?fù)浜瓦x用MOS的Rdson決定，值得指出的是，導(dǎo)通損耗，開關(guān)損耗和驅(qū)動損耗Pgate存在一定的權(quán)衡關(guān)系，由于MOS的Qg和Rdson成反比，而Qg大小一定程度上又與開關(guān)損耗成反比。所以，需要選擇合適而不是Rdson的MOS。另外，值得指出的是在一些自驅(qū)動線路中，驅(qū)動電平Ug在高壓較高會帶來額外的損耗也需要考慮其中。
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同步整流的關(guān)斷損耗關(guān)于開關(guān)損耗，值得指出的是很多同步整流開通是零電壓開通的，而關(guān)斷損耗占據(jù)了主導(dǎo)。下圖是關(guān)于關(guān)斷損耗的一個圖，分別包含了Qoss損耗（容性損耗），開關(guān)損耗和反向恢復(fù)損耗。如何減少同步整流的反向恢復(fù)損耗反向恢復(fù)損耗，在高壓MOS上，占據(jù)非常大的比例，消除反向恢復(fù)損耗的常見方法如下:1）盡量減小死區(qū)時間，如下圖所示，二極管的反向時間決定了Qrr,減小體二極管工作的時間，這不光減小了反向恢復(fù)損耗，也同時減小了二極管的死區(qū)導(dǎo)通損耗2）采用內(nèi)部并聯(lián)肖特基二極管的MOS.同步整流的關(guān)機同步整流驅(qū)動關(guān)機，經(jīng)常會遇到的問題是關(guān)機波形不單調(diào)，有負(fù)電流折向原邊
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面接觸型二極管面接觸型二極管的“PN結(jié)”面積較大，允許通過較大的電流(幾安到幾十安)，主要用于把交流電變換成直流電的“整流”電路中。面接觸型晶體二極管比較適用于大電流開關(guān)。平面型二極管平面型二極管是一種的硅二極管，得名于半導(dǎo)體表面被制作得平整。，對于被使用的半導(dǎo)體材料是采用外延法形成的，故又把平面型稱為外延平面型。在半導(dǎo)體單晶片(主要地是N型硅單晶片)上，擴散P型雜質(zhì)，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅單晶片上僅選擇性地擴散一部分而形成的PN結(jié)。因PN結(jié)合的表面被氧化膜覆蓋，穩(wěn)定性好和壽命長。它不僅能通過較大的電流，而且性能穩(wěn)定可靠，多用于開關(guān)、脈沖及高頻電路中。