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igbt驅(qū)動電路的簡介

IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

圖1所示為一個N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P 一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+ 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。

IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET 的溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子），對N 一層進行電導調(diào)制，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時，也具有低的通態(tài)電壓。

用什么直流電機驅(qū)動芯片（四）

2.3 閉環(huán)調(diào)速系統(tǒng)

ML4428內(nèi)部的調(diào)速系統(tǒng)是典型的直流電機PWM雙閉環(huán)調(diào)速系統(tǒng)，如圖4所示，在系統(tǒng)中設(shè)置兩個調(diào)節(jié)器，分別調(diào)節(jié)轉(zhuǎn)速和電流，二者之間實行串級聯(lián)接，即以轉(zhuǎn)速調(diào)節(jié)器的輸出作為電流調(diào)節(jié)器，再用電流調(diào)節(jié)器的輸出控制開關(guān)器件。這樣組成的雙閉環(huán)系統(tǒng)，在突加給定的過渡過程中表現(xiàn)為一個恒值電流調(diào)節(jié)系統(tǒng)，在穩(wěn)態(tài)和接近穩(wěn)態(tài)運行中又表現(xiàn)為無靜差調(diào)速系統(tǒng)，即發(fā)揮了轉(zhuǎn)速和電流兩個調(diào)節(jié)器各自的作用，又避免了像單環(huán)系統(tǒng)那樣兩種反饋互相牽制的缺陷，從而獲得良好的靜、動態(tài)品質(zhì)。

2.4 內(nèi)部保護電路

ML4428內(nèi)部具有電流檢測和限流功能。外部功率元件MOSFET的源極電流流過RSENSE得到與電動機繞組電流成正比例的電壓，經(jīng)環(huán)路濾波器(該濾波器能濾除觸發(fā)單穩(wěn)電路的噪聲尖峰電流，一般選樣在時間常數(shù)300ns以內(nèi))到電流比較器的正端(ISNS引腳)，比較器的負端有鉗位電壓為0.5V的二極管，因此可以限制電機定子電路的峰值電流為10A時，則RSENSE=0.5/10=0.05Ω。當電流檢測電路的電壓高于比較器負端電壓時，單穩(wěn)態(tài)電路被觸發(fā)，關(guān)斷輸出MOSFET，電流下降，直至單穩(wěn)電流被復位。

ML4428正常電源供給為+12V，在電源低于8.75V時，6個輸出驅(qū)動器將全部關(guān)斷。

蜂鳴器驅(qū)動IC產(chǎn)品特點

特性1 內(nèi)嵌了電荷泵電源電路，能開展6擋音量調(diào)節(jié)

NJU72501內(nèi)嵌有電荷泵電源電路，以3VP-P震幅鍵入的工作電壓可以較大擴大到18VP-P來驅(qū)動器IC。

內(nèi)嵌的電荷泵電源電路由邏輯性數(shù)據(jù)信號操縱可以轉(zhuǎn)換變壓倍率為1倍、2倍、3倍。因而，在單端輸出時，可以以3擋調(diào)整聲音；在BTL輸出時，可以以6擋調(diào)整聲音。

特性2 關(guān)機作用可以降低耗費電流量

NJU72501常備關(guān)機作用，當無鍵入數(shù)據(jù)信號時，此作用將終止內(nèi)部電源電路工作中來提升效益電流量。因而，有益于增加機器設(shè)備的電池驅(qū)動時間。