手機(jī)快充芯片PL3116B ASEMI 手機(jī)快充芯片PL3116B程序空間6-8K
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強(qiáng)元芯電子(廣東)有限公司

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聯(lián)系人

李絢

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經(jīng)營模式

生產(chǎn)加工

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商品參數(shù)
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商品介紹
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聯(lián)系方式
批號(hào) 最新批次
品牌 ASEMI
型號(hào) PL3394A
型號(hào) PL3331
型號(hào) PL3332
型號(hào) PL116A
型號(hào) PL3394AE
型號(hào) PL3369
型號(hào) PL1167
型號(hào) PL3115B
型號(hào) PL3116B
產(chǎn)品編號(hào) 11296506
商品介紹
強(qiáng)元芯電子(廣東)有限公司主營:整流橋,橋堆,肖特基二極管,超快恢復(fù)二極管
PL3331

編輯:LX

PL3331 是一款用于反激式開關(guān)電源的高性能同步整流芯片。其內(nèi)部集成了 40V 耐壓的功率開關(guān),可替換反激式轉(zhuǎn)換器中的整流二極管,能夠有效提升系統(tǒng)效率。PL3331 可兼容支持?jǐn)嗬m(xù)工作模式、連續(xù)工作模式或準(zhǔn)諧振工作模式的反激式轉(zhuǎn)換器。



PL3331 包含功率管開啟和關(guān)斷的消隱功能。當(dāng)功率管開啟后,會(huì)至少保持約 T ON_MIN ;當(dāng)功率管斷開后,會(huì)至少保持約 T OFF_MIN 。保證無論開關(guān),功率管都會(huì)持續(xù)一段時(shí)間,減少受干擾的可能。T ON_MIN 和T OFF_MIN 的典型值分別為 650ns 和 1.9us。



PL3331

編輯:LX

PL3331 內(nèi)部集成 VDD 檢測電路,系統(tǒng)上電完成前,功率管一直處于斷開狀態(tài),副邊電流流過功率 MOS的體二極管,直到 VDD 端電壓超過芯片的啟動(dòng)閾值電壓時(shí),芯片開始正常工作。




PL3331 當(dāng) VDD 電壓低于芯片的欠壓閾值電壓時(shí),芯片進(jìn)入欠壓保護(hù)模式,功率管不會(huì)開啟。為了防止 VDD上升過程中抖動(dòng)對(duì)芯片的影響,內(nèi)部設(shè)置了閾值遲滯。芯片的上升閾值和下降閾值典型值為 3.1V 和2.8V。








PL3116B

編輯:LX

PL3116B多種保護(hù)功能集成在芯片內(nèi)部以保護(hù)芯片出現(xiàn)異常狀態(tài),主要包括:OCP、UVLO、OVP等,系統(tǒng)發(fā)生異常時(shí),芯片將被保護(hù),直到系統(tǒng)恢復(fù)正常狀態(tài)。

PL3116B提供SOP7封裝。








PL3116B 主要應(yīng)用于手機(jī)/無繩電話充電器、 數(shù)碼相機(jī)充電器、小功率電源適配器、消費(fèi)類的備用電源、電動(dòng)車專用,DC-DC功能IC,隔離



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公司名稱 強(qiáng)元芯電子(廣東)有限公司
聯(lián)系賣家 李絢 (QQ:800023533)
電話 ῡῢ῟Ῠῧῥῠῡῡῧῢ
手機(jī) ῡῢ῟Ῠῧῥῠῡῡῧῢ
傳真 ῧῦῤῤ-ῢ῟Ῠ῟ῥῤῤῦ
地址 廣東省深圳市