強(qiáng)元芯電子(廣東)有限公司
店齡6年 · 企業(yè)認(rèn)證 · 廣東省深圳市
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強(qiáng)元芯電子(廣東)有限公司
主營(yíng)產(chǎn)品: 其他分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
手機(jī)快充芯片PL3116B-ASEMI-手機(jī)快充芯片PL3116B程序空間6-8K
價(jià)格
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店鋪主推品 熱銷潛力款
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強(qiáng)元芯電子(廣東)有限公司
店齡6年 企業(yè)認(rèn)證
聯(lián)系人
李絢
聯(lián)系電話
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經(jīng)營(yíng)模式
生產(chǎn)加工
所在地區(qū)
廣東省深圳市
主營(yíng)產(chǎn)品
PL3331
編輯:LX
PL3331 是一款用于反激式開關(guān)電源的高性能同步整流芯片。其內(nèi)部集成了 40V 耐壓的功率開關(guān),可替換反激式轉(zhuǎn)換器中的整流二極管,能夠有效提升系統(tǒng)效率。PL3331 可兼容支持?jǐn)嗬m(xù)工作模式、連續(xù)工作模式或準(zhǔn)諧振工作模式的反激式轉(zhuǎn)換器。
PL3331 包含功率管開啟和關(guān)斷的消隱功能。當(dāng)功率管開啟后,會(huì)至少保持約 T ON_MIN ;當(dāng)功率管斷開后,會(huì)至少保持約 T OFF_MIN 。保證無論開關(guān),功率管都會(huì)持續(xù)一段時(shí)間,減少受干擾的可能。T ON_MIN 和T OFF_MIN 的典型值分別為 650ns 和 1.9us。
PL3331
編輯:LX
PL3331 內(nèi)部集成 VDD 檢測(cè)電路,系統(tǒng)上電完成前,功率管一直處于斷開狀態(tài),副邊電流流過功率 MOS的體二極管,直到 VDD 端電壓超過芯片的啟動(dòng)閾值電壓時(shí),芯片開始正常工作。
PL3331 當(dāng) VDD 電壓低于芯片的欠壓閾值電壓時(shí),芯片進(jìn)入欠壓保護(hù)模式,功率管不會(huì)開啟。為了防止 VDD上升過程中抖動(dòng)對(duì)芯片的影響,內(nèi)部設(shè)置了閾值遲滯。芯片的上升閾值和下降閾值典型值為 3.1V 和2.8V。
PL3116B
編輯:LX
PL3116B多種保護(hù)功能集成在芯片內(nèi)部以保護(hù)芯片出現(xiàn)異常狀態(tài),主要包括:OCP、UVLO、OVP等,系統(tǒng)發(fā)生異常時(shí),芯片將被保護(hù),直到系統(tǒng)恢復(fù)正常狀態(tài)。
PL3116B提供SOP7封裝。
PL3116B 主要應(yīng)用于手機(jī)/無繩電話充電器、 數(shù)碼相機(jī)充電器、小功率電源適配器、消費(fèi)類的備用電源、電動(dòng)車專用,DC-DC功能IC,隔離