國(guó)產(chǎn)單道掃描光譜儀 icp電感耦合 核心部件全球采購 鋼研納克
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國(guó)產(chǎn)單道掃描光譜儀 icp電感耦合 核心部件全球采購 鋼研納克
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國(guó)產(chǎn)單道掃描光譜儀-icp電感耦合-核心部件全球采購-鋼研納克

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光源 固態(tài)光源
光學(xué)系統(tǒng) 中階梯光柵與棱鏡交叉色散結(jié)構(gòu)
進(jìn)樣系統(tǒng) 一體式炬管
檢測(cè)器 PMT
品牌 鋼研納克
商品介紹
Plasma2000測(cè)定碳化硅中的雜質(zhì)元素
關(guān)鍵詞:Plasma2000,ICP-OES,碳化硅,陶瓷,全譜瞬態(tài)直讀
前言
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅由于化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能好,廣泛用于耐火材料、脫氧劑、電熱元件等。由于粉體的純度與其成型、燒結(jié)、加工以至產(chǎn)品終性能密切相關(guān),因此配合粉體的制備和應(yīng)用,進(jìn)行碳化硅粉體組分分析和純度評(píng)定,是開發(fā)新產(chǎn)品的重要環(huán)節(jié)。隨著使用環(huán)境的苛刻要求,碳化硅的純度要求也越來越高,這就需要準(zhǔn)確測(cè)定碳化硅粉末中的雜質(zhì)。本實(shí)驗(yàn)采用氫氧化鉀和硝酸鉀堿熔溶樣,使用鋼研納克生產(chǎn)的ICP-OES發(fā)射光譜儀準(zhǔn)確測(cè)定了碳化硅中的Ni、Cr、Mn、P、Si、Cu、Mo、V等元素。
儀器優(yōu)勢(shì)
Plasma 2000 電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀(鋼研納克檢測(cè)技術(shù)股份有限公司)是一種使用方便、操作簡(jiǎn)單、測(cè)試快速的全譜ICP-OES分析儀,具有良好的分析精度和穩(wěn)定性。儀器特點(diǎn)如下:
高效固態(tài)射頻發(fā)生器,超高穩(wěn)定光源;
大面積背照式CCD芯片,寬動(dòng)態(tài)范圍;
中階梯光柵與棱鏡交叉色散結(jié)構(gòu),體積小巧;
多元素同時(shí)分析,全譜瞬態(tài)直讀。
Plasma 2000型ICP-OES光譜儀
樣品前處理
準(zhǔn)確稱取0.1 g(精確至0.0001 g)試樣于鎳坩堝,加入1g氫氧化鉀和0.5g硝酸鉀,混勻置于馬弗爐內(nèi),650℃恒溫反應(yīng)30min,中間取出搖動(dòng)一次,到時(shí)取出冷卻。待不再反應(yīng)后加入1mL硝酸,加熱至反應(yīng)完全冷卻,加入1mL氫氟酸,轉(zhuǎn)移定容至100mL容量瓶待測(cè)。
樣品溶解圖解
儀器參數(shù)
儀器工作參數(shù) 設(shè)定值 儀器工作參數(shù) 設(shè)定值
射頻功率/W 1200 輔助氣流速/L·min-1 0.5
冷卻氣流速/L·min-1 13.5 蠕動(dòng)泵轉(zhuǎn)速/rpm 20
載氣流速/L·min-1 0.5 進(jìn)樣時(shí)間/s 35
樣品
未知樣品進(jìn)行測(cè)試
典型元素譜線
標(biāo)樣 濃度 計(jì)算值 誤差
標(biāo)準(zhǔn)1 0.005 0.0048 4%
標(biāo)準(zhǔn)2 0.01 0.0101 -1%
標(biāo)準(zhǔn)3 0.05 0.0489 2%
標(biāo)準(zhǔn)4 0.2 0.2003 0%
標(biāo)樣 濃度 計(jì)算值 誤差
標(biāo)準(zhǔn)1 0.01 0.0098 2%
標(biāo)準(zhǔn)2 0.05 0.0482 2%
標(biāo)準(zhǔn)3 0.2 0.2118 -1%
標(biāo)準(zhǔn)4 0.5 0.5173 -1%
標(biāo)樣 濃度 計(jì)算值 誤差
標(biāo)準(zhǔn)1 0.005 0.0050 0%
標(biāo)準(zhǔn)2 0.01 0.0099 1%
標(biāo)準(zhǔn)3 0.05 0.0484 3%
標(biāo)準(zhǔn)4 0.2 0.2004 0%
準(zhǔn)確度及方法回收率
元素 平均值/% 加標(biāo)量% 加標(biāo)回收率%
Al 0.0081 0.01 95.8
Ca 0.0091 0.01 106.2
Fe 0.0513 0.05 108.6
Mg 0.0040 0.01 102.3
Na 2.2522 1 97.1
精密度
元素 平均值/% σ RSD/%
Al 0.0081 0.0009 10.9214
Ca 0.0091 0.0009 9.8007
Fe 0.0513 0.0023 4.4125
Mg 0.0040 0.0002 6.2415
Na 2.2522 0.1852 8.2237
方法檢出限
在儀器工作條件下對(duì)標(biāo)準(zhǔn)溶液系列的空白溶液連續(xù)測(cè)定11次,以3倍標(biāo)準(zhǔn)偏差計(jì)算方法中各待測(cè)元素檢出限,以10倍標(biāo)準(zhǔn)偏差計(jì)算方法中各待測(cè)元素的測(cè)定下限。
各元素的線性回歸方程和檢出限
元素 譜線/nm 檢出限/%
Al 396.152 0.0013
Ca 396.847 0.0006
Fe 259.940 0.0008
Mg 280.271 0.0006
Na 589.592 --*
注:*溶樣使用的KNO3中雜質(zhì)鈉含量較高,Na檢出限受溶劑影響大
結(jié)論
利用Plasma 2000光譜儀對(duì)碳化硅中元素進(jìn)行測(cè)定,檢出限在0.0006-0.0013%之間,回收率均在90%-110%之間,準(zhǔn)確性好,能夠適用于不銹鋼中元素的測(cè)定。
國(guó)產(chǎn)單道掃描光譜儀,ICP檢測(cè)儀廠家
Plasma 1000 單道掃描ICP光譜儀可用于地質(zhì)、冶金、稀土及磁材料、環(huán)境、醫(yī)藥衛(wèi)生、生物、海洋、石油、化工新型材料、核工業(yè)、農(nóng)業(yè)、食品商檢、水質(zhì)等各領(lǐng)域及學(xué)科的樣品分析??梢钥焖?、準(zhǔn)確地檢測(cè)從微量到常量約70種元素。
Plasma 1000 單道掃描ICP光譜儀
1. 光路形式:Czerny-Turner型 單道掃描ICP光譜儀
2. 光室恒溫:(30±0.2)℃
3. 光柵類型:離子刻蝕全息平面光柵
4. 分辨率:不大于0.007nm
5. 刻線密度:3600g/mm
6. 高頻發(fā)生器震蕩頻率:40.68MHz 功率穩(wěn)定度:0.1%(長(zhǎng)期25℃典型值)
7. 震蕩類型:自激式
8. 進(jìn)樣方式:蠕動(dòng)泵進(jìn)樣 配有多種霧室(旋流霧室、雙筒霧室和耐氫氟酸霧室)
9. 霧化器:同心霧化器
10. 重復(fù)性:RSD ≤1.0%
11. 穩(wěn)定性:RSD ≤2.0%(2小時(shí))
12. 冷卻氣:10-20L/min
13. 輔助氣:0-1.5 L/min
14. 載氣:0.4-1L/min
15. 尺寸:1550mm×759mm×1340mm(長(zhǎng)×寬×高)
16. 重量:240公斤
Plasma 1000 單道掃描ICP光譜儀儀器特點(diǎn):
1. 分析流程全自動(dòng)化控制,實(shí)現(xiàn)軟件點(diǎn)火、氣路智能控制功能;
2. 輸出功率自動(dòng)匹配調(diào)諧,功率參數(shù)程序設(shè)定;
3. 優(yōu)良的光學(xué)系統(tǒng),先進(jìn)的控制系統(tǒng),保證峰位定位準(zhǔn)確,信背比優(yōu)良;
4. 極小的基體效應(yīng);
5. 測(cè)量范圍寬,超微量到常量的分析,動(dòng)態(tài)線性范圍5—6個(gè)數(shù)量級(jí);
6. 檢出限低,大多數(shù)元素的檢出限可達(dá)ppb級(jí);
7. 良好的測(cè)量精度,穩(wěn)定性相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差RSD≤1.5%(5ppm),優(yōu)于國(guó)家A級(jí)標(biāo)準(zhǔn)(JJG768-2005);
8. Rf輸出功率的范圍750-1500W,輸出功率穩(wěn)定性小于0.1%;
9. 光電倍增管的負(fù)高壓可在0-1000V范圍內(nèi)獨(dú)立可調(diào),可根據(jù)不同元素的不同譜線單獨(dú)設(shè)置條件,和全譜儀器比較有更好的檢出限;
10. 納克儀器采用高屏蔽和良好接地保證操作者的安全;
11. 高精度的光室恒溫系統(tǒng),保證儀器優(yōu)良的長(zhǎng)短期精度;
12. 多通道蠕動(dòng)泵進(jìn)樣,保證儀器進(jìn)樣均勻,工作穩(wěn)定;
13. 使用鈸銅彈片和特殊處理的屏蔽玻璃,在吸收紫外線同時(shí)使儀器輻射小于2V/m(JJG768-2005規(guī)定小于10V/m)。
14. 具有較高的譜線分辨率,能分出Hg313.154和313.183nm雙線譜線,能分出鐵的四重峰。
15. 人性化的軟件設(shè)計(jì),操作方便,終身免費(fèi)升級(jí)。功能強(qiáng)大、友好的人機(jī)界面分析軟件,可在測(cè)定過程中,進(jìn)行數(shù)據(jù)處理,方法編制和結(jié)果分析,是真正的多任務(wù)工作軟件;該軟件數(shù)據(jù)處理功能強(qiáng)大,提供了多種方法,如內(nèi)標(biāo)校正、IECS和QC監(jiān)測(cè)功能等,可獲得合適的背景扣除點(diǎn)以消除干擾;對(duì)輸出數(shù)據(jù)可直接打印或自動(dòng)生成Excel格式的結(jié)果報(bào)告。
國(guó)產(chǎn)單道掃描光譜儀,ICP檢測(cè)儀廠家
Plasma 1000電感耦等離子體原子發(fā)射光譜儀(ICP—AES)主要用于液體試樣(包括經(jīng)化學(xué)處理能轉(zhuǎn)變成溶液的固體試樣)中金屬元素和部分非金屬元素的定量分析。將樣品溶液以氣溶膠形式導(dǎo)入等離子體炬焰中,樣品被蒸發(fā)和激發(fā),發(fā)射出所含元素的特征波長(zhǎng)的光。經(jīng)分光系統(tǒng)分光后,其譜線強(qiáng)度由光電元件接受并轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?hào)而被記錄。根據(jù)元素濃度與譜線強(qiáng)度的關(guān)系,測(cè)定樣品中各相應(yīng)元素的含量。
>> 儀器特點(diǎn)
1.分析流程全自動(dòng)化控制,實(shí)現(xiàn)軟件點(diǎn)火、氣路智能控制功能;
2.輸出功率自動(dòng)匹配調(diào)諧,功率參數(shù)程序設(shè)定;
3. 優(yōu)良的光學(xué)系統(tǒng),先進(jìn)的控制系統(tǒng),保證峰位定位準(zhǔn)確,信背比優(yōu)良;
4.極小的基體效應(yīng);
5.測(cè)量范圍寬, 超微量到常量的分析,動(dòng)態(tài)線性范圍5—6個(gè)數(shù)量級(jí);
6.檢出限低,大多數(shù)元素的檢出限可達(dá)ppb級(jí);
7.良好的測(cè)量精度,穩(wěn)定性相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差RSD≤1.5%(5ppm),優(yōu)于國(guó)家A級(jí)標(biāo)準(zhǔn)(JJG768-2005);
8.功能強(qiáng)大、友好的人機(jī)界面分析軟件,可在測(cè)定過程中,進(jìn)行數(shù)據(jù)處理,方法編制和結(jié)果分析,是真正的多任務(wù)工作軟件;該軟件數(shù)據(jù)處理功能強(qiáng)大,提供了多種方法,如內(nèi)標(biāo)校正、IECS和QC監(jiān)測(cè)功能等,可獲得的背景扣除點(diǎn)以消除干擾;對(duì)輸出數(shù)據(jù)可直接打印或自動(dòng)生成Excel格式的結(jié)果報(bào)告.
>> 工作環(huán)境
1.儀器室內(nèi)無腐蝕性氣體;空中的塵埃粒子須保持。
2.室內(nèi)溫度18℃~26℃;室溫應(yīng)達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài),溫度變化率應(yīng)小于1℃/h,相對(duì)濕度不大于70%
>>尺寸和重量
1550mm(長(zhǎng))*759mm(寬)*1340mm(高)
重量: 240公斤
國(guó)產(chǎn)單道掃描光譜儀,ICP檢測(cè)儀廠家
鋼研納克國(guó)產(chǎn)ICP光譜儀測(cè)定硅鐵中雜質(zhì)元素含量
(鋼鐵研究總院,北京,100081)
摘要:硅鐵標(biāo)準(zhǔn)樣品于250mL聚四氟乙烯燒杯中,150℃下加入10 mL 王水,并逐滴加入HF,至樣品全部溶解,利用電感耦合等離子體光譜法測(cè)定硅鐵中Al、Ca、Cr、Cu、Mn、Ni、P和Ti等8種雜質(zhì)元素含量。優(yōu)化了儀器工作條件,對(duì)比了不同元素各譜峰的相互干擾,選擇各元素的合適譜線。雜質(zhì)元素的檢出限在0.33μg/g ~ 22.92μg/g之間,相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差(RSD,n=11)均小于5%,該方法適用于硅鐵樣品中痕量雜質(zhì)元素的測(cè)定。
關(guān)鍵字:硅鐵;電感耦合等離子體光譜法;雜質(zhì)元素
在硅鐵生產(chǎn)中,除了生成氣態(tài)組分外,隨爐料帶入到其他元素會(huì)被還原并作為硅鐵產(chǎn)品的組分而流出。因此,硅鐵產(chǎn)品中存在著多種雜質(zhì)元素,如Al、Ca等。隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展,煉鋼工藝的不斷革新和成熟,對(duì)硅鐵中雜質(zhì)元素的要求越來越嚴(yán)格。本實(shí)驗(yàn)采用某一硅鐵標(biāo)準(zhǔn)樣品進(jìn)行消解,并在自主研發(fā)的Plasma 2000型全譜電感耦合等離子體光譜儀上對(duì)硅鐵標(biāo)準(zhǔn)樣品中的Al、Ca、Mn、Cr、Ti、Cu、P和Ni 等8種雜質(zhì)元素進(jìn)行測(cè)定,為硅鐵行業(yè)的持續(xù)發(fā)展保駕護(hù)航。
1 實(shí)驗(yàn)部分
1.1 主要儀器及技術(shù)特點(diǎn)
Plasma 2000電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜儀(鋼研納克檢測(cè)技術(shù)有限公司)。
RF頻率:27.12 MHz
分析功率:1100W
工作氣體: 冷卻氣 13.5 L / min
輔助氣 0.50 L / min
載氣 0.45 L / min
1.2 主要試劑
Al、Ca、Mn、Cr、Ti、Cu、P和Ni標(biāo)準(zhǔn)溶液(國(guó)家鋼鐵材料測(cè)試中心):1000 μg/ml;
鹽酸:優(yōu)級(jí)純,ρ=1.18 g/ml(北京化學(xué)試劑研究所);
硝酸:優(yōu)級(jí)純,ρ=1.50 g/ml(北京化學(xué)試劑研究所);
氫氟酸:優(yōu)級(jí)純,ρ=1.14 g/ml(北京化學(xué)試劑研究所);
標(biāo)準(zhǔn)樣品:GBW 01432
實(shí)驗(yàn)用水均為超純水,電阻率≥18 MΩ·cm3;
氬氣:純度ωAr > 99.999 %(北京誠維峰氣體有限公司)。
1.3 實(shí)驗(yàn)方法
1.3.1 樣品制備
樣品消解:準(zhǔn)確稱取硅鐵標(biāo)準(zhǔn)樣品1.0000 g,置于250 mL聚四氟乙烯燒杯中,加入10 mL 王水,放在150℃的加熱板上加熱溶解,逐滴加入HF,至樣品全部溶解,取下冷卻至室溫后,定容至100 mL塑料容量瓶中。
隨同試樣做空白實(shí)驗(yàn)。
1.3.2 標(biāo)準(zhǔn)曲線的配制
在7個(gè)100 mL容量瓶中,分別加入Al、Ca、Mn、Cr、Ti、Cu、P和Ni等標(biāo)準(zhǔn)溶液,使得上述元素分別在7個(gè)容量瓶中的含量如下表1所示,加入超純水定容至刻度。
表1 8個(gè)元素的標(biāo)準(zhǔn)曲線
元素 S0 S1 S2 S3 S4 S5
Al 0 0.1% 0.3% 0.5% 0.7% 0.9%
0 1000μg 3000μg 5000μg 7000μg 9000μg
Ca 0 0.03% 0.06% 0.09% 0.12% 0.15%
0 300μg 600μg 900μg 1200μg 1500μg
Cr 0 0.002% 0.005% 0.008% 0.01% 0.015%
0 20μg 50μg 80μg 100μg 150μg
Cu 0 0.03% 0.06% 0.09% 0.12% 0.15%
0 300μg 600μg 900μg 1200μg 1500μg
Mn 0 0.03% 0.06% 0.09% 0.12% 0.15%
0 300μg 600μg 900μg 1200μg 1500μg
Ni 0 0.01% 0.03% 0.05% 0.07% 0.1%
0 100μg 300μg 500μg 700μg 1000μg
P 0 0.005% 0.01% 0.02% 0.05% 0.1%
0 50μg 100μg 200μg 500μg 1000μg
Ti 0 0.01% 0.03% 0.05% 0.07% 0.1%
0 100μg 300μg 500μg 700μg 1000μg
2 結(jié)果與討論
2.1 儀器工作參數(shù)的選擇
儀器調(diào)節(jié)的主要指標(biāo)是靈敏度,通常采用含有Mn元素的波長(zhǎng)校正液(5μg/ml)對(duì)儀器的載氣流量和炬管準(zhǔn)直進(jìn)行優(yōu)化調(diào)節(jié)實(shí)驗(yàn)。
2.1.1 載氣流量調(diào)節(jié)
以Mn元素(5μg/ml)波長(zhǎng)校正液為依據(jù),對(duì)新安裝的進(jìn)樣系統(tǒng)進(jìn)行調(diào)試。實(shí)驗(yàn)得到的載氣流量為:載氣流量 0.45 L/min。
2.1.2 炬管準(zhǔn)直調(diào)節(jié)
以Mn元素(5μg/ml)波長(zhǎng)校正液為依據(jù),對(duì)新安裝的進(jìn)樣系統(tǒng)進(jìn)行調(diào)試。實(shí)驗(yàn)得到的炬管準(zhǔn)直為(X:2,Z:2)。
2.2 基體元素干擾和元素譜線選擇
在ICP-OES測(cè)定中,基體效應(yīng)對(duì)待測(cè)元素產(chǎn)生抑制或增強(qiáng)作用,對(duì)測(cè)定結(jié)果有明顯的影響。在硅鐵雜質(zhì)元素的測(cè)定中,由于硅本體已經(jīng)和HF生成SiF4氣體并加熱揮發(fā),因此主要考慮Fe基體對(duì)所測(cè)定元素的影響。表2給出了8個(gè)雜質(zhì)元素的靈敏譜線和相關(guān)的干擾元素,并終確定各元素的分析譜線。
表2 各元素分析譜線
Table 2 Analytical Line of the elements
元素
Elements 譜線選擇
Choose Line / nm 分析譜線
Analytical Line / nm
Al 308.215,存在V308.211干擾
394.401,附近無干擾,強(qiáng)度低
396.152,存在Mo396.150干擾,強(qiáng)度高 308.215
Ca 396.847,附近無干擾,強(qiáng)度高
422.673,存在Al422.682干擾 396.847
Cr 267.716,附近無干擾,強(qiáng)度高
206.149,附近無干擾,強(qiáng)度低 267.716
Cu 327.396,附近無干擾,強(qiáng)度低
324.754,附近無干擾,強(qiáng)度高 324.754
Mn 257.610,附近無干擾,強(qiáng)度高
259.373,存在Fe259.373干擾 257.610
Ni 231.604,附近無干擾,強(qiáng)度高
216.556,附近無干擾,強(qiáng)度低
341.476,附近無干擾,強(qiáng)度低 231.604
P 177.499,無譜圖
178.287,無譜圖
185.943,觀測(cè)不到
213.618,存在Cu213.698干擾,但是觀察譜圖,可以區(qū)分開
214.914,附近無干擾,強(qiáng)度低 213.618
Ti 336.121,附近無干擾,強(qiáng)度高
334.941,附近無干擾,強(qiáng)度低 336.121
2.3 各元素校準(zhǔn)曲線
根據(jù)樣品中各個(gè)元素的含量,將配制好的標(biāo)準(zhǔn)溶液(1.3.2)使用Plasma 2000進(jìn)行校準(zhǔn)測(cè)定。以各個(gè)元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù)對(duì)譜線強(qiáng)度繪制校準(zhǔn)曲線,其線性回歸方程及相關(guān)系數(shù)見表3所示。
3 結(jié)論
采用納克公司生產(chǎn)的Plasma 2000電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀測(cè)定硅鐵標(biāo)準(zhǔn)樣品中的Al、Ca、Cr、Cu、Mn、Ni、P、Ti等8種元素,可一次性完成對(duì)多種元素的測(cè)定,測(cè)量準(zhǔn)確度和精密度良好,方法簡(jiǎn)便快速,適用于各級(jí)檢驗(yàn)機(jī)構(gòu)進(jìn)行多批次、多項(xiàng)目產(chǎn)品的元素檢測(cè)。
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