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1）自驅(qū)動同步整流關(guān)機(jī)時候在前一階段為同步整流模式，電壓掉到一定程度，變?yōu)槎O管模式，從而帶來不同的輸出電壓下降斜率。2）外驅(qū)動同步整流原邊關(guān)機(jī)后，副邊未正確的及時關(guān)斷。解決思路：1）采用一定的控制方法控制副邊同步整流管在原邊關(guān)斷后快速關(guān)斷，變?yōu)槎O管模式關(guān)機(jī)。2）采用一定的方法控制副邊同步整流軟關(guān)斷。同步整流—更好的動態(tài)響應(yīng)值得指出的一點是，同步整流線路不僅僅能帶來效率的提升，在提高電路的動態(tài)響應(yīng)方面，如果采用CCM模式的同步整流，會帶來動態(tài)響應(yīng)的提升。二極管在低載情況下，環(huán)路特性會非常難以補償從而帶來較差的動態(tài)響應(yīng)，而CCM的同步整流，在空滿載情況下是接近的來源：電源研發(fā)精英圈
DK5V60R20C


由于少數(shù)載流子為數(shù)很少，故反向電流是很微弱的，電阻很大一個PN結(jié)就可以形成半導(dǎo)體器件中的二極管（Diode），它同時也是構(gòu)筑三極管（BJT）、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET）等其他眾多半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)4.光電特性光生電：在PN結(jié)處沒有可以自由移動的電子和空穴，但是晶格原子外層有許多被束縛的共價電子。45R20S
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本征半導(dǎo)體：指不含任何摻雜元素的半導(dǎo)體，如純硅晶片或純鍺晶片。P型半導(dǎo)體：摻雜了產(chǎn)生空穴的含較低電價雜質(zhì)的半導(dǎo)體，如在本征半導(dǎo)體中Si(4+)中摻入Al(3+)的半導(dǎo)體。N型半導(dǎo)體：摻雜了產(chǎn)生空穴的含較低電價雜質(zhì)的半導(dǎo)體，如在本征半導(dǎo)體中硅Si(4+)中摻入磷P(5+)的半導(dǎo)體。由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體相接觸時，就產(chǎn)生一個獨特的PN結(jié)界面，在界面的兩側(cè)形成空間電荷層，構(gòu)成自建電場。當(dāng)外加電壓等于零時，由于PN結(jié)兩邊載流子的濃度差引起擴(kuò)散電流和由自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)，這也是常態(tài)下的PN結(jié)。