ICP-OES和ICPMS精密度不同：
ICP-MS的短期精密度一般是1～3% RSD，這是應用多內標法在常規(guī)工作中得到的。長期(幾個小時)精密度為小于5%RSD。使用同位素稀釋法可以得到很好的準確度和精密度，但這個方法的費用對常規(guī)分析來講是太貴了。
ICP-OES的短期精密度一般為0.3～2%RSD，幾個小時的長期精密度小于3%RSD。

硬件設備目前國際采用的主流技術為全固態(tài)光源和中階梯光柵二維分光系統(tǒng)，少部分采用電子管作為功放的射頻光源和一維分光技術。單道掃描的ICP儀器還有一定的市場占有率和保有量，在特殊行業(yè)（如稀土）具有不可替代的作用。

ICP-OES和ICPMS樣品分析能力不同：
ICP-MS有驚人的能力來分析大量測定痕量元素的樣品，典型的分析時間為每個樣品小于5分鐘，在某些分析情況下只需2分鐘。Consulting實驗室認為ICP-MS的主要優(yōu)點即是其分析能力。
ICP-OES的分析速度取決于是采用全譜直讀型還是單道掃描型，每個樣品所需的時間為2或6分鐘，全譜直讀型較快，一般為2分鐘測定一個樣品。

起草的標準情況：
釓鎂合金中稀土與非稀土雜質AlCuCaFeSiNi的測定。 2009年
釓鐵合金中非稀土元素AlCaMgMn的測定。 2010年
鐠釹鏑合金中稀土與非稀土雜質以及配分測定。（起草）
釹鐵硼廢渣中稀土與非稀土雜質測定以及配分測定。（進行到二驗，標準未公布）。