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通信芯片特點（二）

高集成度在DSP芯片中也應用得很廣泛。

 為用低功耗的小型器件進行高水準的調制和解調算法作業(yè)，已經開發(fā)出包含有DSP內路的單片算法IC。在21世紀初的幾年內，隨著微細化工藝技術的不斷發(fā)展，在更多地采用0.25μmCMOS工藝之后，集成度將會得到進一步的提高，而電壓和功耗將會進一步降低，從而能夠將用于協(xié)議處理的CPU內路也全部集中制作在一枚小小的芯片上。 Texas Instruments(TI)公司日前新推出的TMS320C6203產品，有250MHz、300MHz兩種型號，執(zhí)行速度高達2900MIPS，是目前世界上速度快的DSP產品。這款芯片集成了7Mbits內存，是目前在單機芯DSP里集成的內存，采用18m2的BGA封裝，能夠節(jié)省插件板/系統(tǒng)空間，適用于3G無線、電信系統(tǒng)和網絡基礎設施的設備。

使通信芯片實現(xiàn)微型化的另一種有效的途徑，是在半導體通信芯片制造工藝中采用更先進的光刻技術，科學家們讓光透過掩膜形成一個影像，利用透鏡使這個影像縮小，并且巧妙地利用這種投影光，把芯片電路的輪廓投射到涂有一層硅的光刻膠上面，通過對透鏡的改進，縮短光的波長，并且改進光阻材料，就可以把芯片電路蝕刻得更加細致入微，更加，從而制造出集成度更高、體積更小的通信芯片，使用這種芯片的移動通信設備將變得更加便攜。

通信芯片特點（三）

快如閃電

第三代移動通信正在崛起，3G與代以及第二代移動通信技術不同，在于3G需要面向Internet和數(shù)據通信。因此，對新一代的手機IC芯片提出了更好的要求，要求手機IC芯片具有更強大的數(shù)據存儲和數(shù)據處理能力，必需擁有更廣闊的存儲空間，用來存儲從網上的各種數(shù)據信息。此外，還要求新一代手機中被處理的信息不再僅僅是語音和指令，而是更復雜的多媒體信息，因此，要求新一代手機IC芯片必需擁有更高速的數(shù)據處理能力，要求其速度快如閃電。

為了使新一代手機擁有更大的存儲能力和更快的數(shù)據處理能力，將會提高手機的功耗，而要達到大數(shù)據量存儲、高速處理和功耗不增加這三種要求,新一代手機應當采用嵌入式flash（快閃）存儲技術、的DSP和降低電池電壓等各種手段。

高速接口IC，用于通信網絡的中繼傳輸和幾個通信系統(tǒng)之間的高速傳輸，傳輸速度已經按照ITU規(guī)定的SHD實現(xiàn)標準化。除了與光纜接口的激光器驅動電路和光接收電路等光電變換電路之外，其它的諸如幀同步、糾錯以及傳輸總線的多路分離等，都需要利用目前已經向著微細化發(fā)展的CMOS 技術的高集成度;將其制作在一枚小小的芯片上。目前，以0.35μmCMOS技術制作的通信接口IC，能夠以2.4Gbps的速度進行各種傳輸信息的處理。

LiFi光源選擇

1、LED

目前LiFi技術采用的光源大多數(shù)是白光LED，很大一部分的原因得益于LED技術的快速發(fā)展。而白光LED的實現(xiàn)方式主要有：藍色LED芯片激發(fā)黃綠色熒光粉轉換成白光（PC-LED）、紫外光或紫外LED激發(fā)三原色熒光粉產生白光和紅、綠、藍3種LED芯片封裝在一起混合產生白光（RGB-LED）?，F(xiàn)階段商用的白光LED產品根據光譜成分的不同，主要分為兩大類：PC-LED和RGB-LED。

LED的調制帶寬決定了通信系統(tǒng)的信道容量和傳輸速率，研究LED器件的調制特性是提升e799bee5baa6e997aee7ad94e4b893e5b19e31333361316539新型LiFi系統(tǒng)性能的關鍵問題之一。LED調制帶寬的定義是當LED輸出的交流光功率下降到某一參考頻率值的50%時（-3dB）的頻率。由于PC-LED的黃色熒光粉光譜部分的光電響應比較滯后，導致LiFi光源的調制帶寬限制在幾個兆赫茲以內，從而限制了整個系統(tǒng)的通信速率，即使在接收端采用藍色濾波片也未能明顯改善該光源的缺陷。

因此，越來越多的LiFi研究將光源轉向RGB LED，它能提供較高的調制帶寬，在3種顏色的光波上用波分復用的方式提高信道容量，調制不同的數(shù)據并行傳輸，并在接收端通過各顏色的濾波片分別接收3種顏色，有效提高發(fā)送效率。但是RGB-LED中不同顏色的LED對于輸出光通有不同的工作溫度依賴性，為了實現(xiàn)工作溫度獨立的色點，需要對每個單色LED的反饋循環(huán)和驅動電流進行單獨控制，這樣對器件的制備帶來了較高的成本和復雜的調制電路。LED的調制帶寬受響應速率限制，而響應速率又受載流子壽命的影響。除了設計調制電路，降低RC（resistance-times-capacitance）之外，常規(guī)提高器件調制帶寬的方法是增加電子空穴的輻射復合速率，減少載流子自發(fā)輻射壽命。