強(qiáng)元芯電子（廣東）有限公司主營：整流橋,橋堆,肖特基二極管,超快恢復(fù)二極管
PL3331

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PL3331副邊導(dǎo)通時，電流首先流過功率 MOS 的體二極管，當(dāng)芯片檢測到功率 MOS 漏極與源極壓差小于V ON_TH 時，芯片經(jīng)過時間 T DON 開啟功率 MOS。V ON_TH 和 T DON 的典型值分別為-200mV 和 80ns。

PL3331當(dāng)流經(jīng)功率 MOS 的電流逐漸下降，直到 MOS 漏極與源極的壓差超過 V OFF_TH 時，芯片經(jīng)過時間 T DOFF開啟功率 MOS。V OFF_TH 和 T DOFF 的典型值分別為-12mV 和 50ns。

ASEMI

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ASEMI 主打研發(fā)銷售產(chǎn)品：電源管理IC，12年出口臺灣及歐盟經(jīng)驗，28條臺灣高速一體化設(shè)備；具備IC系列各封裝產(chǎn)品，可用于直接或功能替換多款芯片IC。

MCU 產(chǎn)品：強(qiáng)元芯電子的MCU 是以1T 8051 為核心的8 位單片機(jī)，可運(yùn)行至20Mhz,具有4K/8K/16K字節(jié)內(nèi)建Flash 程序存儲器、256+1K 字節(jié)的SRAM、256 字節(jié)的EEPROM、4K ROM（ISP 應(yīng)用）等。

PL3369

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PL3369的 恒流/ 恒壓調(diào)節(jié)

恒流/恒壓的調(diào)節(jié)主要是基于系統(tǒng)工作在 DCM 模式。工作于 DCM 模式的反激式開關(guān)電源，可以通過輔助繞組來采樣輸出電壓。功率管導(dǎo)通時，原邊電流逐步增加，功率管關(guān)閉后，原邊電流傳輸?shù)酱渭?，并形成次級電流Spk I。

在不同的應(yīng)用中，CS 端不同的采樣電阻會得到不同的恒流點(diǎn)。輸出功率的大小可通過調(diào)節(jié) CS 端的采樣電阻實現(xiàn)，采樣電阻越大，恒流點(diǎn)越小，同時輸出功率也越小。