北京賽米萊德貿(mào)易有限公司主營：光刻膠

微流控芯片硅片模具加工如何選擇光刻膠呢？

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一般來說線寬的用正膠,線窄的用負膠，正性光刻膠比負性的精度要高，負膠顯影后圖形有漲縮，負性膠限制在2~3μm.，而正性膠的分辨力優(yōu)于0.5μm 導致影響精度，正性膠則無這方面的影響。雖然使用更薄的膠層厚度可以改善負性膠的分辨率，但是薄負性膠會影響。同種厚度的正負膠，在對于抗?jié)穹ê透g性方面負膠更勝一籌，正膠難以企及。汶顥科技提供AZ、SU_8、及其他系類光刻膠的供應(yīng)與技術(shù)參數(shù)。

光刻膠的組成

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樹脂( resin/polymer)，光刻膠中不同材料的粘合劑，給與光刻膠的機械與化學性質(zhì)( 如粘附性、膠膜厚度、熱穩(wěn)定性等);感光劑，感光劑對光能發(fā)生光化學反應(yīng);溶劑(Solvent),保持光刻膠的液體狀態(tài),使之具有良好的流動性;添加劑( Additive )，用以改變光刻膠的某些特性，如改善光刻膠發(fā)生反射而添加染色劑等。負性光刻膠。樹脂是聚異戊二烯，一-種天然的橡膠;溶劑是;感光劑是一種經(jīng)過曝光后釋放出氮氣的光敏劑，產(chǎn)生的自由基在橡膠分子間形成交聯(lián)。從而變得不溶于顯影液。負性光刻膠在曝光區(qū)由溶劑引起泡漲;曝光時光刻膠容易與氮氣反應(yīng)而抑制交聯(lián)。

光刻是整個集成電路制造過程中耗時長、難度大的工藝，耗時占IC制造50%左右，成本約占IC生產(chǎn)成本的1/3。光刻膠是光刻過程重要的耗材，光刻膠的質(zhì)量對光刻工藝有著重要影響。

光刻是將圖形由掩膜版上轉(zhuǎn)移到硅片上，為后續(xù)的刻蝕步驟作準備。在光刻過程中，需在硅片上涂一層光刻膠，經(jīng)紫外線曝光后，光刻膠的化學性質(zhì)發(fā)生變化，在通過顯影后，被曝光的光刻膠將被去除，從而實現(xiàn)將電路圖形由掩膜版轉(zhuǎn)移到光刻膠上。再經(jīng)過刻蝕過程，實現(xiàn)電路圖形由光刻膠轉(zhuǎn)移到硅片上。在刻蝕過程中，光刻膠起防腐蝕的保護作用。

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