強(qiáng)元芯電子(廣東)有限公司
店齡6年 · 企業(yè)認(rèn)證 · 廣東省深圳市
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強(qiáng)元芯電子(廣東)有限公司
主營(yíng)產(chǎn)品: 其他分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
同步整流芯片PL33318位單片機(jī)-ASEMI
價(jià)格
訂貨量(件)
¥99.30
≥1
店鋪主推品 熱銷潛力款
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強(qiáng)元芯電子(廣東)有限公司
店齡6年 企業(yè)認(rèn)證
聯(lián)系人
李絢
聯(lián)系電話
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經(jīng)營(yíng)模式
生產(chǎn)加工
所在地區(qū)
廣東省深圳市
主營(yíng)產(chǎn)品
PL3331
編輯:LX
PL3331 內(nèi)部集成 VDD 檢測(cè)電路,系統(tǒng)上電完成前,功率管一直處于斷開狀態(tài),副邊電流流過功率 MOS的體二極管,直到 VDD 端電壓超過芯片的啟動(dòng)閾值電壓時(shí),芯片開始正常工作。
PL3331 當(dāng) VDD 電壓低于芯片的欠壓閾值電壓時(shí),芯片進(jìn)入欠壓保護(hù)模式,功率管不會(huì)開啟。為了防止 VDD上升過程中抖動(dòng)對(duì)芯片的影響,內(nèi)部設(shè)置了閾值遲滯。芯片的上升閾值和下降閾值典型值為 3.1V 和2.8V。
PL3332
編輯:LX
PL3332副邊導(dǎo)通時(shí),電流首先流過功率 MOS 的體二極管,當(dāng)芯片檢測(cè)到功率 MOS 漏極與源極壓差小于V ON_TH 時(shí),芯片經(jīng)過時(shí)間 T DON 開啟功率 MOS。V ON_TH 和 T DON 的典型值分別為-200mV 和 80ns。
PL3332關(guān)鍵特性:車規(guī)級(jí)(-40°-125°C )、低待機(jī)、強(qiáng)抗干擾、強(qiáng)保密(IC 卡級(jí))主要應(yīng)用:智能家居、小家電、智能照明、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)工具、觸摸按鍵、汽車遙控、PD、QC、電池管理等
PL3369
編輯:LX
PL3369B 同時(shí)具有多種保護(hù)功能:逐周期峰值電流檢測(cè)、VDD 欠壓/過壓保護(hù)、輸出過壓保護(hù)、輸出短路保護(hù)和過溫保護(hù)。
PL3369B具有多種保護(hù)功能以應(yīng)對(duì)系統(tǒng)的各種異常狀態(tài)。主要包括:逐周期限流保護(hù)、VDD欠壓/過壓保護(hù)、輸出短路/過壓保護(hù)和過溫保護(hù)等。系統(tǒng)發(fā)生異常時(shí),芯片將被保護(hù),直到系統(tǒng)恢復(fù)正常狀態(tài)。
PL3369B提供SOP7封裝。