鋼研納克檢測(cè)技術(shù)股份有限公司
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店齡5年 · 企業(yè)認(rèn)證 · 北京市
主營(yíng)產(chǎn)品: ICP光譜儀,電感耦合等離子體質(zhì)譜儀,電感耦合等離子體光譜儀,ICPOES
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火花直讀光譜儀參數(shù)-式直讀光譜儀
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icp直讀光譜儀 鋼研納克單道ICP 35年方法開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn) 鋼研納克 鋼研納克檢測(cè)技術(shù)股份有限公司
北京市
商品參數(shù)
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商品介紹
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光學(xué)系統(tǒng) 巴邢 - 龍格系統(tǒng)
焦距 750mm
譜線范圍 120~800nm
分辨率 優(yōu)于 0.01nm
電源要求 220V 單相 16A 2.5KVA
外形尺寸 1452mm×1367mm×860mm
重量 約 60Kg
商品介紹
Labspark 750T 精密直讀火花光譜儀技術(shù)參數(shù)
Labspark 750T 技術(shù)優(yōu)勢(shì)
?激發(fā)能量、頻率連續(xù)可調(diào)全數(shù)字固態(tài)光源,適應(yīng)各種不同材料。
?獨(dú)特的恒溫式火花臺(tái)設(shè)計(jì),環(huán)狀氬氣流方式,保證連續(xù)激發(fā)狀態(tài)下儀器的穩(wěn)定性,避免使用水冷帶來(lái)的不利影響。
?安全防護(hù)設(shè)備阻止不安全激發(fā)。
?銅基座火花臺(tái),火花臺(tái)易于拆卸,便于清潔。
?帶有獨(dú)特配件,易于檢測(cè)多種形狀的分析對(duì)象(餅狀、棒狀、線狀)。
?一體式透鏡隔離閥,可防止因日常維護(hù)導(dǎo)致的光室污染影響強(qiáng)度下降,透鏡易于更換。
?放電室設(shè)計(jì)獨(dú)特,保證放電在條件下進(jìn)行。
?激發(fā)電極為鎢電極。
?帕邢 - 龍格架發(fā),高發(fā)光全息光柵。
?光柵焦距 750mm,刻線為 2400 條 /mm,
?譜線范圍:120-800nm。
?色散率:一級(jí)色散率:0.55nm/mm, 二級(jí)色散率:0.275nm/mm。
?分辨率:優(yōu)于 0.01nm。
?整體出射狹縫調(diào)試方便、快捷、便于用戶增加更改通道,節(jié)約成本。
?光柵、光電倍增管等核心部件全部進(jìn)口。
?真空度由真空泵和真空控制設(shè)備控制。
?鑄鐵光室,熱膨脹系數(shù)低,保證真空度的要求。
?采用納克公司獨(dú)創(chuàng)的金屬原位分析儀的核心關(guān)鍵技術(shù) -- 單次放電采集解析技術(shù)(Single Discharge Analysis,SDA)。
?世界首創(chuàng)的多通道同步描跡提高儀器穩(wěn)定性。
?延時(shí)積分技術(shù),國(guó)內(nèi)空白、,不同的通道采用不同的積分起始時(shí)間。
?內(nèi)部恒溫系統(tǒng),不同的部位采用不同的恒溫條件,大大減少了外部環(huán)境變化對(duì)儀器的影響(控制精度 ±0.1℃)
?連續(xù)可調(diào)光源,對(duì)不同的材質(zhì)可以匹配不同的光源實(shí)現(xiàn)的分析結(jié)果。
?模塊化的電路設(shè)計(jì),維修方便快捷,為遠(yuǎn)程診斷做好了準(zhǔn)備。
?軟件可調(diào)獨(dú)立高精度負(fù)高壓模塊,負(fù)高壓精度< 0.05%。
?負(fù)高壓可由分析程序控制,調(diào)高分析程序的分析精度,擴(kuò)展元素的分析范圍。
?實(shí)時(shí)監(jiān)控各通道負(fù)高壓、 光室溫度、火花臺(tái)溫度、真空度等重要參數(shù),確保儀器長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行。
?各光電倍增管負(fù)高壓獨(dú)立 供電,消除相互干擾,運(yùn)行更可靠。
?根據(jù)分析需要,可程序調(diào)整,拓寬反分析范圍。
?包括不同基體不同曲線的計(jì)算,全中文分析軟件,方便用戶操作,第三元素干擾校正,提高分析準(zhǔn)確度。
直讀光譜儀的分辨率受到入縫寬度、出縫寬度、光柵刻線數(shù)、光譜儀的焦距、光線入射角、光譜級(jí)次等因素的綜合影響,其中全譜和多道直讀光譜儀的主要區(qū)別在于出入縫寬度、光柵刻線數(shù)和焦距的不同.全譜型直讀光譜儀雖然焦距比較小,但其采用了更窄的入縫和更高刻線數(shù)的光柵,因此其光學(xué)分辨率與大型多道光譜儀相當(dāng);而且大型多道直讀光譜儀采用PMT作為檢測(cè)器,必須配合出縫來(lái)選擇光譜,受制于光譜強(qiáng)度、出縫的加工和光學(xué)調(diào)試難度等因素的影響,出縫寬度通常在50μm左右,影響了多道光譜儀的分辨能力.而全譜型直讀光譜儀采用CCD作為檢測(cè)器,其像素寬度僅為10μm左右,大大提高了光譜的分辨能力.
Labspark 750T技術(shù)特點(diǎn)
?原位單次放電采集的專利技術(shù)(SDA)有效提高分析精度
?單板式透鏡架,擦拭時(shí)大大降低對(duì)光室的污染
?基于 ARM9 的儀器狀態(tài)實(shí)時(shí)監(jiān)控系統(tǒng)
?固態(tài)吸附阱,防止油氣對(duì)光室的污染,提高長(zhǎng)期運(yùn)行穩(wěn)定性
?綠光背景燈,加快響應(yīng)速度,提高短期分析精度
?·銅火花臺(tái)底座,提高散熱性及堅(jiān)固性。
?·激發(fā)能量、頻率連續(xù)可調(diào)全數(shù)字固態(tài)光源,適應(yīng)各種不同材料。
?可變延時(shí)積分技術(shù),大大降低背景干擾。
?高精度光電倍增管負(fù)高壓獨(dú)立供電連續(xù)可調(diào)技術(shù),調(diào)整更精確,可程序調(diào)整,提高動(dòng)態(tài)范圍。
?網(wǎng)口采集,通用性更強(qiáng)。
?真空光室由特殊材質(zhì)制作:極低的熱膨脹系數(shù),受溫度波動(dòng)影響小。
?全新光室結(jié)構(gòu):可輕松檢測(cè) Li、Na、K 等長(zhǎng)波元素以及極短波長(zhǎng)元素或干擾嚴(yán)重的元素,如 N、P、S、B、Sb 等。
?內(nèi)置疲勞背景燈:有效降低光電倍增管暗電流對(duì)信號(hào)
?收集的影響,提高信噪比,延長(zhǎng)光電倍增管的使用壽命。
?自動(dòng)描跡:全新設(shè)計(jì)的自動(dòng)描跡系統(tǒng),快速精準(zhǔn),大大提高了儀器分析效率并降低了操作難度,提供自動(dòng)與手動(dòng)描跡切換功能。
?全新設(shè)計(jì)的共軸火花臺(tái):采用優(yōu)化的內(nèi)部氣路,大大減少了氬氣的消耗量,減少了火花臺(tái)內(nèi)部的殘留金屬粉塵并且提高了儀器分析數(shù)據(jù)時(shí)的穩(wěn)定性。
根據(jù)儀器的結(jié)構(gòu)不同,又可分為多道直讀光譜儀和全譜直讀光譜儀,其中前者多采用光電倍增管作為檢測(cè)器,后者多采用陣列檢測(cè)器(如CCD).
隨著CCD技術(shù)的不斷發(fā)展,直讀光譜儀開(kāi)始朝小型化、全譜型方向發(fā)展.小型化儀器功耗小,占用空間小且易于維護(hù);全譜直讀光譜儀能夠獲得全波段范圍內(nèi)的光譜,滿足多基體分析要求,譜線選擇靈活,可以有效扣除光譜干擾,分析更準(zhǔn)確,而多道直讀光譜儀只能檢測(cè)有限數(shù)量的光譜,很難做到這一點(diǎn).
Labspark 750T 技術(shù)優(yōu)勢(shì)
?激發(fā)能量、頻率連續(xù)可調(diào)全數(shù)字固態(tài)光源,適應(yīng)各種不同材料。
?獨(dú)特的恒溫式火花臺(tái)設(shè)計(jì),環(huán)狀氬氣流方式,保證連續(xù)激發(fā)狀態(tài)下儀器的穩(wěn)定性,避免使用水冷帶來(lái)的不利影響。
?安全防護(hù)設(shè)備阻止不安全激發(fā)。
?銅基座火花臺(tái),火花臺(tái)易于拆卸,便于清潔。
?帶有獨(dú)特配件,易于檢測(cè)多種形狀的分析對(duì)象(餅狀、棒狀、線狀)。
?一體式透鏡隔離閥,可防止因日常維護(hù)導(dǎo)致的光室污染影響強(qiáng)度下降,透鏡易于更換。
?放電室設(shè)計(jì)獨(dú)特,保證放電在條件下進(jìn)行。
?激發(fā)電極為鎢電極。
?帕邢 - 龍格架發(fā),高發(fā)光全息光柵。
?光柵焦距 750mm,刻線為 2400 條 /mm,
?譜線范圍:120-800nm。
?色散率:一級(jí)色散率:0.55nm/mm, 二級(jí)色散率:0.275nm/mm。
?分辨率:優(yōu)于 0.01nm。
?整體出射狹縫調(diào)試方便、快捷、便于用戶增加更改通道,節(jié)約成本。
?光柵、光電倍增管等核心部件全部進(jìn)口。
?真空度由真空泵和真空控制設(shè)備控制。
?鑄鐵光室,熱膨脹系數(shù)低,保證真空度的要求。
?采用納克公司獨(dú)創(chuàng)的金屬原位分析儀的核心關(guān)鍵技術(shù) -- 單次放電采集解析技術(shù)(Single Discharge Analysis,SDA)。
?世界首創(chuàng)的多通道同步描跡提高儀器穩(wěn)定性。
?延時(shí)積分技術(shù),國(guó)內(nèi)空白、,不同的通道采用不同的積分起始時(shí)間。
?內(nèi)部恒溫系統(tǒng),不同的部位采用不同的恒溫條件,大大減少了外部環(huán)境變化對(duì)儀器的影響(控制精度 ±0.1℃)
?連續(xù)可調(diào)光源,對(duì)不同的材質(zhì)可以匹配不同的光源實(shí)現(xiàn)的分析結(jié)果。
?模塊化的電路設(shè)計(jì),維修方便快捷,為遠(yuǎn)程診斷做好了準(zhǔn)備。
?軟件可調(diào)獨(dú)立高精度負(fù)高壓模塊,負(fù)高壓精度< 0.05%。
?負(fù)高壓可由分析程序控制,調(diào)高分析程序的分析精度,擴(kuò)展元素的分析范圍。
?實(shí)時(shí)監(jiān)控各通道負(fù)高壓、 光室溫度、火花臺(tái)溫度、真空度等重要參數(shù),確保儀器長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行。
?各光電倍增管負(fù)高壓獨(dú)立 供電,消除相互干擾,運(yùn)行更可靠。
?根據(jù)分析需要,可程序調(diào)整,拓寬反分析范圍。
?包括不同基體不同曲線的計(jì)算,全中文分析軟件,方便用戶操作,第三元素干擾校正,提高分析準(zhǔn)確度。
直讀光譜儀的分辨率受到入縫寬度、出縫寬度、光柵刻線數(shù)、光譜儀的焦距、光線入射角、光譜級(jí)次等因素的綜合影響,其中全譜和多道直讀光譜儀的主要區(qū)別在于出入縫寬度、光柵刻線數(shù)和焦距的不同.全譜型直讀光譜儀雖然焦距比較小,但其采用了更窄的入縫和更高刻線數(shù)的光柵,因此其光學(xué)分辨率與大型多道光譜儀相當(dāng);而且大型多道直讀光譜儀采用PMT作為檢測(cè)器,必須配合出縫來(lái)選擇光譜,受制于光譜強(qiáng)度、出縫的加工和光學(xué)調(diào)試難度等因素的影響,出縫寬度通常在50μm左右,影響了多道光譜儀的分辨能力.而全譜型直讀光譜儀采用CCD作為檢測(cè)器,其像素寬度僅為10μm左右,大大提高了光譜的分辨能力.
Labspark 750T技術(shù)特點(diǎn)
?原位單次放電采集的專利技術(shù)(SDA)有效提高分析精度
?單板式透鏡架,擦拭時(shí)大大降低對(duì)光室的污染
?基于 ARM9 的儀器狀態(tài)實(shí)時(shí)監(jiān)控系統(tǒng)
?固態(tài)吸附阱,防止油氣對(duì)光室的污染,提高長(zhǎng)期運(yùn)行穩(wěn)定性
?綠光背景燈,加快響應(yīng)速度,提高短期分析精度
?·銅火花臺(tái)底座,提高散熱性及堅(jiān)固性。
?·激發(fā)能量、頻率連續(xù)可調(diào)全數(shù)字固態(tài)光源,適應(yīng)各種不同材料。
?可變延時(shí)積分技術(shù),大大降低背景干擾。
?高精度光電倍增管負(fù)高壓獨(dú)立供電連續(xù)可調(diào)技術(shù),調(diào)整更精確,可程序調(diào)整,提高動(dòng)態(tài)范圍。
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?真空光室由特殊材質(zhì)制作:極低的熱膨脹系數(shù),受溫度波動(dòng)影響小。
?全新光室結(jié)構(gòu):可輕松檢測(cè) Li、Na、K 等長(zhǎng)波元素以及極短波長(zhǎng)元素或干擾嚴(yán)重的元素,如 N、P、S、B、Sb 等。
?內(nèi)置疲勞背景燈:有效降低光電倍增管暗電流對(duì)信號(hào)
?收集的影響,提高信噪比,延長(zhǎng)光電倍增管的使用壽命。
?自動(dòng)描跡:全新設(shè)計(jì)的自動(dòng)描跡系統(tǒng),快速精準(zhǔn),大大提高了儀器分析效率并降低了操作難度,提供自動(dòng)與手動(dòng)描跡切換功能。
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根據(jù)儀器的結(jié)構(gòu)不同,又可分為多道直讀光譜儀和全譜直讀光譜儀,其中前者多采用光電倍增管作為檢測(cè)器,后者多采用陣列檢測(cè)器(如CCD).
隨著CCD技術(shù)的不斷發(fā)展,直讀光譜儀開(kāi)始朝小型化、全譜型方向發(fā)展.小型化儀器功耗小,占用空間小且易于維護(hù);全譜直讀光譜儀能夠獲得全波段范圍內(nèi)的光譜,滿足多基體分析要求,譜線選擇靈活,可以有效扣除光譜干擾,分析更準(zhǔn)確,而多道直讀光譜儀只能檢測(cè)有限數(shù)量的光譜,很難做到這一點(diǎn).
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公司名稱 鋼研納克檢測(cè)技術(shù)股份有限公司
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網(wǎng)址 http://www.ncs-instrument.com/
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