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單晶硅電池成本低

單晶硅電池具有電池轉(zhuǎn)換，穩(wěn)定性好，但是成本較高。單晶硅電池早在20多年前就已突破光電轉(zhuǎn)換效率20%以上的技術(shù)關(guān)口。

多晶硅電池成本低，轉(zhuǎn)換效率略低于直拉單晶硅太陽(yáng)能電池，材料中的各種缺陷，如晶界、位錯(cuò)、微缺陷，和材料中的雜質(zhì)碳和氧，以及工藝過(guò)程中玷污的過(guò)渡族金屬被認(rèn)為是造成多晶硅電池光電轉(zhuǎn)換率一直無(wú)法突破20%的關(guān)口。德國(guó)弗勞恩霍夫協(xié)會(huì)科研人員采用新技術(shù)，在世界上使多晶硅太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換率達(dá)到20.3%。

從工業(yè)化發(fā)展來(lái)看，由單晶向多晶硅和薄膜方向發(fā)展，主要原因?yàn)椋?

A.可供應(yīng)太陽(yáng)電池的頭尾料愈來(lái)愈少；

B.對(duì)太陽(yáng)電池來(lái)講，方形基片更合算，通過(guò)澆鑄法和直接凝固法所獲得的多晶硅可直接獲得方形材料；

C.多晶硅的生產(chǎn)工藝不斷取得進(jìn)展，全自動(dòng)澆鑄爐每生產(chǎn)周期（50小時(shí)）可生產(chǎn)200公斤以上的硅錠，晶粒的尺寸達(dá)到厘米級(jí)；

D.由于近十年單晶硅工藝的研究與發(fā)展很快，其中工藝也被應(yīng)用于多晶硅電池的生產(chǎn)，例如選擇腐蝕發(fā)射結(jié)、背表面場(chǎng)、腐蝕絨面、表面和體鈍化、細(xì)金屬柵電極，采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)可使柵電極的寬度降低到50微米，高度達(dá)到15微米以上，快速熱退火技術(shù)用于多晶硅的生產(chǎn)可大大縮短工藝時(shí)間，單片熱工序時(shí)間可在一分鐘之內(nèi)完成，采用該工藝在100平方厘米的多晶硅片上作出的電池轉(zhuǎn)換效率超過(guò)14％。據(jù)報(bào)道，目前在50～60微米多晶硅襯底上制作的電池效率超過(guò)16％。利用機(jī)械刻槽、絲網(wǎng)印刷技術(shù)在100平方厘米多晶上效率超過(guò)17％，無(wú)機(jī)械刻槽在同樣面積上效率達(dá)到16％，采用埋柵結(jié)構(gòu)，機(jī)械刻槽在130平方厘米的多晶上電池效率達(dá)到15.8％。

非晶硅太陽(yáng)能電池(薄膜式太陽(yáng)電池)

非晶硅太陽(yáng)能電池（薄膜式太陽(yáng)電池）

非晶硅太陽(yáng)電池是1976年出現(xiàn)的新型薄膜式太陽(yáng)電池，它與單晶硅和多晶硅太陽(yáng)電池的制作方法完全不同，工藝過(guò)程大大簡(jiǎn)化，硅材料消耗很少，電耗更低，它的主要優(yōu)點(diǎn)是在弱光條件也能發(fā)電。但非晶硅太陽(yáng)電池存在的主要問(wèn)題是光電轉(zhuǎn)換效率偏低，目前水平為10％左右，且不夠穩(wěn)定，隨著時(shí)間的延長(zhǎng)，其轉(zhuǎn)換效率衰減。