強(qiáng)元芯電子（廣東）有限公司主營：整流橋,橋堆,肖特基二極管,超快恢復(fù)二極管
RBV5010扁體整流橋-ASEMI品牌DGL50-2B

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RBV5010來自我們的臺(tái)灣ASEMI品牌,電性參數(shù)為50A 1000V ,封裝為RBV-4插件封裝扁橋系列。內(nèi)部有4顆190MIL的大芯片，它的芯片是采用臺(tái)灣原裝進(jìn)口GPP波峰加大芯片，芯片的焊接與框架組裝都是采用先進(jìn)的工藝，黑膠部分一步注塑成型，再到后面的生產(chǎn)，生產(chǎn)設(shè)備都是采用冠魁一體化設(shè)備，它的打標(biāo)也是應(yīng)用先進(jìn)的激光打標(biāo)，以保證產(chǎn)品印字的清晰度和防止造假。

RBV5010由世界先進(jìn)技術(shù)GPP鍍金工藝芯片制造而成，穩(wěn)定性與可靠性十分保障產(chǎn)品的內(nèi)部框架與鍍錫引腳都是采用高純度99.99%無氧銅材料，環(huán)保進(jìn)口的環(huán)氧樹脂黑膠的絕緣性是所有封膠材料好的,可防止高壓沖擊保障電路安全。一切都只是為了保障ASEMI整流橋的馨石品質(zhì)。

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SSR1013L 同步整流電路主要分為控制 IC 和功率 MOSFET 兩部分?？刂?IC 在合適的反向工作電壓范圍內(nèi)通過電源產(chǎn)生電路對(duì)儲(chǔ)能電容充電，電容儲(chǔ)存的電量作為控制 IC 電源。當(dāng)控制 IC 通過比較器檢測到 A-K 電壓大于 V on_ak 時(shí)，控制 IC 驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 導(dǎo)通，導(dǎo)通后 A-K 壓差降低，當(dāng)檢測到 A-K 壓差接近 0mV 時(shí)，控制芯片關(guān)閉功率 MOSFET ，典型工作波形如圖 4 所示。

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SSR1013L在同步整流二極管工作在 A-K 反向壓降時(shí)，通過電源產(chǎn)生電路對(duì)儲(chǔ)能電容充電，電荷存儲(chǔ)在電容中，產(chǎn)生電壓 VCC ，工作 A-K 壓降正向時(shí) VCC 為控制 IC 其他單元電路供電。A-K 壓降反向時(shí)， VCC 電壓低于 8.5V ，由 K 向 VCC 充電，高于 10V 時(shí)禁止充電，故 VCC一直穩(wěn)定在 8.5V~10V 之間。為保證電源產(chǎn)生電路可靠工作， A-K 反向壓降應(yīng)大于 15V 。