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RBV5010扁體整流橋-ASEMI品牌D50XB160

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RBV5010來自我們的臺灣ASEMI品牌,電性參數(shù)為50A 1000V ,封裝為RBV-4插件封裝扁橋系列。內(nèi)部有4顆190MIL的大芯片，它的芯片是采用臺灣原裝進口GPP波峰加大芯片，芯片的焊接與框架組裝都是采用先進的工藝，黑膠部分一步注塑成型，再到后面的生產(chǎn)，生產(chǎn)設(shè)備都是采用冠魁一體化設(shè)備，它的打標也是應用先進的激光打標，以保證產(chǎn)品印字的清晰度和防止造假。

RBV5010由世界先進技術(shù)GPP鍍金工藝芯片制造而成，穩(wěn)定性與可靠性十分保障產(chǎn)品的內(nèi)部框架與鍍錫引腳都是采用高純度99.99%無氧銅材料，環(huán)保進口的環(huán)氧樹脂黑膠的絕緣性是所有封膠材料好的,可防止高壓沖擊保障電路安全。一切都只是為了保障ASEMI整流橋的馨石品質(zhì)。

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SSR1013L芯片內(nèi)置高壓自供電單元電路，配合高度集成的芯片方案，使得芯片外圍電路極其簡單無需外部任何器件，能直接在系統(tǒng)中替換肖特基二極管進行使用。

特點

? 直接替代肖特基二極管，無外部器件

? 自供電，無需外部供電

? 靜態(tài)工作電流低至 300μA

? 工作頻率高達 200kHz

? 支持 CCM//DCM//QRM 模式

? 支持 High Side/Low Side 整流

? 集成 MOSFET RDS ON 低至 11mΩ

? 比肖特基整流效率提高 3%~5%

應用范圍

? 5V~20V 快速充電器

? 適配器

? 其他反激式開關(guān)電源

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SSR1013L控制邏輯

當檢測到 A-K 正向壓降大于 V on_ak 時，控制功率 MOS 導通，導通時間 1us 。導通后 A-K之間壓差降低，當檢測到 A-K 壓差達到 V off-ak 時，控制功率 MOSFET 關(guān)閉。

SSR1013L電壓采集電路

通過獨有的電壓采樣方式將 A-K 壓降無誤的采集到比較器的比較端，以供比較器產(chǎn)生準確控制邏輯，以達到精準控制功率 MOSFET 的目的。

SSR1013L開啟時間

當檢測到功率 MOSFET 開通時，開通時間 1us ，以提高電路的抗干擾能力，保證MOSFET 不會出現(xiàn)誤關(guān)斷現(xiàn)象。