強(qiáng)元芯電子（廣東）有限公司主營：整流橋,橋堆,肖特基二極管,超快恢復(fù)二極管
臺灣ASEMI品牌GBPC5010

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臺灣ASEMI品牌GBPC5010采用的GPP鈍化工藝鍍金大芯片，GPP鈍化工藝又稱之為玻璃鈍化工藝，是在芯片的表面裹附一層玻璃保護(hù)，使得能更加好的避免芯片氧化提高芯片穩(wěn)定性，更突出的是可以降低芯片的厚度，與傳統(tǒng)酸洗芯片裹附厚厚的白膠形成鮮明對比。所以采用了更薄的GPP芯片能使GBPC5010擁有更薄的體積。

ASEMI整流橋GBPC2510

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臺灣原裝“ASEMI”詮釋實(shí)力     整流橋GBPC3510作為一種功率元器件，廣泛應(yīng)用于多種電子設(shè)備，主應(yīng)用于LED電源充電器等相關(guān)電器電源板。它的電流為25A，電壓為1000V；工作溫度：--55~+150℃。強(qiáng)元芯電子的整流橋GBPC2510是臺灣原裝“ASEMI”品牌，采用臺灣進(jìn)口GPP大芯片制造，從而提供了其在機(jī)器上的穩(wěn)定性和可靠性。封裝黑膠部分采用進(jìn)口PC材料一次性澆鑄成型，型號印字采用激光打標(biāo)，不褪色等特點(diǎn)。

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SSR1013L控制邏輯

當(dāng)檢測到 A-K 正向壓降大于 V on_ak 時(shí)，控制功率 MOS 導(dǎo)通，導(dǎo)通時(shí)間 1us 。導(dǎo)通后 A-K之間壓差降低，當(dāng)檢測到 A-K 壓差達(dá)到 V off-ak 時(shí)，控制功率 MOSFET 關(guān)閉。

SSR1013L電壓采集電路

通過獨(dú)有的電壓采樣方式將 A-K 壓降無誤的采集到比較器的比較端，以供比較器產(chǎn)生準(zhǔn)確控制邏輯，以達(dá)到精準(zhǔn)控制功率 MOSFET 的目的。

SSR1013L開啟時(shí)間

當(dāng)檢測到功率 MOSFET 開通時(shí)，開通時(shí)間 1us ，以提高電路的抗干擾能力，保證MOSFET 不會出現(xiàn)誤關(guān)斷現(xiàn)象。