鑫悅源提供系列儲(chǔ)能轉(zhuǎn)換器可以兼容普通單相的光伏并網(wǎng)逆變器，通過(guò)加入BP儲(chǔ)能系統(tǒng)可以對(duì)普通的光伏電站進(jìn)行升級(jí)改造成光伏儲(chǔ)能系統(tǒng)。白天光伏組件所發(fā)的電力優(yōu)先提供給本地負(fù)載使用，多余能量通過(guò)BP儲(chǔ)能轉(zhuǎn)換器給電池充電，晚上電池通過(guò)BP儲(chǔ)能轉(zhuǎn)換器放電，再經(jīng)光伏并網(wǎng)逆變器逆變提供給本地負(fù)載使用，光伏儲(chǔ)能系統(tǒng)大大提高了自發(fā)自用率。

       在光伏逆變器中運(yùn)用新型SiCBJT可實(shí)現(xiàn)更低的系統(tǒng)成本。

最近，碳化硅(SiC)的使用為BJT賦予了新的生命，生產(chǎn)出一款可實(shí)現(xiàn)更高功率密度、更低系統(tǒng)成本且設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)易的器件。SiCBJT運(yùn)用在光伏電源轉(zhuǎn)換器中時(shí)，可實(shí)現(xiàn)良好效率，并且(也許更重要的是)能夠使用更小、更便宜的元件，從而在系統(tǒng)級(jí)別上顯著降低成本。

在過(guò)去30多年中，諸如MOSFET和IGBT之類的CMOS替代產(chǎn)品在大多數(shù)電源設(shè)計(jì)中逐漸取代基于硅的BJT，但是今天，基于碳化硅的新技術(shù)為BJT賦予了新的意義，特別是在高壓應(yīng)用中。

碳化硅布局以同等或更低的損耗實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率，并且在相同形狀因數(shù)的情況下可產(chǎn)生更高的輸出功率。運(yùn)用了SiCBJT的設(shè)計(jì)也將使用一個(gè)更小的電感，并且使成本顯著降低。雖然運(yùn)用碳化硅工藝生產(chǎn)的BJT相較于僅基于硅的BJT會(huì)更昂貴，但是使用SiC技術(shù)的優(yōu)勢(shì)在于可在其它方面節(jié)省設(shè)計(jì)成本，從而實(shí)現(xiàn)更低的整體成本。本文介紹的升壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)用于光伏轉(zhuǎn)換階段，其充分利用SiCBJT的優(yōu)勢(shì)，在顯著降低系統(tǒng)成本的同時(shí)可實(shí)現(xiàn)良好的效率。

碳化硅的優(yōu)勢(shì)

基于硅的BJT在高壓應(yīng)用中失寵有幾方面原因。首先，SiBJT中的低電流增益會(huì)形成高驅(qū)動(dòng)損耗，并且隨著額定電流的增加，損耗變得更糟。雙極運(yùn)行也會(huì)導(dǎo)致更高的開關(guān)損耗，并且在器件內(nèi)產(chǎn)生高動(dòng)態(tài)電阻?？煽啃砸彩且粋€(gè)問(wèn)題。在正向偏壓模式下運(yùn)行器件，可能會(huì)在器件中形成具有高電流集中的局部過(guò)溫，這可能導(dǎo)致器件發(fā)生故障。此外，電感負(fù)載切換過(guò)程中出現(xiàn)的電壓和電流應(yīng)力，可能會(huì)導(dǎo)致電場(chǎng)應(yīng)力超出漂移區(qū)，從而導(dǎo)致反向偏壓擊穿。這會(huì)嚴(yán)格限制反向安全工作區(qū)(RSOA)，意味著基于硅的BJT將不具有短路能力。