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IGBT的驅(qū)動電路特點(diǎn)（一）

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

輸出特性與轉(zhuǎn)移特性：

IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關(guān)系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分。IGBT作為開關(guān)器件穩(wěn)態(tài)時主要工作在飽和導(dǎo)通區(qū)。IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同，當(dāng)柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導(dǎo)通后的大部分集電極電流范圍內(nèi)，IC與VGE呈線性關(guān)系。

IGBT與MOSFET的對比：

MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

主要優(yōu)點(diǎn)：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

缺點(diǎn)：擊穿電壓低，工作電流小。

顯示信息驅(qū)動ic是顯示器顯像系統(tǒng)軟件的關(guān)鍵一部分，是集成了電阻器，控制器，電壓比較器和輸出功率三極管等構(gòu)件的，包含LCD控制模塊和顯示信息分系統(tǒng)，承擔(dān)驅(qū)動器顯示屏和操縱工作電壓等作用，分成靜態(tài)數(shù)據(jù)驅(qū)動器和動態(tài)性驅(qū)動器二種方式。

顯示信息驅(qū)動ic可以驅(qū)動器各種各樣高中低檔特性，單、雙及精彩的顯示器。普遍的運(yùn)用于電信網(wǎng)、郵政快遞、金融業(yè)、交通出行、運(yùn)動場館等每個制造行業(yè)和政府部門部門。

液晶顯示屏驅(qū)動ic中什么叫偏置？

偏置(Bias)：這一較為非常容易了解，便是液晶顯示屏的扭曲工作電壓，也就是SEG和COM中間的工作電壓，事實(shí)上它是一個模擬型號規(guī)格的驅(qū)動器波型，將會你見到的SEG和COM不一樣彎彎的扭一扭的，可是記牢液晶顯示屏驅(qū)動器與波型不相關(guān)，它只與2個波型累加以后的凈工作電壓差相關(guān)，而偏置便是各檔模擬工作電壓中至少檔相對性于輸出的工作電壓重要的占比。