Plasma2000型電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀是鋼研納克“國家重大科學儀器設備開發(fā)專項”成果。采用中階梯光柵光學結構和科研級CCD檢測器實現全譜采集。儀器穩(wěn)定性好、檢測限低、快速分析、運行成本低。
鋼研納克Plasma2000 全譜電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀可用于地質、冶金、稀土及磁材料、環(huán)境、醫(yī)藥衛(wèi)生、生物、海洋、石油、化工新型材料、核工業(yè)、農業(yè)、食品商檢、水質等各領域及學科的樣品分析?？梢钥焖?、準確地檢測從微量到常量約70種元素。

Plasma 3000型和Plasma 2000型電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀測定工業(yè)硅中雜質元素含量
關鍵詞
Plasma 3000，Plasma 2000，工業(yè)硅，耐氫氟酸進樣系統(tǒng)
國家產品標準GB/T2881-2014《工業(yè)硅》中規(guī)定，檢測工業(yè)硅中雜質元素采用電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀測定。本實驗參照標準GB/T14849.4-2014《工業(yè)硅化學分析方法第四部分：雜質元素含量測定 電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法》測定工業(yè)硅中鋁、鉻、鈣、硼、銅、鐵、鎂、鎳、錳、磷、鈉、鈦的元素含量。對工業(yè)硅樣品進行對比測試，檢測結果與客戶化學法基本一致。
儀器特點
Plasma 3000型和Plasma 2000型電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀（鋼研納克檢測技術股份有限公司）是使用方便、操作簡單、測試快速的全譜ICP-OES分析儀，具有良好的分析精度和穩(wěn)定性。
Plasma3000
? 高效固態(tài)射頻發(fā)生器，超高穩(wěn)定光源；
? 大面積背照式CCD芯片，寬動態(tài)范圍；
? 中階梯光柵與棱鏡交叉色散結構，體積小巧；
? 多元素同時分析，全譜瞬態(tài)直讀。
? 多種進樣系統(tǒng)，可選擇性好；
? 垂直炬管，雙向觀測，檢出限更加理想；
Plasma2000
? 高效固態(tài)射頻發(fā)生器，超高穩(wěn)定光源；
? 大面積背照式CCD芯片，寬動態(tài)范圍；
? 中階梯光柵與棱鏡交叉色散結構，體積小巧；
? 多元素同時分析，全譜瞬態(tài)直讀；
? 多種進樣系統(tǒng)，可選擇性好；
? 垂直炬管水平觀測，耐鹽性更佳。
樣品前處理
1. Al、Ca、Cr、Cu、Fe、Mg、Ni、Mn、P、Na、Ti含量測定：
? 稱取1g樣品，放置于250mL聚四氟乙烯燒杯，用少許水清洗杯壁并潤濕樣品；
? 分次加入15mL～20mL氫氟酸，待反應停止后加滴加硝酸至樣品完全溶解，然后加入3mL高氯酸，加熱冒高氯酸煙，待高氯酸白煙冒盡，取下冷卻。
? 加入5mL鹽酸和1mL硝酸，用少許水洗杯壁，加熱使殘渣完全溶解，冷卻至室溫，轉移至50mL塑料容量瓶中，用水稀釋至刻度，搖勻；
? 隨同做空白實驗。
2. B含量測定
? 稱取1g樣品，放置于250mL聚四氟乙烯燒杯，用少許水清洗杯壁并潤濕樣品；
? 分次加入15mL～20mL氫氟酸，待反應停止后，滴加硝酸至樣品完全溶解，過量1mL，待反應停止后，加熱至近干（控制溫度低于140℃），取下冷卻；
? 加入5mL鹽酸和1mL硝酸低溫溶解殘渣（溫度低于80℃），待樣品完全溶解后，冷卻至室溫，轉移至50mL塑料容量瓶中，用水稀釋至刻度，搖勻。
? 隨同做空白實驗。
注：
1) 工業(yè)硅中有些元素含量超低，使用試劑和水需要高純，器皿清潔；
2) 標準溶液配置時注意介質干擾，建議P、Na、B單獨配置；
3) 測量時，采用耐氫氟酸進樣系統(tǒng)；
4) 樣品溶解時，氫氟酸用量較大，注意器皿采用聚四氟乙烯和塑料；
標準曲線配置
標準溶液配置時，可以先配置100μg/mL混合標準溶液，配置時按下表1加入體積數配置曲線。
表1 標準曲線配置
注：
1) 標準溶液配置時注意介質干擾，建議P、Na、B單獨配置，濃度梯度同上表；
2) 配置曲線時，酸度和樣品保持一致；
元素分析譜線
實驗考慮各待測元素譜線之間的干擾及基體干擾，并選擇合適的扣背景位置，經實驗，本文選擇分析譜線如下表2所示。
表2 各元素分析譜線及線性系數
測試結果
1. 標準樣品測試結果、精密度與回收率
按照方法，測試了標準樣品金屬硅FjyJ0401，同時加入100微克做回收率實驗，實驗結果如表3所示?；厥章试?8.75%～106.93%，結果令人滿意。
表3 實驗結果、精密度和回收率(n=11)
2. 樣品比對實驗
采用Plasma2000型和Plasma3000型儀器測量客戶考察樣品，與客戶化學法比對，結果如表4所示。通過比對，儀器測定值與化學法基本一致。
表4 結果比對
注：“-” 客戶未提供化學法檢測數據
結論
使用Plasma3000和Plasma2000能夠很好的解決工業(yè)硅中雜質元素分析問題，完全滿足國家標準GB/T2881-2014《工業(yè)硅》和GB/T14849.4-2014《工業(yè)硅化學分析方法第四部分：雜質元素含量測定 電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法》要求。

ICP光譜儀安裝要注意哪些細節(jié)方面
只有正確的安裝ICP光譜儀設備才能使設備的使用壽命加長，那我們在安裝ICP光譜儀時要注意什么呢?今天為大家簡單的介紹一下。
1、要有良好的用電環(huán)境，ICP在點火的瞬間，功率還是很大的，所以電源要不低于10千瓦，實驗室要單獨供電，特別是企業(yè)，不要和其它大功率的生產設備共用電源，因為其它大功率設備啟動時會對儀器測試造成比較大的影響，甚至損壞儀器。電壓要相對穩(wěn)定，頻率也要穩(wěn)定，可以用示波器去監(jiān)測，要有良好的正弦波形，不能有脈沖或方波。好要有穩(wěn)壓電源，向廠家咨訊購買何種型號的穩(wěn)壓電源。不是每一種穩(wěn)壓電源都是可以使用的。我也曾遇到過電的問題，企業(yè)有可控硅生產線，結果整個電網頻率不穩(wěn)，儀器怎么調也不穩(wěn)，后來單獨拉了一條線，一切搞定。
2、ICP光譜儀在使用中要有良好的通風，所以至少要在實驗室留下安裝通風的位置。也不要在沒有廠家安裝圖紙的情況下安裝好通風，到時候儀器來了有可能位置高度均不合適，哪樣就得重新安裝通風。如果想提前安裝，可以詢問廠家，一般廠家都會提供一個詳細的安裝圖紙，可以按圖紙安裝。
3、一般的ICP光譜儀是需要地線的，可能有的廠家對地線還有一定的要求，這時候就要詢問廠家，是否需要單獨的地線。

鋼研納克：固態(tài)光源ICP，引領國產單道掃描ICP進入固態(tài)光源時代
穩(wěn)健高效的全固態(tài)光源ICP光譜儀 鋼研納克 Plasma 1500
全固態(tài)射頻發(fā)生器，體積小、效率高，全自動負載匹配，速度快、精度高，全固態(tài)光源ICP光譜儀能適應各種復雜基體樣品及揮發(fā)性有機溶劑的測試，具有優(yōu)異的長期穩(wěn)定性。
垂直炬管的設計，具有更好的樣品耐受性，減少了清潔需求，降低了備用炬管的消耗。
簡潔的炬管安裝定位設計，快速定位，精確的位置重現。
具有低功率待機模式，待機時降低輸出功率，減小氣體流量，僅維持等離子體運行，節(jié)約使用成本。
實時監(jiān)控儀器運行參數，高性能以太網及CAN工業(yè)現場總線，保障通訊高效可靠。