強(qiáng)元芯電子（廣東）有限公司主營(yíng)：整流橋,橋堆,肖特基二極管,超快恢復(fù)二極管
PL3394A

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應(yīng)用說(shuō)明：PL3394A 為小功率的適配器/充電器應(yīng)用提供了有效的低成本解決方案，同時(shí)也能滿足國(guó)際能源標(biāo)準(zhǔn)要求。

啟動(dòng)電流和工作電流

芯片的啟動(dòng)電流典型值僅 5uA，可減小啟動(dòng)電路損耗；正常工作模式下典型工作電流也僅 1.2mA，可以提高系統(tǒng)的效率；在綠色工作模式下，芯片典型工作電流僅 0.6mA，因此在輕載下可達(dá)到較高的效率。

軟啟動(dòng)

PL3394A 內(nèi)部集成軟啟動(dòng)電路，典型啟動(dòng)時(shí)間為4ms。系統(tǒng)上電后，當(dāng) VDD 達(dá)到 VDD_ON，芯片開始工作，CS 端峰值電壓會(huì)逐步增加，從而緩解外部元件在芯片啟動(dòng)過(guò)程中的電壓應(yīng)力。芯片每次重啟都伴隨軟啟動(dòng)。

PL3331

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PL3331 內(nèi)部集成 VDD 檢測(cè)電路，系統(tǒng)上電完成前，功率管一直處于斷開狀態(tài)，副邊電流流過(guò)功率 MOS的體二極管，直到 VDD 端電壓超過(guò)芯片的啟動(dòng)閾值電壓時(shí)，芯片開始正常工作。

PL3331 當(dāng) VDD 電壓低于芯片的欠壓閾值電壓時(shí)，芯片進(jìn)入欠壓保護(hù)模式，功率管不會(huì)開啟。為了防止 VDD上升過(guò)程中抖動(dòng)對(duì)芯片的影響，內(nèi)部設(shè)置了閾值遲滯。芯片的上升閾值和下降閾值典型值為 3.1V 和2.8V。

PL3369

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PL3369B 同時(shí)具有多種保護(hù)功能：逐周期峰值電流檢測(cè)、VDD 欠壓/過(guò)壓保護(hù)、輸出過(guò)壓保護(hù)、輸出短路保護(hù)和過(guò)溫保護(hù)。

PL3369B具有多種保護(hù)功能以應(yīng)對(duì)系統(tǒng)的各種異常狀態(tài)。主要包括：逐周期限流保護(hù)、VDD欠壓/過(guò)壓保護(hù)、輸出短路/過(guò)壓保護(hù)和過(guò)溫保護(hù)等。系統(tǒng)發(fā)生異常時(shí)，芯片將被保護(hù)，直到系統(tǒng)恢復(fù)正常狀態(tài)。

PL3369B提供SOP7封裝。