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這三者看上去都是場效應(yīng)管，其實金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管、V型槽溝道場效應(yīng)管是單極（Unipolar）結(jié)構(gòu)的，是和雙極（Bipolar）是對應(yīng)的，所以也可以統(tǒng)稱為單極晶體管（UnipolarJunctionTransistor）其中J型場效應(yīng)管是非絕緣型場效應(yīng)管，MOSFET和VMOS都是絕緣型的場效應(yīng)管VMOS是在MOS的基礎(chǔ)上改進的一種大電流，高放大倍數(shù)（跨道）新型功率晶體管，區(qū)別就是使用了V型槽，使MOS管的放大系數(shù)和工作電流大幅提升，但是同時也大幅增加了MOS的輸入電容，是MOS管的一種大功率改進型產(chǎn)品，但是結(jié)構(gòu)上已經(jīng)與傳統(tǒng)的MOS發(fā)生了巨大的差異。VMOS只有增強型的而沒有MOS所特有的耗盡型的MOS管




更小的幾何形狀工藝可以在終產(chǎn)品中高度集成更多的高耗電功能。例如，現(xiàn)代計算機服務(wù)器和光通信路由系統(tǒng)需要更寬的帶寬來處理更多的計算數(shù)據(jù)和互聯(lián)網(wǎng)流量，這些系統(tǒng)還會產(chǎn)生大量的熱量，因此需要的IC。汽車配備更多的車載電子設(shè)備，用于娛樂、導航、自動駕駛功能甚至發(fā)動機控制。于是，系統(tǒng)的電流消耗和相應(yīng)的總功耗都會增加。因此，需要先進的封裝和內(nèi)部電源級的創(chuàng)新設(shè)計將熱量驅(qū)散出電源IC，同時提供更高的功率。高電源抑制比(PSRR)和低輸出電壓噪聲(或紋波)是重要的考慮因素。具有高電源抑制比的器件可以濾除和抑制輸入噪聲，從而獲得干凈穩(wěn)定的輸出。




使用東科18W高集成PD快充參考設(shè)計給三星S10+充電，顯示電壓9.09V，電流1.62A，充電功率約為14.76W，開啟USBPD快充。使用東科18W高集成PD快充參考設(shè)計給小米9充電，顯示電壓9.08V，電流1.76A，充電功率約為16.02W，開啟USBPD快充。使用東科18W高集成PD快充參考設(shè)計給華為P30Pro充電，顯示電壓9.1V，電流1.3A，充電功率約為11.83W，開啟USBPD快充。此外，東科18W高集成1A1C快充參考設(shè)計同樣具有小尺寸的特點，大小與蘋果18W快充相當，并且PCB板余量充足，客戶在設(shè)計時可以進一步壓縮PCB板尺寸。這套18W1A1C快充參考設(shè)計背面電路設(shè)計精簡，這也得益于DK218M以及DK5V85R15C的采用，初級和次級各用一顆即可實現(xiàn)AC-DC功能。