深圳市騰華泰電子有限公司主營(yíng)：DK112，DK1203，DK124




這三者看上去都是場(chǎng)效應(yīng)管，其實(shí)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管、V型槽溝道場(chǎng)效應(yīng)管是單極（Unipolar）結(jié)構(gòu)的，是和雙極（Bipolar）是對(duì)應(yīng)的，所以也可以統(tǒng)稱(chēng)為單極晶體管（UnipolarJunctionTransistor）其中J型場(chǎng)效應(yīng)管是非絕緣型場(chǎng)效應(yīng)管，MOSFET和VMOS都是絕緣型的場(chǎng)效應(yīng)管VMOS是在MOS的基礎(chǔ)上改進(jìn)的一種大電流，高放大倍數(shù)（跨道）新型功率晶體管，區(qū)別就是使用了V型槽，使MOS管的放大系數(shù)和工作電流大幅提升，但是同時(shí)也大幅增加了MOS的輸入電容，是MOS管的一種大功率改進(jìn)型產(chǎn)品，但是結(jié)構(gòu)上已經(jīng)與傳統(tǒng)的MOS發(fā)生了巨大的差異。VMOS只有增強(qiáng)型的而沒(méi)有MOS所特有的耗盡型的MOS管




更小的幾何形狀工藝可以在終產(chǎn)品中高度集成更多的高耗電功能。例如，現(xiàn)代計(jì)算機(jī)服務(wù)器和光通信路由系統(tǒng)需要更寬的帶寬來(lái)處理更多的計(jì)算數(shù)據(jù)和互聯(lián)網(wǎng)流量，這些系統(tǒng)還會(huì)產(chǎn)生大量的熱量，因此需要的IC。汽車(chē)配備更多的車(chē)載電子設(shè)備，用于娛樂(lè)、導(dǎo)航、自動(dòng)駕駛功能甚至發(fā)動(dòng)機(jī)控制。于是，系統(tǒng)的電流消耗和相應(yīng)的總功耗都會(huì)增加。因此，需要先進(jìn)的封裝和內(nèi)部電源級(jí)的創(chuàng)新設(shè)計(jì)將熱量驅(qū)散出電源IC，同時(shí)提供更高的功率。高電源抑制比(PSRR)和低輸出電壓噪聲(或紋波)是重要的考慮因素。具有高電源抑制比的器件可以濾除和抑制輸入噪聲，從而獲得干凈穩(wěn)定的輸出。




使用東科18W高集成PD快充參考設(shè)計(jì)給三星S10+充電，顯示電壓9.09V，電流1.62A，充電功率約為14.76W，開(kāi)啟USBPD快充。使用東科18W高集成PD快充參考設(shè)計(jì)給小米9充電，顯示電壓9.08V，電流1.76A，充電功率約為16.02W，開(kāi)啟USBPD快充。使用東科18W高集成PD快充參考設(shè)計(jì)給華為P30Pro充電，顯示電壓9.1V，電流1.3A，充電功率約為11.83W，開(kāi)啟USBPD快充。此外，東科18W高集成1A1C快充參考設(shè)計(jì)同樣具有小尺寸的特點(diǎn)，大小與蘋(píng)果18W快充相當(dāng)，并且PCB板余量充足，客戶(hù)在設(shè)計(jì)時(shí)可以進(jìn)一步壓縮PCB板尺寸。這套18W1A1C快充參考設(shè)計(jì)背面電路設(shè)計(jì)精簡(jiǎn)，這也得益于DK218M以及DK5V85R15C的采用，初級(jí)和次級(jí)各用一顆即可實(shí)現(xiàn)AC-DC功能。