晶閘管的種類？
1， 可關(guān)斷型晶閘管 KG
普通型晶閘管，在控制極G加上正向觸發(fā)信號(hào)普通型晶閘管導(dǎo)通后，控制極G就失去作用，要使普通型晶閘管關(guān)斷，必須陽(yáng)極A與陰極K的正向電壓為零或加上負(fù)電壓。而可關(guān)斷型晶閘管只要在控制極G加上足夠大且較寬的負(fù)向觸發(fā)電流，就可以使晶閘管有效關(guān)斷。
用途：一般使用在斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源及直流控制電路中，如直流負(fù)載（繼電器線圈、電磁閥、電磁離合器、直流電機(jī)）的電源通斷、汽車點(diǎn)火器等。
2， 雙向晶閘管 KS
普通型晶閘管，如果在陽(yáng)極A與陰極K的加上負(fù)向電壓，即使在控制極G加上正向觸發(fā)信號(hào)，普通型晶閘管也不會(huì)導(dǎo)通。而雙向晶閘管卻能夠?qū)?。要使雙向晶閘管關(guān)斷，必須陽(yáng)極A與陰極K的之間的電壓為零。
用途：一般使用在交/直流控制電路中，如調(diào)壓器；逆變器；交/直流負(fù)載開(kāi)關(guān)等。
3， 逆導(dǎo)晶閘管KN（亦稱反向?qū)ňчl管）
在某些應(yīng)用場(chǎng)合（如逆變器、斬波器等）要求晶閘管陽(yáng)極A與陰極K端并接反向二極管，而逆導(dǎo)晶閘管正是基于這個(gè)要求，在一個(gè)硅片材料上，將晶閘管與反向二極管集成在了一起。因而逆導(dǎo)晶閘管具有正向?qū)煽?、反向自然?dǎo)通且可通過(guò)大電流的不可控；具有耐高壓、耐高溫；關(guān)斷時(shí)間短、通態(tài)電壓低等優(yōu)良性能等特點(diǎn)。
用途：一般用于開(kāi)關(guān)電源；UPS不間斷電源；高壓、大功率負(fù)載上。如軌道交通的電源。
4， 快速晶閘管KK
由于在某些應(yīng)用領(lǐng)域，要求晶閘管能夠快速響應(yīng)及通斷功能，而快速晶閘管是在普通晶閘管制作基礎(chǔ)上，改變了制作工藝，使得晶閘管在開(kāi)通與關(guān)斷時(shí)間上大幅縮短，開(kāi)通時(shí)間為8μs左右；關(guān)斷時(shí)間為50μs左右。主電路換向時(shí)間小于60ms，同時(shí)工作頻率也提升至幾千HZ。
用途：常用于UPS不間斷電源；三相變頻電源；中頻電源；超聲波電源；逆變器、斬波器；快速開(kāi)關(guān)，脈寬調(diào)制器，多諧振蕩器等
5，光控晶閘管
光控晶閘管是既可利用光源激發(fā)導(dǎo)通；也可象普通晶閘管由控制極G觸發(fā)信號(hào)來(lái)導(dǎo)通的晶閘管，在結(jié)構(gòu)上有兩端（無(wú)控制極G）和三端之分。光控制是，其主電路與控制電路在電氣上完全絕緣。

可控硅與晶閘管有什么區(qū)別？
晶閘管(THYRISTOR)又名可控硅，屬于功率器件領(lǐng)域，是一種功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件，可控硅是其簡(jiǎn)稱，按其工作特性，可控硅可分為單向可控硅(SCR)、雙向可控硅(TRIAC)?？煽毓枰卜Q作晶閘管，它是由PNPN四層半導(dǎo)體構(gòu)成的元件，有三個(gè)電極、陽(yáng)極A、陰極K和控制極G。可控硅在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無(wú)觸點(diǎn)控制，以小電流控制大電流，并且不象繼電器那樣控制時(shí)有火花產(chǎn)生，而且動(dòng)作快、壽命長(zhǎng)、可靠性好。在調(diào)速、調(diào)光、調(diào)壓、調(diào)溫以及其他各種控制電路中都有它的身影?？煽毓璺譃閱蜗虻暮碗p向的，符號(hào)也不同。
單向可控硅有三個(gè)PN結(jié)，由外層的P極和N極引出兩個(gè)電極，分別稱為陽(yáng)極和陰極，由中間的P極引出一個(gè)控制極。單向可控硅有其獨(dú)特的特性：當(dāng)陽(yáng)極接反向電壓，或者陽(yáng)極接正向電壓但控制極不加電壓時(shí)，它都不導(dǎo)通，而陽(yáng)極和控制極同時(shí)接正向電壓時(shí)，它就會(huì)變成導(dǎo)通狀態(tài)。一旦導(dǎo)通，控制電壓便失去了對(duì)它的控制作用，不論有沒(méi)有控制電壓，也不論控制電壓的極性如何，將一直處于導(dǎo)通狀態(tài)。要想關(guān)斷，只有把陽(yáng)極電壓降低到某一臨界值或者反向。
雙向可控硅的引腳多數(shù)是按T1、T2、G的順序從左至右排列(電極引腳向下，面對(duì)有字符的一面時(shí))。加在控制極G上的觸發(fā)脈沖的大小或時(shí)間改變時(shí)，就能改變其導(dǎo)通電流的大小。與單向可控硅的區(qū)別是，雙向可控硅G極上觸發(fā)脈沖的極性改變時(shí)，其導(dǎo)通方向就隨著極性的變化而改變，從而能夠控制交流電負(fù)載。而單向可控硅經(jīng)觸發(fā)后只能從陽(yáng)極向陰極單方向?qū)?，所以可控硅有單雙向之分。電子制作中常用可控硅，單向的有MCR-100等，雙向的有TLC336等雙向可控硅按象限來(lái)分，又分為四象三端雙向可控硅、三象限雙向可控硅;按封裝分：分為一般半塑封裝，外絕緣式全塑封裝;按觸發(fā)電流來(lái)分：分為微觸型、高靈敏度型、標(biāo)準(zhǔn)觸發(fā)型;按電壓分：常規(guī)電壓品種、高壓品種?？煽毓璁a(chǎn)品由于它在電路應(yīng)用中的效率高、控制特性好、壽命長(zhǎng)、體積小、功能強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，自上個(gè)世紀(jì)六十長(zhǎng)代以來(lái)，獲得了迅猛發(fā)展，并已形成了一門獨(dú)立的學(xué)科?！熬чl管交流技術(shù)”?？煽毓璋l(fā)展到今天，在工藝上已經(jīng)非常成熟，品質(zhì)更好，成品率大幅提高，并向高壓大電流發(fā)展。
可控硅在應(yīng)用電路中的作用體現(xiàn)在：可控整流：如同二極管整流一樣，將交流整流為直流，并且在交流電壓不變的情況下，有效地控制直流輸出電壓的大小即可控整流，實(shí)現(xiàn)交流→可變直流之轉(zhuǎn)變;無(wú)觸點(diǎn)功率靜態(tài)開(kāi)關(guān)(固態(tài)開(kāi)關(guān))：
作為功率開(kāi)關(guān)元件，可控硅可以代替接觸器、繼電器用于開(kāi)關(guān)頻率很高的場(chǎng)合。因此可控硅元件被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電子產(chǎn)品的電路中，多作可控整流、逆變、變頻、調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)等用途。家用電器中的調(diào)光燈、調(diào)速風(fēng)扇、冷暖空調(diào)器、熱水器、電視、冰箱、洗衣機(jī)、照相機(jī)、音響組合、聲控電路、定時(shí)控制器、感應(yīng)燈、圣誕燈控制器、自動(dòng)門電路、以及玩具裝置、電動(dòng)工具產(chǎn)品、無(wú)線電遙控電路、攝像機(jī)等工業(yè)控制領(lǐng)域等都大量使用了可控硅器件。在這些應(yīng)用電路中，可控硅元件多用來(lái)作可控整流、逆變、變頻、調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)等。

晶閘管的工作條件
由于晶閘管只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài),所以它具有開(kāi)關(guān)特性,這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化：
(1)晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí),無(wú)論門極承受何種電壓,晶閘管都處于關(guān)斷狀態(tài)。
(2)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí),僅在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導(dǎo)通。
(3)晶閘管在導(dǎo)通情況下,只要有一定的正向陽(yáng)極電壓,無(wú)論門極電壓如何,晶閘管保持導(dǎo)通,即晶閘管導(dǎo)通后,門極失去作用。
(4)晶閘管在導(dǎo)通情況下,當(dāng)主回路電壓(或電流)減小到接近于零時(shí),晶閘管關(guān)斷。

晶閘管的伏安特性
晶閘管陽(yáng)極A與陰極K之間的電壓與晶閘管陽(yáng)極電流之間關(guān)系稱為晶閘管伏安特性,如圖2所所示。正向特性位于象限,反向特性位于第三象限。
(1) 反向特性
當(dāng)門極G開(kāi)路,陽(yáng)極加上反向電壓時(shí)(見(jiàn)圖3),J2結(jié)正偏,但J1、J2結(jié)反偏。此時(shí)只能流過(guò)很小的反向飽和電流,當(dāng)電壓進(jìn)一步提高到J1結(jié)的雪崩擊穿電壓后,同時(shí)J3結(jié)也擊穿,電流迅速增加,如圖2的特性曲線OR段開(kāi)始彎曲,彎曲處的電壓URO稱為“反向轉(zhuǎn)折電壓”。此后,晶閘管會(huì)發(fā)生永久性反向擊穿。
(2) 正向特性
當(dāng)門極G開(kāi)路,陽(yáng)極A加上正向電壓時(shí)(見(jiàn)圖4),J1、J3結(jié)正偏,但J2結(jié)反偏,這與普通PN結(jié)的反向特性相似,也只能流過(guò)很小電流,這叫正向阻斷狀態(tài),當(dāng)電壓增加,如圖2的特性曲線OA段開(kāi)始彎曲,彎曲處的電壓UBO稱為“正向轉(zhuǎn)折電壓”。
由于電壓升高到J2結(jié)的雪崩擊穿電壓后,J2結(jié)發(fā)生雪崩倍增效應(yīng),在結(jié)區(qū)產(chǎn)生大量的電子和空穴,電子進(jìn)入N1區(qū),空穴進(jìn)入P2區(qū)。進(jìn)入N1區(qū)的電子與由P1區(qū)通過(guò)J1結(jié)注入N1區(qū)的空穴復(fù)合。同樣,進(jìn)入P2區(qū)的空穴與由N2區(qū)通過(guò)J3結(jié)注入P2區(qū)的電子復(fù)合，雪崩擊穿后，進(jìn)入N1區(qū)的電子與進(jìn)入P2區(qū)的空穴各自不能全部復(fù)合掉。這樣，在N1區(qū)就有電子積累，在P2區(qū)就有空穴積累，結(jié)果使P2區(qū)的電位升高，N1區(qū)的電位下降，J2結(jié)變成正偏，只要電流稍有增加,電壓便迅速下降，出現(xiàn)所謂負(fù)阻特性，見(jiàn)圖2中的虛線AB段。這時(shí)J1、J2、J3三個(gè)結(jié)均處于正偏，晶閘管便進(jìn)入正向?qū)щ姞顟B(tài)——通態(tài),此時(shí)，它的特性與普通的PN結(jié)正向特性相似，如圖2的BC段。
(3) 觸發(fā)導(dǎo)通
在門極G上加入正向電壓時(shí)(如圖5所示),因J3正偏,P2區(qū)的空穴進(jìn)入N2區(qū),N2區(qū)的電子進(jìn)入P2區(qū),形成觸發(fā)電流IGT。在晶閘管的內(nèi)部正反饋?zhàn)饔?如圖2)的基礎(chǔ)上,加上IGT的作用,使晶閘管提前導(dǎo)通,導(dǎo)致圖2中的伏安特性O(shè)A段左移,IGT越大,特性左移越快。