離子束濺射Ta2O5薄膜的研究主要集中在離子束、烘烤溫度和工作氣體流量比等參數(shù)的優(yōu)化以及熱處理對薄膜性能的影響上，并獲得了離子束濺射制備Ta2O5薄膜的折射率、消光系數(shù)、應(yīng)力、化學(xué)計量比、微結(jié)構(gòu)和光學(xué)帶隙等特性。

五氧化二鉭的應(yīng)用相當(dāng)廣泛,涵蓋觸媒、固態(tài)氧化物燃料電池和感測器等.而五氧化二鉭(Ta2O5)薄膜具有高介電常數(shù)(25~35)、高折射率(波長550 nm處為2.01~2.23)和很好的化學(xué)穩(wěn)定性,可以作為動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)、金屬氧化硅晶體管、減反膜、高溫阻抗、氣敏傳感器以及電容器的關(guān)鍵材料等

當(dāng)超大規(guī)模集成電路的特征尺寸縮小至小于65nnm或者更小時,傳統(tǒng)的二氧化硅柵介質(zhì)層的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅層會大幅度增加器件功耗,并且減弱柵極電壓控制溝道的能力。在等效氧化層厚度保持不變的情況下,使用高介電材料替換傳統(tǒng)的柵極介質(zhì),使用加大介質(zhì)層物理厚度的方法,可以明顯減弱直接隧穿效應(yīng),并增加器件的可靠性。所以,找尋高介電的柵介質(zhì)材料就成了當(dāng)務(wù)之急。在高介電柵介質(zhì)材料中,由于五氧化二鉭既具有較高的介電常數(shù)(K-26),又能夠兼容與傳統(tǒng)的硅工藝,被普遍認(rèn)為是在新一代的動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)電容器件材料中相當(dāng)有潛力的替代品

生產(chǎn)晶書鉭的原料。也用于電子工業(yè)。供拉鉭酸鋰單晶和制造高折射低色散特種光學(xué)玻璃用,化工中可作催化劑。