在石英玻璃上通過改變基底溫度生長了系列面心立方結(jié)構(gòu)的δ-TaNx多晶薄膜,X射線衍射及掃描電鏡形貌結(jié)果顯示,薄膜的平均晶粒尺寸隨基底溫度的升高逐漸增大。電輸運(yùn)測量結(jié)果表明,δ-TaNx薄膜在~5 K以下表現(xiàn)出類似超導(dǎo)體-絕緣體顆粒膜的電輸運(yùn)性質(zhì);隨著溫度的升高,薄膜在10-30 K表現(xiàn)出類似金屬-絕緣體顆粒膜的性質(zhì);在70 K以上,熱漲落誘導(dǎo)的遂穿(FIT)導(dǎo)電機(jī)制主導(dǎo)著電阻率的溫度行為。因此,多晶δ-TaNx薄膜的類顆粒膜屬性使其具有較高的電阻率和負(fù)的電阻溫度系數(shù)

通過射頻磁控濺射的方法,采用TaN靶,在石英玻璃基底上成功制備了系列面心立方結(jié)構(gòu)的多晶δ-TaNx薄膜,對薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、微觀形貌、電學(xué)性質(zhì)進(jìn)行了系統(tǒng)研究,分析了濺射條件對薄膜結(jié)構(gòu)和電輸運(yùn)性質(zhì)的影響,并對δ-TaNx薄膜在不同溫區(qū)的導(dǎo)電機(jī)制進(jìn)行了探討

利用磁控反應(yīng)濺射技術(shù)制備氮化鉭薄膜，對磁控反應(yīng)濺射制備氮化鉭薄膜的工藝參數(shù)（包括氮分壓比、加熱溫度、濺射壓力、濺射電流）用正交設(shè)計進(jìn)行優(yōu)化

氮化鉭---暗灰色粉末。六方晶結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)α=0.518nm。密度14.36g/cm3。熔點(diǎn)3090℃，電阻率(180±10) μΩ·cm。顯微硬度(106±75)MPa，超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度1.2K。耐酸性能好，不溶于硝酸、鹽酸和氟氫酸，易被硫酸和硝酸和過氧化氫混合液氧化。易和碳化鉭生成類質(zhì)同晶混合物，和氮化鉿、碳化鉿互溶。在1400℃以上真空中加熱易分解。與氫氧化鉀作用分解放出氨。由五氯化鉭和氨氣反應(yīng)或700～1000℃下使鉭粉和氮?dú)夥磻?yīng)生成。冶金中利用氮化鉭分解制取高純鉭粉。利用其電阻溫度小的特點(diǎn)制造電阻薄膜器件。