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無線傳感節(jié)點(diǎn)電源設(shè)計(jì)

隨著微型設(shè)備,如無線微型傳感器等體積的減小和功能的增多,其能源供應(yīng)問題日顯突出,因而使得使用壽命縮短。提出了一種利用超低輸入電壓充電泵技術(shù),與升壓型DC/DC變換器電路相結(jié)合,將太陽能電池、堿性電池等低壓電源應(yīng)用于無線傳感器節(jié)點(diǎn)的供電的方法。重點(diǎn)討論了開關(guān)器件的驅(qū)動(dòng),升壓電路的啟動(dòng)和大占空比升壓電路的原理,給出了一個(gè)超低電壓電源管理系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案,并給出了5 V/200 mA電源測(cè)試結(jié)果。

深圳瑞泰威科技有限公司是國內(nèi)IC電子元器件的代理銷售企業(yè)，專業(yè)從事各類驅(qū)動(dòng)IC、存儲(chǔ)IC、傳感器IC、觸摸IC銷售，品類齊全，具備上百個(gè)型號(hào)。與國內(nèi)外的東芝、恩智浦、安森美、全宇昕、上海晶準(zhǔn)等均穩(wěn)定合作，保證產(chǎn)品的優(yōu)質(zhì)品質(zhì)和穩(wěn)定供貨。自公司成立以來，飛速發(fā)展，產(chǎn)品已涵蓋了工控類IC、光通信類IC、無線通信IC、消費(fèi)類IC等行業(yè)。

光電傳感IC

光電式傳感器是以光電器件作為轉(zhuǎn)換元件的傳感器。它可用于檢測(cè)直接引起光量變化的非電量，如光強(qiáng)、光照度、輻射測(cè)溫、氣體成分分析等;也可用來檢測(cè)能轉(zhuǎn)換成光量變化的其他非電量，如零件直徑、表面粗糙度、應(yīng)變、位移、振動(dòng)、速度、加速度，以及物體的形狀、工作狀態(tài)的識(shí)別等。光電式傳感器具有非接觸、響應(yīng)快、性能可靠等特點(diǎn)，因此在工業(yè)自動(dòng)化裝置和機(jī)器人中獲得廣泛應(yīng)用。

M8101.是一款專門應(yīng)用于光電感應(yīng)測(cè)控領(lǐng)域，針對(duì)PLC/單片機(jī)。工控設(shè)備等光電應(yīng)用控制芯片。芯片表面封合了高敏光信號(hào)接收管。發(fā)射管通過新品托內(nèi)部調(diào)制，能夠的避免誤動(dòng)作及環(huán)境光干擾。針對(duì)光感元器件長久以來面對(duì)的長距離對(duì)射、漫反射鏡面反射等復(fù)雜的場(chǎng)景，M8101都能做到處理。茂捷半導(dǎo)體工匠精神的支撐下面對(duì)數(shù)百萬次的密集測(cè)試，在長距離對(duì)射、漫反射場(chǎng)景中M8101所表現(xiàn)的精度能超越國際廠商1.54代以上。并且M8101精簡的外圍器件設(shè)計(jì)。在此茂捷半導(dǎo)體沿用的超小封裝QFN4*4的封裝形式。使其能廣泛的應(yīng)用于各類及其苛刻的設(shè)計(jì)環(huán)境。

壓電式壓力傳感器

壓電式壓力傳感器原理基于壓電效應(yīng)。壓電效應(yīng)是某些電介質(zhì)在沿一定方向上受到外力的作用而變形時(shí)，其內(nèi)部會(huì)產(chǎn)生極化現(xiàn)象，同時(shí)在它的兩個(gè)相對(duì)表面上出現(xiàn)正負(fù)相反的電荷。當(dāng)外力去掉后，它又會(huì)恢復(fù)到不帶電的狀態(tài)，這種現(xiàn)象稱為正壓電效應(yīng)。當(dāng)作用力的方向改變時(shí)，電荷的極性也隨之改變。相反，當(dāng)在電介質(zhì)的極化方向上施加電場(chǎng)，這些電介質(zhì)也會(huì)發(fā)生變形，電場(chǎng)去掉后，電介質(zhì)的變形隨之消失，這種現(xiàn)象稱為逆壓電效應(yīng)。

壓電式壓力傳感器的種類和型號(hào)繁多，按彈元件和受力機(jī)構(gòu)的形式可分為膜片式和活塞式兩類。膜片式主要由本體、膜片和壓電元件組成。壓電元件支撐于本體上，由膜片將被測(cè)壓力傳遞給壓電元件，再由壓電元件輸出與被測(cè)壓力成一定關(guān)系的電信號(hào)。這種傳感器的特點(diǎn)是體積小、動(dòng)態(tài)特性好、耐高溫等?，F(xiàn)代測(cè)量技術(shù)對(duì)傳感器的性能出越來越高的要求。

例如用壓力傳感器測(cè)量繪制內(nèi)燃機(jī)示功圖，在測(cè)量中不允許用水冷卻，并要求傳感器能耐高溫和體積小。壓電材料適合于研制這種壓力傳感器。石英是一種非常好的壓電材料，壓電效應(yīng)就是在它上面發(fā)現(xiàn)。比較有效的辦法是選擇適合高溫條件的石英晶體切割方法,例如XYδ（+20°～+30°）割型的石英晶體可耐350℃的高溫。而LiNbO3單晶的居里點(diǎn)高達(dá)1210℃，是制造高溫傳感器的理想壓電材料。