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大尺寸LCD驅(qū)動(dòng)IC的特點(diǎn)

大尺寸LCD驅(qū)動(dòng)IC的特點(diǎn)

，高電7a6431333365643535壓工藝。模擬電路中電壓越高，驅(qū)動(dòng)能力越強(qiáng)，因此大尺寸LCD驅(qū)動(dòng)IC采用高電壓制造工藝，通常Source Driver IC為10~12V， Gate Driver IC更高，達(dá)40V。

第二，運(yùn)行頻率高。液晶顯示器的分辨率越來越高，這就意味著掃描列數(shù)的增加， Gate Driver IC必須不斷提高開關(guān)頻率， Source Driver IC必須不斷提高掃描頻率。

第三，封裝工藝特殊。LCD驅(qū)動(dòng)IC通常綁定在LCD面板上，因此厚度必須盡可能地薄，通常采用高成本的TCP封裝。還有特別追求薄的，采用COG封裝，再有就是目前正在興起的COF封裝。

第四，管腳數(shù)特別多。Gate Driver IC少256腳， Source Driver IC少384腳。

第五，單一型號(hào)出貨量特別大。驅(qū)動(dòng)IC 單月平均出貨量高達(dá)1.5億片，而其中平均每個(gè)型號(hào)的出貨量達(dá)差不多在300萬片左右。LCD 的構(gòu)造是在兩片平行的玻璃當(dāng)中放置液態(tài)的晶體，兩片玻璃中間有許多垂直和水平的細(xì)小電線，透過通電與否來控制桿狀水晶分子改變方向，將光線折射出來產(chǎn)生畫面。

IGBT的驅(qū)動(dòng)電路特點(diǎn)（一）

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

輸出特性與轉(zhuǎn)移特性：

IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時(shí)，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關(guān)系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分。IGBT作為開關(guān)器件穩(wěn)態(tài)時(shí)主要工作在飽和導(dǎo)通區(qū)。IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同，當(dāng)柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時(shí)，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導(dǎo)通后的大部分集電極電流范圍內(nèi)，IC與VGE呈線性關(guān)系。

IGBT與MOSFET的對(duì)比：

MOSFET全稱功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

主要優(yōu)點(diǎn)：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

缺點(diǎn)：擊穿電壓低，工作電流小。

Ied用的驅(qū)動(dòng)電源
LED的供電電源是百直流，為安全可靠和提往往采用恒流供電方式，這個(gè)有專門的集成電路，價(jià)格也很便宜。度你說的和普通變壓器的區(qū)別不是沒有，但不在抗浪涌方面，而是體積小重量輕價(jià)格低。普通變壓器輸出電壓合適完全專可以給LED供電，反倒不容易壞。當(dāng)然你得經(jīng)過整流、穩(wěn)壓、恒流控制（或者加串聯(lián)屬電阻）。

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