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大尺寸LCD驅動IC的特點

大尺寸LCD驅動IC的特點

，高電7a6431333365643535壓工藝。模擬電路中電壓越高，驅動能力越強，因此大尺寸LCD驅動IC采用高電壓制造工藝，通常Source Driver IC為10~12V， Gate Driver IC更高，達40V。

第二，運行頻率高。液晶顯示器的分辨率越來越高，這就意味著掃描列數(shù)的增加， Gate Driver IC必須不斷提高開關頻率， Source Driver IC必須不斷提高掃描頻率。

第三，封裝工藝特殊。LCD驅動IC通常綁定在LCD面板上，因此厚度必須盡可能地薄，通常采用高成本的TCP封裝。還有特別追求薄的，采用COG封裝，再有就是目前正在興起的COF封裝。

第四，管腳數(shù)特別多。Gate Driver IC少256腳， Source Driver IC少384腳。

第五，單一型號出貨量特別大。驅動IC 單月平均出貨量高達1.5億片，而其中平均每個型號的出貨量達差不多在300萬片左右。LCD 的構造是在兩片平行的玻璃當中放置液態(tài)的晶體，兩片玻璃中間有許多垂直和水平的細小電線，透過通電與否來控制桿狀水晶分子改變方向，將光線折射出來產(chǎn)生畫面。

?為什么需要MOSFET驅動器？

要驅動大容量MOSFET需要提供短時瞬間大電流，并在溝道開通后維持合適的柵源電壓(10～15V)，如果用普通控制芯片或單片機直接驅動，輸出電流不夠，輸出電壓也沒有這么高，所以需要驅動器抄。有些控制芯片如UCC28C43自身集成了驅動器，可以直接驅動小容量MOSFET。

MOSFET不需要電流zhidao，是因為溝道開通后，不需要像BJT那樣必須維持一個基極電流Ib，但在溝道從關閉到到開通前，必須用瞬態(tài)大電流給MOSFET柵極電容充電。

深圳市瑞泰威科技有限公司是國內(nèi)IC電子元器件的代理銷售企業(yè)，專業(yè)從事各類驅動IC、存儲IC、傳感器IC、觸摸IC銷售，品類齊全，具備上百個型號。與國內(nèi)外的東芝、恩智浦、安森美、全宇昕、上海晶準等均穩(wěn)定合作，保證產(chǎn)品的優(yōu)質(zhì)品質(zhì)和穩(wěn)定供貨。自公司成立以來，飛速發(fā)展，產(chǎn)品已涵蓋了工控類IC、光通信類IC、無線通信IC、消費類IC等行業(yè)。

IGBT的驅動電路特點（一）

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

輸出特性與轉移特性：

IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分。IGBT作為開關器件穩(wěn)態(tài)時主要工作在飽和導通區(qū)。IGBT的轉移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關系曲線。它與MOSFET的轉移特性相同，當柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時，IGBT處于關斷狀態(tài)。在IGBT導通后的大部分集電極電流范圍內(nèi)，IC與VGE呈線性關系。

IGBT與MOSFET的對比：

MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

主要優(yōu)點：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

缺點：擊穿電壓低，工作電流小。