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MOSFET為什么要驅(qū)動電路

現(xiàn)在市面上實際應(yīng)用的多是平面工藝的MOSFET，在開關(guān)電源等領(lǐng)域應(yīng)用非常普遍，一般作為百開關(guān)管使用。實際的MOSFET有別于理想的MOSFET，柵極和源度極，源極和漏極都是存在電容的，要用合適的驅(qū)動電路才能使MOS管工作在低導(dǎo)通損耗的開關(guān)狀態(tài)。比如600V的MOS管多用8-12V的柵極電壓驅(qū)動，并且要求一定的驅(qū)動能力。

也可以內(nèi)用示波器看MOS管的波形，看是否工作在完全導(dǎo)通狀態(tài)，上升和下降時間在輻射容滿足要求的情況下，盡量的陡峭。

為什么在led驅(qū)動電源中要盡量使用mosfet器件

LED驅(qū)動電源是否一定要用(mosfet器件)MOS管應(yīng)從產(chǎn)品性價比、系統(tǒng)來散熱（包括電源本身和燈具）幾方面考慮，并不一定要求LED電源要用MOS管：

1、從散源熱角度考慮：LED驅(qū)動電源和LED燈珠既是熱源體又是受熱體，根據(jù)多年設(shè)計經(jīng)驗，我們賽明源電源在設(shè)計30W以上電源時全部使用MOS管與控制IC分離方案。因為百，就現(xiàn)有技術(shù)（截止2015年）內(nèi)置MOS管方案超過30W以上電源散熱就是問題，系統(tǒng)很難保證其穩(wěn)定性；

2、從度性價比上考慮：在設(shè)計30W以下LED電源時，賽明知源電源有些采用內(nèi)置MOS管方案道，因為這種方案已經(jīng)成熟，散熱不是問題，系統(tǒng)穩(wěn)定性較高。小功率LED電源可以不用考慮使用MOS，再說內(nèi)置MOS方案EMC指標(biāo)很容易通過。

驅(qū)動電路時應(yīng)考慮哪些因素

近幾年來MOSFET和IGBT在變頻調(diào)速裝置、開關(guān)電源、不間斷電源等各種、低損耗和低噪音的場合得到了廣泛的應(yīng)用。這些功率器件的運行狀態(tài)直接決定了設(shè)備的優(yōu)劣，而性能良好的驅(qū)動電路又是開關(guān)器件安全可靠運行的重要保障。在設(shè)計MOSFET和IGBT的驅(qū)動電路時，應(yīng)考慮一下幾個因素：

（1）要有一定的驅(qū)動功率。也就是說，驅(qū)動電路能提供足夠的電流，在所要求的開通時間和關(guān)斷時間內(nèi)對MOSFET和IGBT的輸入電容Ciss充電和放電。輸入電容Ciss包括柵——源之間的電容CGS和柵——漏之間的電容CGD。 MOSFET和 IGBT的開通和關(guān)斷實質(zhì)上是對其輸入電容的充放電過程e799bee5baa6e59b9ee7ad9431333337383832，柵極電壓VGS的上升時間tr和下降時間tf決定輸入回路的時間常數(shù)，即：tr（或tf）=2.2RCiss ，式中R是輸入回路電阻，其中包括驅(qū)動電源的內(nèi)阻Ri。從上式中可以知道驅(qū)動電源的內(nèi)阻越小，驅(qū)動速度越快。

（2）驅(qū)動電路延遲時間要小。開關(guān)頻率越高，延遲時間要越小。

（3）大功率IGBT在關(guān)斷時，有時須加反向電壓，以防止受到干擾時誤開通。

（4）驅(qū)動信號有時要求電氣隔離。

以PWM DC-DC全橋變換器為例，其同一橋臂的兩只開關(guān)管的驅(qū)動信號S上和S下相差1800，是剛好相反的，即一只開關(guān)管開通，另一只開關(guān)管要關(guān)斷，或者同時關(guān)斷。其中，兩只上臂的開關(guān)管之間和下臂的開關(guān)管必須隔離。對于中小功率的驅(qū)動電路，用脈沖變壓器的方法實現(xiàn)隔離為簡單，而在大功率的應(yīng)用場合，則要使用集成驅(qū)動器驅(qū)動。