鋼研納克Spark 8000 全譜火花直讀光譜儀采用高分辨率線陣CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）作為檢測器，CMOS 檢測儀器集成性高、讀取速度更快、功耗低、長期穩(wěn)定性更高；每個像素自帶放大器，可對特殊元素進行強度調整，增加儀器的準確度，降低分析限，實現(xiàn)全譜掃描。采用智能控制光室充氣系統(tǒng)，儀器性能更穩(wěn)定，服務期限更長久。海量的譜線使分析不再受限，曲線分段跳轉同一元素不同譜線間實現(xiàn)無縫銜接，拓展分析范圍第三元素干擾校正使元素分析更加準確，可以在用戶現(xiàn)場任意增加材料基體和分析元素而無需增加硬件，維護保養(yǎng)方便。能量、頻率連續(xù)可調全數字固態(tài)光源，適應各種不同材料；網口采集傳輸，速度快，通用性更強。

光譜分析的種類和分析的內容
在日常生活中，可以見到各種不同的，如紅、黃、蘭、白色光。太陽光經三棱鏡后，會產生紅、橙、黃、綠、青、蘭，紫排列的色帶，還有人們肉眼所看不見的光如紫外線，紅外線，γ射線等。
從光譜分析的觀點重要的譜線波長是在100—12000*10-1nm之間，這個區(qū)間又分為幾個光譜范圍。
從廣義講，各種電磁輻射都屬于光譜，一般按其波長可分為：
γ射線 0.00005—0.14nm
x射線 0.01—10nm
微波波譜 0.3mm—lmm
而光譜區(qū)可分為：
真空紫外區(qū)10—200nm
近紫外區(qū)200～380nm
可見光譜區(qū) 380—780nm
近紅外光譜 780nm一3μm
遠紅外光譜 3—300μm
注：1米 (m)=103毫米 (mm)=106微米 (μm)
光電直讀光譜分析應用的元素波長，大部分在真空紫外區(qū)和近紫外區(qū)多。
我們通常所講到光譜僅指光學光譜而言，從物質(固、液、氣)加熱或用光或用電激發(fā)射光譜時得到三種類型的光譜。線光譜是由氣體狀態(tài)下的原子或離子經激發(fā)而得到的，通常呈現(xiàn)分立的線狀所以稱線光線，就其產生方式而言又可分為發(fā)射光譜(明線)和吸收光譜(暗線)兩種，因此光譜分析又分為發(fā)射光譜分析和原子吸收光譜分析。如果是原子激發(fā)產生的光譜，稱原子光譜，如果離子激發(fā)所產生的光譜稱離子光譜。帶狀光譜是原子結合成分子中發(fā)出的或兩個以上原子的集團發(fā)出的，通常呈帶狀分布，是分子光譜產生，如在光譜分析中采用炭電極，在高溫時，炭與空氣中氮化合生成氰帶(CN)分子，當氰分子在電弧中激發(fā)時產生的光譜，稱氰帶。連續(xù)光譜是從白熱的固體中發(fā)出的，是特定的狀態(tài)下原子分子中發(fā)出來的，所以連續(xù)光譜是無限數的線光譜或帶光譜體。
我們通常講的光譜分析，一般是指“原子發(fā)射光譜分析”，光電光譜分析中元素波長都是元素的原子光譜和離子光譜。
現(xiàn)在光電光譜儀主要分為兩大類。非真空型的光電光譜儀的工作波長范圍在近紫外區(qū)和可見光區(qū)。真空光電光譜儀工作波長擴展到遠真空紫外120．0nm，因而利用這個波段中氮、碳、磷、硫等譜線的靈敏度來分析鋼中的重要元素。

直讀光譜儀在檢測分析過程中由于各種因素的影響產生誤差是在所難免的，比如標準樣品和分析樣品成分不均勻、組織狀況不一致、光譜性能不穩(wěn)定、樣品表面處理不好、氬氣純度不夠等一個因素出現(xiàn)問題，就會影響到光電光譜分析誤差。了解其產生誤差的原因，采取有效的措施進行消除或避免誤差，提高直讀光譜儀檢測結果的準確性，是一項十分重要的研究課題。

干擾效應。 干擾效應也稱基體效應，又稱共存元素、第三元素或伴隨物效應，指的是在樣品中除了分析物外所有其他成分的影響，在光譜分析中能引起譜線的強度變化，導致分析結果產生一些誤差，這種干擾效應是光譜分析中需要高度重視的一個問題。
分析試樣和標樣影響。 在實際工作中，分析試樣和標樣的冶煉過程和物理狀態(tài)存在一定的差異，所以導致校準曲線經常出現(xiàn)變化，一般情況下標樣大多處于鍛造和軋制狀態(tài)，分析樣品大多處于澆鑄狀態(tài)，為有效防止試樣的冶金狀態(tài)變化影響檢測分析的結果，經常使用的控制試樣要保證與分析試樣的冶金過程和物理狀態(tài)保持一致，對試樣的分析結果進行精確的控制。
取樣方法影響。 取樣方法和對樣品的處理是光譜分析中影響分析精度和準確度的重要而關鍵的因素。爐前分析時要對爐中鑄態(tài)的鋼樣采取快速紅切的方式進行，如果檢測的樣品存在裂紋、雜質和氣孔等問題，要重新進行取樣檢測。對于低碳鋼材料要將其置入流水中進行驟降溫處理，確保樣品組織結構形成馬氏體和奧氏體，從而有效提升碳的分析結果的準確性。但要引起注意的是，對于高碳樣品進行切割后，不能采取驟降溫的方式進行處理，防止因為驟降溫引發(fā)裂縫發(fā)生。另外，對于鑄鐵和球墨鑄鐵的檢測和分析，要確保所檢測的樣品進行白口化，并確保取樣的溫度、脫模時間、冷卻速度標準和統(tǒng)一。另外不同材料的檢測分析，要選擇適合的研磨工具，通常使用氧化鋁砂輪片進行打磨，要注意打磨的顆粒處于中等狀態(tài)，不能太粗或太細。需要強調的是，試樣樣品的表面要打磨掉0.5至1.5毫米，除去樣品表面的氧化層，防止檢測結果的不準確，氧化層對碳的分析結果的準確性影響更大。
其它因素影響。 光電光譜檢測分析存在的誤差在所難免，要正確的認識誤差，查找誤差存在的原因，采取有效的措施消除誤差。光譜檢測分析誤差除受上面幾種因素的影響外，還有以下幾種因素的影響：
1.人的因素： 操作者的質量意識、責任意識、操作技術、水平高低、熟練程度等都會影響檢測的效果；
2.設備因素： 比如設備的狀態(tài)是否優(yōu)良、是否定期檢測和維護，光源性能穩(wěn)定性如何，氬氣供氣系統(tǒng)是否穩(wěn)定，試樣加工設備狀況是否正常、是否對加工設備進行定期維護保養(yǎng)等，都會一定程度上影響檢測結果的準確性。
3.樣品試樣因素：比如待測試樣成分是否均勻，是否具有試樣的代表性，熱處理狀態(tài)和組織結構狀態(tài)是否正常，標準試樣的成分和控制試樣的成分是否均勻，成分含量的標準值是否可靠，組織結構是否統(tǒng)一、磨制樣品方法是否規(guī)范、效果是否有效等等，都是影響其檢測效果的關鍵因素。
4.分析方法因素：在分析方法上，分析曲線制作及擬合程度是否達標，標準化過程及效果是否高效，控樣選擇是否規(guī)范，定值是否嚴格等等，都一定程度上影響著檢測效果。
5.環(huán)境因素：比如檢測所在分析室的溫度、濕度是否正常，受否受電磁干擾的影響，所處環(huán)境是否清潔衛(wèi)生，是否具備檢測要求的條件穩(wěn)定的操作環(huán)境，只有有了良好的檢測環(huán)境，才能為檢測結果的準確性提供保障。