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鋼研納克檢測技術(shù)股份有限公司
鋼研納克檢測技術(shù)股份有限公司
店齡5年 · 企業(yè)認(rèn)證 · 北京市
主營產(chǎn)品: ICP光譜儀,電感耦合等離子體質(zhì)譜儀,電感耦合等離子體光譜儀,ICPOES
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電感耦合等離子體質(zhì)譜的優(yōu)點(diǎn)-電感耦合等離子質(zhì)譜價(jià)格
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測試范圍 2-255amu
功率 600-1600W連續(xù)可調(diào)
測量精度 0.5-1.1amu連續(xù)可調(diào)
型號 PlasmaMS 300
矩管材質(zhì) 石英
生產(chǎn)廠家 鋼研納克
商品介紹
PlasmaMS 300型電感耦合等離子體質(zhì)譜儀簡稱PlasmaMS 300,是鋼研納克檢測技術(shù)股份有限公司推出的ICP質(zhì)譜儀,作為一種精密無機(jī)元素分析儀器,它具有以下特點(diǎn):
1.1.1 進(jìn)樣系統(tǒng)
1) 進(jìn)樣系統(tǒng)應(yīng)外置, 便于操作、更換和清洗;
2) 采用進(jìn)口霧化器,霧化效率高,不易堵塞;
3) 進(jìn)樣管路的長度盡可能短, 減少了記憶效應(yīng)。;
4) 儀器配備系列經(jīng)過優(yōu)化的進(jìn)樣系統(tǒng),可用于有機(jī)溶劑、高鹽/復(fù)雜基體樣品、含氫氟酸(HF)等樣品的測試;
5) 使用質(zhì)量流量控制器控制冷卻氣、輔助氣和載氣的流量,保障測試性能長期穩(wěn)定;
6) 4通道12滾輪進(jìn)口蠕動(dòng)泵,提升樣品導(dǎo)入穩(wěn)定性和均勻性。
1.1.2 ICP離子源
1) 自激式固態(tài)射頻發(fā)生器,體積小巧,效率高,功率可通過反饋調(diào)節(jié),實(shí)現(xiàn)較高的穩(wěn)定性;
2) 自動(dòng)匹配速度快,保證了點(diǎn)火成功率;
3) 精準(zhǔn)控制的三維移動(dòng)平臺(tái),實(shí)現(xiàn)了炬管自動(dòng)定位及自動(dòng)校準(zhǔn)的功能;
4) 快速插拔式氣管連接, 方便拆卸;
5) 快速插拔式氣管連接, 方便拆卸。
1.1.3 接口單元
1) 保持樣品離子的完整性的同時(shí),限度的讓所生成的離子通過;
2) 氧化物和二次離子產(chǎn)率盡可能低;
3) 等離子體的二次放電盡可能小
4) 不易堵塞,產(chǎn)生熱量盡可能少;
5) 易于拆卸和維護(hù):錐口拆冼過程中,不影響真空系統(tǒng),無需卸真空;
1.1.4 離子傳輸系統(tǒng)
1) 連續(xù)偏轉(zhuǎn)設(shè)計(jì)的離子光學(xué)系統(tǒng)的消除中子和光子的干擾
2) 優(yōu)異的六極桿離子鏡系統(tǒng)優(yōu)化了離子傳輸效率,聚集盡可能多的要測定的離子沿同樣方向進(jìn)入四極桿
3) 帶動(dòng)能歧視效應(yīng)的碰撞反應(yīng)池技術(shù),有效消除由樣品基體或等離子體源引起的多原子離子干擾;
1.1.5 四極桿質(zhì)量分析系統(tǒng)
1) 自主研發(fā)的四極桿電源采用了數(shù)字直接頻率合成(DDS)技術(shù),能夠進(jìn)行自動(dòng)頻率匹配調(diào)諧,使得儀器的自動(dòng)化程度和安全性能有了進(jìn)一步提高;
2) 內(nèi)部無連接線、頂部進(jìn)入的無線纜設(shè)計(jì),使裝配更為方便,增加儀器的一致性和可靠性;
3) 的四極桿尺寸結(jié)合全固態(tài)四極桿RF發(fā)生器, 帶來的分辨率和長期穩(wěn)定性,具有同時(shí)記錄所有元素譜線的“攝譜”功能,并能存儲(chǔ)和檢索;
4) 結(jié)合六極桿離子鏡系統(tǒng)和的真空系統(tǒng), 帶來的靈敏度;
1.1.6 離子檢測和數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)
1) 采用不連續(xù)打拿極電子倍增器;
2) 即插即用設(shè)計(jì), 沒有任何連接線, 方便更換;
3) 軟件硬件控制檢測器過荷保護(hù)
4) 三種數(shù)據(jù)采集模式,全質(zhì)量連續(xù)掃描; 跳峰掃描;兩者結(jié)合的掃描。
1.1.7 真空系統(tǒng)
1) 自主開發(fā)了的真空采集控制系統(tǒng),全自動(dòng)整機(jī)真空保護(hù),保證儀器的正常工作;
2) 先進(jìn)的緩沖技術(shù),機(jī)械泵間斷運(yùn)行,實(shí)現(xiàn)了極低的待機(jī)功耗;
3) 獨(dú)特的防粉塵、防返油霧設(shè)計(jì),有效隔斷油氣,解決機(jī)械泵油氣污染問題,確保了儀器的超高真空潔凈系統(tǒng)
1.1.8 控制系統(tǒng)
1) 具有包括溫度、水流、氣壓、位置狀態(tài)監(jiān)控功能等,上提供儀器保護(hù),延長使用壽命;
2) 使用CAN總線結(jié)構(gòu), 其獨(dú)特的編碼方式具有的穩(wěn)定性和抗干擾能力;
3) 利用CAN總線的獨(dú)特優(yōu)勢, 儀器增加的任何功能均為即插即用模式, 非常方便。
1.1.9 軟件系統(tǒng)
1) 儀器測試各參數(shù)、自動(dòng)調(diào)諧、三維移動(dòng)平臺(tái)、透鏡電源等參數(shù)靈活設(shè)置;
2) 全中文的軟件界面,符合中國人的思維習(xí)慣,參數(shù)監(jiān)控和方法設(shè)置直觀快捷;可提供一鍵式(調(diào)諧、測試等)操作的功能;
3) 軟件可查看各個(gè)部件的實(shí)時(shí)運(yùn)行狀態(tài)以及故障報(bào)錯(cuò),確保儀器的安全運(yùn)行
PlasmaMS 300 內(nèi)標(biāo)元素的選擇
內(nèi)標(biāo)元素的使用可以用來校正多樣品測定的過程中,信號隨著時(shí)間發(fā)生的漂移。實(shí)驗(yàn)室環(huán) 境的變化或者樣品基體的變化(例如粘度等)都會(huì)造成信號的漂移。
對于任何的多元素分析,我們都推薦用戶至少使用一個(gè)內(nèi)標(biāo)元素。如果待測元素的質(zhì)量分 布從低到高都有,應(yīng)當(dāng)至少使用3個(gè)內(nèi)標(biāo)元素,分別檢測低質(zhì)量、中質(zhì)量、高質(zhì)量區(qū)段的 同位素信號漂移。
選擇什么同位素作為內(nèi)標(biāo)元素需要根據(jù)您的方法中的待測目標(biāo)同位素來決定。當(dāng)需要為您 方法中的各個(gè)目標(biāo)同位素分配內(nèi)標(biāo)同位素的時(shí)候,可以考慮一下幾個(gè)因素:
1.首先考慮的,也是重要的一個(gè)因素就是:用作內(nèi)標(biāo)的元素必須是您的樣品中不包含的 元素。這些內(nèi)標(biāo)元素應(yīng)當(dāng)精準(zhǔn)地添加到每一個(gè)單溶液里。一般我們可以單獨(dú)配置內(nèi)標(biāo)元素 溶液,然后在分析的時(shí)候進(jìn)行在線添加,可以保證添加的精準(zhǔn)性。內(nèi)標(biāo)元素的信號強(qiáng)度會(huì) 做為參比,由軟件來對每個(gè)單溶液進(jìn)樣時(shí)發(fā)生的信號抑制或增強(qiáng)進(jìn)行計(jì)算和校正。如果您 的樣品中含有內(nèi)標(biāo)元素,則內(nèi)標(biāo)信號會(huì)發(fā)生額外的不規(guī)則的信號增強(qiáng),造成軟件校正后的 目標(biāo)元素濃度比實(shí)際濃度偏低。
2.其次,內(nèi)標(biāo)元素的質(zhì)量數(shù)能和目標(biāo)元素比較接近,建議內(nèi)標(biāo)同位素和目標(biāo)元素同位 素之間的質(zhì)量差不要超過50amu。
3.為了確保內(nèi)標(biāo)元素和目標(biāo)元素在相同條件下的行為表現(xiàn)基本一致,內(nèi)標(biāo)元素和目標(biāo)元素 的電離電位比較接近。
當(dāng)使用內(nèi)標(biāo)元素校正的時(shí)候,有兩種校正方式是可以供選擇的:
1. 參考法(Reference)
2. 插值法(Interpolation)
參考法:任何分析元素同位素峰均能以任一內(nèi)標(biāo)元素同位素峰作為參照。目標(biāo)元素峰不需 要為內(nèi)標(biāo)元素附近的峰。當(dāng)使用參考法的時(shí)候,以校正空白(calibration blank)的內(nèi)標(biāo)響應(yīng) 值作為100%,通過計(jì)算樣品中內(nèi)標(biāo)元素的回收率,來校正進(jìn)樣過程中的信號漂移。
樣品中的內(nèi)標(biāo)元素回收率(相對于calibration blank中的100%而產(chǎn)生的偏離)會(huì)被用作校 正因子來校正目標(biāo)同位素的數(shù)據(jù)(每種目標(biāo)同位素所使用的內(nèi)標(biāo)同位素都應(yīng)是其在方法中 選擇的用來參考的那一個(gè)內(nèi)標(biāo)同位素)
插補(bǔ)法:內(nèi)標(biāo)對測試峰的影響與兩者質(zhì)量數(shù)的接近程度有關(guān)。一個(gè)分析元素若置于兩內(nèi)標(biāo) 物中間,可依據(jù)每個(gè) amu 基數(shù)進(jìn)行計(jì)算因素的校正。
首先:
IS 1 in Blank set to 100% IS 2 in Blank set to 100%
IS 2 的質(zhì)量數(shù)大于 IS 1。
如果
IS 1 in Sample reads 80%
IS 2 in Sample reads 80%
我們可以認(rèn)為 IS 1 &2 之間的所有元素都受到了 20%的抑制. Factor =1/80% = 1.25.
又如:
IS 1 in Sample reads 80%
IS 2 in Sample reads 60%
我們可以認(rèn)為 IS 1 &2 之間的所有元素都受到了與質(zhì)量變化相關(guān)的抑制(質(zhì)量數(shù)越大,受
到抑制越強(qiáng)),距離 IS1 與 IS2 的距離相等的質(zhì)量數(shù)的元素, Factor =1/70% = 1.43.
上圖顯示的就是使用iCAP Q測量時(shí),設(shè)置了一系列覆蓋質(zhì)量數(shù)區(qū)間的內(nèi)標(biāo)元素,計(jì)算樣 品中的內(nèi)標(biāo)元素回收率:
6Li 45Sc 115In 209Bi
因?yàn)樗械哪繕?biāo)元素濃度都需要使用內(nèi)標(biāo)回收率來進(jìn)行校正,建議用戶將內(nèi)標(biāo)元素的濃度 控制在一個(gè)合理范圍,來降低內(nèi)標(biāo)的%RSD,一般說來我們建議內(nèi)標(biāo)元素的
icps >100,000。
PlasmaMS 300在金屬工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用
痕量元素含量的變化對材料性能和生產(chǎn)控制有巨大影響。
PlasmaMS 300 PLASMAMS 300能在主要元素存在的條件下精確測定痕量元素,使用跳峰掃模式可以避 免主量元素、其氧化物、其雙電荷、其氫化物等的干擾,選擇同位素時(shí)應(yīng)注意避免基體離 子干擾。
應(yīng)用領(lǐng)域:
在研發(fā)和專業(yè)化學(xué)應(yīng)用領(lǐng)域有較廣的范圍 高純陶瓷和化學(xué)品
金屬和玻璃 產(chǎn)品純度驗(yàn)證
PlasmaMS 300儀器組成與工作原理
ICP-MS全稱電感耦合等離子體質(zhì)譜(Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry)主要包括以下功能模塊:進(jìn)樣系統(tǒng)、ICP離子源、接口單元、離子傳輸系統(tǒng)、四級桿質(zhì)量分析系統(tǒng)、離子檢測及和數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、整機(jī)控制系統(tǒng)與軟件系統(tǒng)。
圖2.1 PlasmaMS 300型結(jié)構(gòu)示意圖
其工作原理是:待測樣品通過進(jìn)樣系統(tǒng)進(jìn)入離子源部分,在被 ICP射頻電源離子化后,在接口及離子傳輸系統(tǒng)中通過聚焦、消除干擾后進(jìn)入四極桿質(zhì)量分析器,在其中離子將按照質(zhì)荷比(m/z)大小被分開,經(jīng)過聚焦后,達(dá)到檢測器。檢測器將不同質(zhì)荷比的離子流通過接收、測量及數(shù)據(jù)處理轉(zhuǎn)換成電信號經(jīng)放大、處理后得到分析結(jié)果。
2.2 主機(jī)部件
儀器主機(jī)的主要部件有:進(jìn)樣系統(tǒng)、ICP離子源、接口單元、離子傳輸系統(tǒng)、四級桿質(zhì)量分析系統(tǒng)、離子檢測及和數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、整機(jī)控制系統(tǒng)與軟件系統(tǒng)。
進(jìn)樣系統(tǒng)包含蠕動(dòng)泵、進(jìn)樣管排樣、霧化器、霧室、玻璃彎管、炬管;
ICP離子源包括包含功放箱、匹配箱;
接口單元包括接口、水腔、提取透鏡;
離子傳輸系統(tǒng)包括π透鏡、碰撞反應(yīng)池、透鏡組;
四級桿質(zhì)量分析系統(tǒng)包括四級桿、饋入件;
離子檢測及數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)主要包括電子倍增器、電子倍增器支架;
真空系統(tǒng)包括機(jī)械泵、2個(gè)分子泵、真空腔體、潘寧規(guī);
整機(jī)控制系統(tǒng)包含各種控制電路模塊。
2.3 輔助裝置
智能溫控冷卻循環(huán)水箱是重要的輔助裝置,它冷卻接口、線圈、離子源和分子泵。
穩(wěn)壓電源是能為負(fù)載提供穩(wěn)定交流電的電子裝置。當(dāng)電網(wǎng)電壓或負(fù)載出現(xiàn)瞬間波動(dòng)時(shí),穩(wěn)壓電源會(huì)以10ms~30ms的響應(yīng)速度對電壓幅值進(jìn)行補(bǔ)償,使其穩(wěn)定在±2%以內(nèi)。
1.1.1 進(jìn)樣系統(tǒng)
1) 進(jìn)樣系統(tǒng)應(yīng)外置, 便于操作、更換和清洗;
2) 采用進(jìn)口霧化器,霧化效率高,不易堵塞;
3) 進(jìn)樣管路的長度盡可能短, 減少了記憶效應(yīng)。;
4) 儀器配備系列經(jīng)過優(yōu)化的進(jìn)樣系統(tǒng),可用于有機(jī)溶劑、高鹽/復(fù)雜基體樣品、含氫氟酸(HF)等樣品的測試;
5) 使用質(zhì)量流量控制器控制冷卻氣、輔助氣和載氣的流量,保障測試性能長期穩(wěn)定;
6) 4通道12滾輪進(jìn)口蠕動(dòng)泵,提升樣品導(dǎo)入穩(wěn)定性和均勻性。
1.1.2 ICP離子源
1) 自激式固態(tài)射頻發(fā)生器,體積小巧,效率高,功率可通過反饋調(diào)節(jié),實(shí)現(xiàn)較高的穩(wěn)定性;
2) 自動(dòng)匹配速度快,保證了點(diǎn)火成功率;
3) 精準(zhǔn)控制的三維移動(dòng)平臺(tái),實(shí)現(xiàn)了炬管自動(dòng)定位及自動(dòng)校準(zhǔn)的功能;
4) 快速插拔式氣管連接, 方便拆卸;
5) 快速插拔式氣管連接, 方便拆卸。
1.1.3 接口單元
1) 保持樣品離子的完整性的同時(shí),限度的讓所生成的離子通過;
2) 氧化物和二次離子產(chǎn)率盡可能低;
3) 等離子體的二次放電盡可能小
4) 不易堵塞,產(chǎn)生熱量盡可能少;
5) 易于拆卸和維護(hù):錐口拆冼過程中,不影響真空系統(tǒng),無需卸真空;
1.1.4 離子傳輸系統(tǒng)
1) 連續(xù)偏轉(zhuǎn)設(shè)計(jì)的離子光學(xué)系統(tǒng)的消除中子和光子的干擾
2) 優(yōu)異的六極桿離子鏡系統(tǒng)優(yōu)化了離子傳輸效率,聚集盡可能多的要測定的離子沿同樣方向進(jìn)入四極桿
3) 帶動(dòng)能歧視效應(yīng)的碰撞反應(yīng)池技術(shù),有效消除由樣品基體或等離子體源引起的多原子離子干擾;
1.1.5 四極桿質(zhì)量分析系統(tǒng)
1) 自主研發(fā)的四極桿電源采用了數(shù)字直接頻率合成(DDS)技術(shù),能夠進(jìn)行自動(dòng)頻率匹配調(diào)諧,使得儀器的自動(dòng)化程度和安全性能有了進(jìn)一步提高;
2) 內(nèi)部無連接線、頂部進(jìn)入的無線纜設(shè)計(jì),使裝配更為方便,增加儀器的一致性和可靠性;
3) 的四極桿尺寸結(jié)合全固態(tài)四極桿RF發(fā)生器, 帶來的分辨率和長期穩(wěn)定性,具有同時(shí)記錄所有元素譜線的“攝譜”功能,并能存儲(chǔ)和檢索;
4) 結(jié)合六極桿離子鏡系統(tǒng)和的真空系統(tǒng), 帶來的靈敏度;
1.1.6 離子檢測和數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)
1) 采用不連續(xù)打拿極電子倍增器;
2) 即插即用設(shè)計(jì), 沒有任何連接線, 方便更換;
3) 軟件硬件控制檢測器過荷保護(hù)
4) 三種數(shù)據(jù)采集模式,全質(zhì)量連續(xù)掃描; 跳峰掃描;兩者結(jié)合的掃描。
1.1.7 真空系統(tǒng)
1) 自主開發(fā)了的真空采集控制系統(tǒng),全自動(dòng)整機(jī)真空保護(hù),保證儀器的正常工作;
2) 先進(jìn)的緩沖技術(shù),機(jī)械泵間斷運(yùn)行,實(shí)現(xiàn)了極低的待機(jī)功耗;
3) 獨(dú)特的防粉塵、防返油霧設(shè)計(jì),有效隔斷油氣,解決機(jī)械泵油氣污染問題,確保了儀器的超高真空潔凈系統(tǒng)
1.1.8 控制系統(tǒng)
1) 具有包括溫度、水流、氣壓、位置狀態(tài)監(jiān)控功能等,上提供儀器保護(hù),延長使用壽命;
2) 使用CAN總線結(jié)構(gòu), 其獨(dú)特的編碼方式具有的穩(wěn)定性和抗干擾能力;
3) 利用CAN總線的獨(dú)特優(yōu)勢, 儀器增加的任何功能均為即插即用模式, 非常方便。
1.1.9 軟件系統(tǒng)
1) 儀器測試各參數(shù)、自動(dòng)調(diào)諧、三維移動(dòng)平臺(tái)、透鏡電源等參數(shù)靈活設(shè)置;
2) 全中文的軟件界面,符合中國人的思維習(xí)慣,參數(shù)監(jiān)控和方法設(shè)置直觀快捷;可提供一鍵式(調(diào)諧、測試等)操作的功能;
3) 軟件可查看各個(gè)部件的實(shí)時(shí)運(yùn)行狀態(tài)以及故障報(bào)錯(cuò),確保儀器的安全運(yùn)行
PlasmaMS 300 內(nèi)標(biāo)元素的選擇
內(nèi)標(biāo)元素的使用可以用來校正多樣品測定的過程中,信號隨著時(shí)間發(fā)生的漂移。實(shí)驗(yàn)室環(huán) 境的變化或者樣品基體的變化(例如粘度等)都會(huì)造成信號的漂移。
對于任何的多元素分析,我們都推薦用戶至少使用一個(gè)內(nèi)標(biāo)元素。如果待測元素的質(zhì)量分 布從低到高都有,應(yīng)當(dāng)至少使用3個(gè)內(nèi)標(biāo)元素,分別檢測低質(zhì)量、中質(zhì)量、高質(zhì)量區(qū)段的 同位素信號漂移。
選擇什么同位素作為內(nèi)標(biāo)元素需要根據(jù)您的方法中的待測目標(biāo)同位素來決定。當(dāng)需要為您 方法中的各個(gè)目標(biāo)同位素分配內(nèi)標(biāo)同位素的時(shí)候,可以考慮一下幾個(gè)因素:
1.首先考慮的,也是重要的一個(gè)因素就是:用作內(nèi)標(biāo)的元素必須是您的樣品中不包含的 元素。這些內(nèi)標(biāo)元素應(yīng)當(dāng)精準(zhǔn)地添加到每一個(gè)單溶液里。一般我們可以單獨(dú)配置內(nèi)標(biāo)元素 溶液,然后在分析的時(shí)候進(jìn)行在線添加,可以保證添加的精準(zhǔn)性。內(nèi)標(biāo)元素的信號強(qiáng)度會(huì) 做為參比,由軟件來對每個(gè)單溶液進(jìn)樣時(shí)發(fā)生的信號抑制或增強(qiáng)進(jìn)行計(jì)算和校正。如果您 的樣品中含有內(nèi)標(biāo)元素,則內(nèi)標(biāo)信號會(huì)發(fā)生額外的不規(guī)則的信號增強(qiáng),造成軟件校正后的 目標(biāo)元素濃度比實(shí)際濃度偏低。
2.其次,內(nèi)標(biāo)元素的質(zhì)量數(shù)能和目標(biāo)元素比較接近,建議內(nèi)標(biāo)同位素和目標(biāo)元素同位 素之間的質(zhì)量差不要超過50amu。
3.為了確保內(nèi)標(biāo)元素和目標(biāo)元素在相同條件下的行為表現(xiàn)基本一致,內(nèi)標(biāo)元素和目標(biāo)元素 的電離電位比較接近。
當(dāng)使用內(nèi)標(biāo)元素校正的時(shí)候,有兩種校正方式是可以供選擇的:
1. 參考法(Reference)
2. 插值法(Interpolation)
參考法:任何分析元素同位素峰均能以任一內(nèi)標(biāo)元素同位素峰作為參照。目標(biāo)元素峰不需 要為內(nèi)標(biāo)元素附近的峰。當(dāng)使用參考法的時(shí)候,以校正空白(calibration blank)的內(nèi)標(biāo)響應(yīng) 值作為100%,通過計(jì)算樣品中內(nèi)標(biāo)元素的回收率,來校正進(jìn)樣過程中的信號漂移。
樣品中的內(nèi)標(biāo)元素回收率(相對于calibration blank中的100%而產(chǎn)生的偏離)會(huì)被用作校 正因子來校正目標(biāo)同位素的數(shù)據(jù)(每種目標(biāo)同位素所使用的內(nèi)標(biāo)同位素都應(yīng)是其在方法中 選擇的用來參考的那一個(gè)內(nèi)標(biāo)同位素)
插補(bǔ)法:內(nèi)標(biāo)對測試峰的影響與兩者質(zhì)量數(shù)的接近程度有關(guān)。一個(gè)分析元素若置于兩內(nèi)標(biāo) 物中間,可依據(jù)每個(gè) amu 基數(shù)進(jìn)行計(jì)算因素的校正。
首先:
IS 1 in Blank set to 100% IS 2 in Blank set to 100%
IS 2 的質(zhì)量數(shù)大于 IS 1。
如果
IS 1 in Sample reads 80%
IS 2 in Sample reads 80%
我們可以認(rèn)為 IS 1 &2 之間的所有元素都受到了 20%的抑制. Factor =1/80% = 1.25.
又如:
IS 1 in Sample reads 80%
IS 2 in Sample reads 60%
我們可以認(rèn)為 IS 1 &2 之間的所有元素都受到了與質(zhì)量變化相關(guān)的抑制(質(zhì)量數(shù)越大,受
到抑制越強(qiáng)),距離 IS1 與 IS2 的距離相等的質(zhì)量數(shù)的元素, Factor =1/70% = 1.43.
上圖顯示的就是使用iCAP Q測量時(shí),設(shè)置了一系列覆蓋質(zhì)量數(shù)區(qū)間的內(nèi)標(biāo)元素,計(jì)算樣 品中的內(nèi)標(biāo)元素回收率:
6Li 45Sc 115In 209Bi
因?yàn)樗械哪繕?biāo)元素濃度都需要使用內(nèi)標(biāo)回收率來進(jìn)行校正,建議用戶將內(nèi)標(biāo)元素的濃度 控制在一個(gè)合理范圍,來降低內(nèi)標(biāo)的%RSD,一般說來我們建議內(nèi)標(biāo)元素的
icps >100,000。
PlasmaMS 300在金屬工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用
痕量元素含量的變化對材料性能和生產(chǎn)控制有巨大影響。
PlasmaMS 300 PLASMAMS 300能在主要元素存在的條件下精確測定痕量元素,使用跳峰掃模式可以避 免主量元素、其氧化物、其雙電荷、其氫化物等的干擾,選擇同位素時(shí)應(yīng)注意避免基體離 子干擾。
應(yīng)用領(lǐng)域:
在研發(fā)和專業(yè)化學(xué)應(yīng)用領(lǐng)域有較廣的范圍 高純陶瓷和化學(xué)品
金屬和玻璃 產(chǎn)品純度驗(yàn)證
PlasmaMS 300儀器組成與工作原理
ICP-MS全稱電感耦合等離子體質(zhì)譜(Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry)主要包括以下功能模塊:進(jìn)樣系統(tǒng)、ICP離子源、接口單元、離子傳輸系統(tǒng)、四級桿質(zhì)量分析系統(tǒng)、離子檢測及和數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、整機(jī)控制系統(tǒng)與軟件系統(tǒng)。
圖2.1 PlasmaMS 300型結(jié)構(gòu)示意圖
其工作原理是:待測樣品通過進(jìn)樣系統(tǒng)進(jìn)入離子源部分,在被 ICP射頻電源離子化后,在接口及離子傳輸系統(tǒng)中通過聚焦、消除干擾后進(jìn)入四極桿質(zhì)量分析器,在其中離子將按照質(zhì)荷比(m/z)大小被分開,經(jīng)過聚焦后,達(dá)到檢測器。檢測器將不同質(zhì)荷比的離子流通過接收、測量及數(shù)據(jù)處理轉(zhuǎn)換成電信號經(jīng)放大、處理后得到分析結(jié)果。
2.2 主機(jī)部件
儀器主機(jī)的主要部件有:進(jìn)樣系統(tǒng)、ICP離子源、接口單元、離子傳輸系統(tǒng)、四級桿質(zhì)量分析系統(tǒng)、離子檢測及和數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、整機(jī)控制系統(tǒng)與軟件系統(tǒng)。
進(jìn)樣系統(tǒng)包含蠕動(dòng)泵、進(jìn)樣管排樣、霧化器、霧室、玻璃彎管、炬管;
ICP離子源包括包含功放箱、匹配箱;
接口單元包括接口、水腔、提取透鏡;
離子傳輸系統(tǒng)包括π透鏡、碰撞反應(yīng)池、透鏡組;
四級桿質(zhì)量分析系統(tǒng)包括四級桿、饋入件;
離子檢測及數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)主要包括電子倍增器、電子倍增器支架;
真空系統(tǒng)包括機(jī)械泵、2個(gè)分子泵、真空腔體、潘寧規(guī);
整機(jī)控制系統(tǒng)包含各種控制電路模塊。
2.3 輔助裝置
智能溫控冷卻循環(huán)水箱是重要的輔助裝置,它冷卻接口、線圈、離子源和分子泵。
穩(wěn)壓電源是能為負(fù)載提供穩(wěn)定交流電的電子裝置。當(dāng)電網(wǎng)電壓或負(fù)載出現(xiàn)瞬間波動(dòng)時(shí),穩(wěn)壓電源會(huì)以10ms~30ms的響應(yīng)速度對電壓幅值進(jìn)行補(bǔ)償,使其穩(wěn)定在±2%以內(nèi)。
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