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氮化硅磚采用硅粉氮化后燒結(jié)或熱壓方法制取

制取方法

氮化硅磚采用硅粉氮化后燒結(jié)或熱壓方法制取。燒制氮化硅磚的生產(chǎn)工藝與鎂質(zhì)磚大體相仿。為了消除磚在燒成過程中由于MgO和Cr2O3、Al2O3或直接結(jié)合氮化硅磚。

優(yōu)點

氮化硅磚耐火度高，高溫強度大，抗堿性渣侵蝕性強，熱穩(wěn)定性優(yōu)良，對酸性渣也有一定的適應(yīng)性。

應(yīng)用

用于航空、冶金、機械、半導(dǎo)體等工業(yè)中制造高溫軸承、冶金坩堝、半導(dǎo)體區(qū)域熔煉舟器等。

氮化硅陶瓷,是一種燒結(jié)時不收縮的無機材料陶瓷

氮化硅陶瓷，是一種燒結(jié)時不收縮的無機材料陶瓷。

廢舊氮化硅陶瓷就是經(jīng)過使用以后，損壞或者破損的氮化硅制品，

Si3N4 陶瓷是一種共價鍵化合物，基本結(jié)構(gòu)單元為[ SiN4 ]四面體，硅原子位于四面體的中間，在其周圍有四個氮原子，分別位于四面體的四個頂點，然后以每三個四面體共用一個原子的形式，在三維空間形成連續(xù)而又堅固的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。

常壓燒結(jié)法(PLS)在提高燒結(jié)氮氣氛壓力方面,利用Si3N4

常壓燒結(jié)法（ PLS)

在提高燒結(jié)氮氣氛壓力方面，利用Si3N4 分解溫度升高（通常在N2 = 1atm氣壓下，從1800℃開始分解）的性質(zhì)，在1700———1800℃溫度范圍內(nèi)進行常壓燒結(jié)后，再在1800———2000℃溫度范圍內(nèi)進壓燒結(jié)。該法目的在于采用氣壓能促進Si3N4 陶瓷組織致密化，從而提高陶瓷的強度.所得產(chǎn)品的性能比熱壓燒結(jié)略低。這種方法的缺點與熱壓燒結(jié)相似。