強(qiáng)元芯電子（廣東）有限公司主營(yíng)：整流橋,橋堆,肖特基二極管,超快恢復(fù)二極管

PL3331

編輯：LX

PL3331副邊導(dǎo)通時(shí)，電流首先流過(guò)功率 MOS 的體二極管，當(dāng)芯片檢測(cè)到功率 MOS 漏極與源極壓差小于V ON_TH 時(shí)，芯片經(jīng)過(guò)時(shí)間 T DON 開(kāi)啟功率 MOS。V ON_TH 和 T DON 的典型值分別為-200mV 和 80ns。

PL3331當(dāng)流經(jīng)功率 MOS 的電流逐漸下降，直到 MOS 漏極與源極的壓差超過(guò) V OFF_TH 時(shí)，芯片經(jīng)過(guò)時(shí)間 T DOFF開(kāi)啟功率 MOS。V OFF_TH 和 T DOFF 的典型值分別為-12mV 和 50ns。

PL3332

PL3332 可兼容支持?jǐn)嗬m(xù)工作模式、連續(xù)工作模式或準(zhǔn)諧振工作模式的反激式轉(zhuǎn)換器。

PL3332 內(nèi)部集成 VDD 檢測(cè)電路，系統(tǒng)上電完成前，功率管一直處于斷開(kāi)狀態(tài)，副邊電流流過(guò)功率 MOS的體二極管，直到 VDD 端電壓超過(guò)芯片的啟動(dòng)閾值電壓時(shí)，芯片開(kāi)始正常工作。

內(nèi)置13mΩ（@Vgs=10V,Id=6A）40V功率開(kāi)關(guān)管。兼容DCM或QR反激開(kāi)關(guān)。 自檢測(cè)開(kāi)通關(guān)斷。簡(jiǎn)化外圍器件。

PL3369

PL3369B 內(nèi)部集成 VDD 檢測(cè)電路，系統(tǒng)上電后，當(dāng) VDD 端電壓超過(guò)芯片的閾值電壓時(shí)，芯片開(kāi)始工作并輸出 PWM 信號(hào)，進(jìn)而驅(qū)動(dòng)功率 BJT 管。為了防止 VDD 上升過(guò)程中抖動(dòng)對(duì)芯片的影響，內(nèi)部設(shè)置了閾值遲滯。芯片的上升閾值和下降閾值典型值為 17.5V 和 4.5V。

PL3369B 具有低的啟動(dòng)電流，因而可以采用大的啟動(dòng)電阻以及小的 VDD 電容以降低應(yīng)用中的功率損耗。

PL3369B 的工作電流很低，再加上特有的復(fù)合模式控制，從而提高了系統(tǒng)的效率，特別是系統(tǒng)處于輕載條件下。