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PL3331

編輯：LX

PL3331 內部集成 VDD 檢測電路，系統(tǒng)上電完成前，功率管一直處于斷開狀態(tài)，副邊電流流過功率 MOS的體二極管，直到 VDD 端電壓超過芯片的啟動閾值電壓時，芯片開始正常工作。

PL3331 當 VDD 電壓低于芯片的欠壓閾值電壓時，芯片進入欠壓保護模式，功率管不會開啟。為了防止 VDD上升過程中抖動對芯片的影響，內部設置了閾值遲滯。芯片的上升閾值和下降閾值典型值為 3.1V 和2.8V。

PL3394A

PL3394A 為小功率的適配器/充電器應用提供了有效的低成本解決方案，同時也能滿足國際能源標準要求。

PL3394A 該系列同時提供多種保護功能，主要包括 OVP、OCP、OLP等。為了防止外部功率 MOS 管柵極因高壓損毀，該系列的驅動輸出被鉗位在 15V。低成本、高性能的電流模PWM控制芯片，其優(yōu)異的性能可滿足小功率開關電源的低功耗要求。

PL3369

PL3369B 同時具有多種保護功能：逐周期峰值電流檢測、VDD 欠壓/過壓保護、輸出過壓保護、輸出短路保護和過溫保護。

PL3369B具有多種保護功能以應對系統(tǒng)的各種異常狀態(tài)。主要包括：逐周期限流保護、VDD欠壓/過壓保護、輸出短路/過壓保護和過溫保護等。系統(tǒng)發(fā)生異常時，芯片將被保護，直到系統(tǒng)恢復正常狀態(tài)。

PL3369B提供SOP7封裝。