碳化硅石墨坩堝使用關(guān)鍵步驟
一，100度以內(nèi)烘干坩堝，時間越長越好。（詳細預(yù)熱過程見預(yù)熱說明）
二，安裝坩堝必須在爐膛正中，坩堝周圍留夠足夠空間。底座形狀與坩堝底部相同，并且比坩堝底略大1-2cm。
三，1）火焰爐中，火口要吹坩堝底座與爐壁中間，火焰呈切線方向，環(huán)繞在坩堝周圍，盤旋上升。2）電爐中，電阻絲排布均勻，底部在坩堝底以下，口部在坩堝口部以上。
3）保證坩堝受熱均勻，局部升溫過快或過緩，都會造成坩堝體局部開裂。
四，傾倒爐用帶澆嘴的坩堝安裝時，合理固定坩堝底部 ，且在澆嘴兩側(cè)使用支撐磚對坩堝進行固定，并確保澆嘴不受外力的作用，在坩堝嘴與支撐磚之間墊入4mm左右的耐高溫棉等材料作為坩堝的預(yù)膨脹空間；
五，1）有色金屬在加入坩堝前必須烘干表面的水汽和油污殘留。
2）先小料后大料，豎向輕輕放入坩堝內(nèi)，并與坩堝壁保持足夠的預(yù)留膨脹空間。3）每次少加料，提高加料頻次。嚴禁把大量冷料放進少量金屬液中。
六，坩堝使用期間，每周定時清除金屬液底渣。
坩堝暫停使用時，清空坩堝內(nèi)部金屬。
七，金屬料完全熔解后才能放入添加劑。過多使用添加劑會縮短坩堝使用壽命。請按照添加劑使用說明正確操作；

中冀金鋼牌碳化硅坩堝理化指標
標準參數(shù) 測試數(shù)據(jù)
耐火度≥ 1650℃ 耐火度≥ 1665℃
碳含量≥ 30~45% 碳含量≥ 30~45%
顯氣孔率 10~14% 顯氣孔率 10~14%
體積密度≥ 1.9~2.1g/cm3 體積密度≥ 1.9~2.1g/cm3
碳化硅≥ 45% 碳化硅≥ 48%

碳化硅坩堝使用流程及注意事項：
1.坩堝屬陶瓷制品，坩堝壁內(nèi)存在一定數(shù)量的氣孔，容易吸潮，所以使用坩堝之前在不加料的條件下，坩堝必須進行預(yù)熱以確保沒有濕氣殘留在坩堝壁中：更好是放在有溫度的爐邊上烘烤24小時以上，去除坩堝壁內(nèi)的潮氣（潮氣一般在75—100度時蒸發(fā)的更快，所以在此溫度時升溫一定要慢；坩堝預(yù)熱至150-200度并保溫一小時。由于在315-650度的溫度范圍內(nèi)坩堝壁會出現(xiàn)快速氧化，氧化不僅會縮短坩堝的壽命，而且會由于熱導(dǎo)率降低影響其使用性能，因此坩堝無需在此溫度區(qū)間內(nèi)停留過久的時間）。以免坩堝升溫太快，造成坩堝熱膨脹，出現(xiàn)掉底、脫層或爆裂。
2.坩堝經(jīng)過次預(yù)熱后通常無需再次預(yù)熱，除非坩堝再次暴露于潮濕的環(huán)境中
3.坩堝預(yù)熱后，操作人員需要在不加料的狀態(tài)下快速升溫到850-950度，并保溫半小時，再降到正常的使用溫度，然后加料。（加熱坩堝使其溫度高于正常工作溫度會延長坩堝的使用壽命。）通常使坩堝加熱至815-930度，會有助于坩堝的釉料保護，如果有可能，這種高溫加熱可以每周都進行一次
4.安裝坩堝時，必須使用和坩堝底部相同，更好是略大2-3cm的底磚，以免坩堝壓力過大，受力不均造成裂紋。
5.坩堝放入爐內(nèi)，更好是等自身紅透，先放一點小型的鋁料在坩堝底，再放鋁錠（鋁錠下堝前必須放在爐沿邊上烘烤），以免冷錠直接放進堝里，造成坩堝遇冷而炸裂。而且還必須保證這些材料在坩堝中受熱時有足夠的膨脹空間，否則坩堝容易被擠裂。
6.烘烤的鋁錠必須慢慢的豎著放進堝里。如橫著放進去，鋁錠熱膨脹容易把坩堝擠破。往坩堝中投料時必須非常小心。更好是用夾鉗來加料。千萬不要用傾倒的方式加料，錠料的棱角有可能撞破坩堝。
7.使用過程中，堝里的鋁水太少時，也不要一次加料太多，這樣容易使堝內(nèi)鋁水遇冷而凝固；溫度升高時，鋁熱膨脹而撐破坩堝。
8.使用過程中，坩堝內(nèi)壁會出現(xiàn)較多的鋁渣，要經(jīng)常清除。因鋁渣的膨脹系數(shù)要比坩堝本身的膨脹系數(shù)要大，如果不及時清除，會撐破坩堝產(chǎn)生裂紋。
9.如中途要停產(chǎn)，必須把坩堝內(nèi)剩余的鋁水拿出，以免下次升溫鋁料熱膨脹而撐破坩堝。

坩堝安裝：
1.坩堝底座（坩臺）需與坩堝底徑相同或較大，坩臺高度需高于噴火口，以免火噴到坩堝。
2.用耐火磚作坩臺應(yīng)以圓形耐火磚，需平坦沒有彎曲，勿用半塊或凹凸不平之磚材，要用進口之石墨坩臺為佳。
3.坩臺需放置在熔為、解熔之中心點，上面以焦炭粉、稻草灰或耐火棉等作墊，避免坩堝與坩臺粘住，坩堝放上去后，需于熔，且需水平（用水平尺量）。
4.坩堝與爐體之尺寸要配合，坩堝與熔壁之間距離應(yīng)適當，需40mm以上。
5.有嘴坩堝裝爐時，坩堝嘴下面與耐火磚接觸間隙應(yīng)預(yù)留約30-50MM之空隙,且底下不能墊任何東西,嘴與爐壁用耐火棉抹平。爐壁需有固定耐火磚（三點）與坩堝需墊上厚約3mm之瓦楞紙板作為加溫后之熱脹空間。