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LED電源驅(qū)動(dòng)IC燒掉是什么原因引起的
LED電源驅(qū)動(dòng)IC燒掉的原因有電器元件IC本身有問題,也可能是電流電壓過高。
LED需要的電流和電壓的穩(wěn)定組件,在工作時(shí),應(yīng)當(dāng)具有高的分壓電壓和低功耗的,否則,的LED會(huì)降低整個(gè)系統(tǒng)的效率,因?yàn)楣ぷ飨母?,矛盾的原則,節(jié)能和。因此,主電流限制電路,應(yīng)使用高效的電路,如電容,電感或與電源開關(guān)電路,因?yàn)樗锌赡艽骐娮杌虼?lián)穩(wěn)壓電路的LED系統(tǒng),以確保。系列恒功率輸出電路,可以在廣泛的電源LED的光輸出保持不變,但會(huì)失去一些正常的IC電路效率。通過與電源開關(guān)電路是能保證恒定的功率輸出下具有高的轉(zhuǎn)印效率的電源供應(yīng)器的戲劇性的電壓變化。
為什么在led驅(qū)動(dòng)電源中要盡量使用mosfet器件
LED驅(qū)動(dòng)電源是否一定要用(mosfet器件)MOS管應(yīng)從產(chǎn)品性價(jià)比、系統(tǒng)來散熱(包括電源本身和燈具)幾方面考慮,并不一定要求LED電源要用MOS管:
1、從散源熱角度考慮:LED驅(qū)動(dòng)電源和LED燈珠既是熱源體又是受熱體,根據(jù)多年設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn),我們賽明源電源在設(shè)計(jì)30W以上電源時(shí)全部使用MOS管與控制IC分離方案。因?yàn)榘?,就現(xiàn)有技術(shù)(截止2015年)內(nèi)置MOS管方案超過30W以上電源散熱就是問題,系統(tǒng)很難保證其穩(wěn)定性;
2、從度性價(jià)比上考慮:在設(shè)計(jì)30W以下LED電源時(shí),賽明知源電源有些采用內(nèi)置MOS管方案道,因?yàn)檫@種方案已經(jīng)成熟,散熱不是問題,系統(tǒng)穩(wěn)定性較高。小功率LED電源可以不用考慮使用MOS,再說內(nèi)置MOS方案EMC指標(biāo)很容易通過。
對IGBT驅(qū)動(dòng)電路有什么要求
IGBT對驅(qū)動(dòng)電路的要求:
(1)提供適當(dāng)?shù)恼聪螂妷?使IGBT能可靠地開通和關(guān)斷。當(dāng)正偏壓增大時(shí)IGBT通態(tài)壓降和開通損耗均下降,但若UGE過大,則負(fù)載短路時(shí)其IC隨UGE增大而增大,對其安全不利,使用中選UGEν15V為好。負(fù)偏電壓可防止由于關(guān)斷時(shí)浪涌電流過大而使IGBT誤導(dǎo)通,一般選UGE=-5V為宜。
(2)IGBT的開關(guān)時(shí)間應(yīng)綜合考慮。快速開通和關(guān)斷有利于提高工作頻率,減小開關(guān)損耗。但在大電感負(fù)載下,IGBT的開頻率不宜過大,因?yàn)楦咚匍_斷和關(guān)斷會(huì)產(chǎn)生很高的尖峰電壓,及有可能造成IGBT自身或其他元件擊穿。
(3)IGBT開通后,驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)提供足夠的電壓、電流幅值,使IGBT在正常工作及過載情況下不致退出飽和而損壞。
(4)IGBT驅(qū)動(dòng)電路中的電阻RG對工作性能有較大的影響,RG較大,有利于抑制IGBT的電流上升率及電壓上升率,但會(huì)增加IGBT的開關(guān)時(shí)間和開關(guān)損耗;RG較小,會(huì)引起電流上升率增大,使IGBT誤導(dǎo)通或損壞。RG的具體數(shù)據(jù)與驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)及IGBT的容量有關(guān),一般在幾歐~幾十歐,小容量的IGBT其RG值較大。
(5)驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)具有較強(qiáng)的抗干擾能力及對IG2BT的保護(hù)功能。IGBT的控制、 驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路等應(yīng)與其高速開關(guān)特性相匹配,另外,在未采取適當(dāng)?shù)姆漓o電措施情況下,G—E斷不能開路。