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PL3369

編輯：LX

PL3369的復合模式的應用使芯片能夠?qū)崿F(xiàn)低靜態(tài)功耗、低音頻噪音、高效率。滿載時芯片工作在PFM模式，隨著負載降低，芯片會逐漸進入到綠色模式，以提高整個系統(tǒng)的效率。

PL3369主要特點：

? 內(nèi)置高壓功率BJT管

? 全電壓范圍內(nèi)高精度恒流/恒壓調(diào)節(jié)

? 去除光耦和次級控制電路

? 內(nèi)置恒流調(diào)節(jié)的線電壓補償

? 內(nèi)置變壓器電感補償

? 內(nèi)置輸出線補償

? 內(nèi)置可提高效率的自適應PFM控制

? 低啟動電流

? 內(nèi)置前沿消隱

? 逐周期電流限制

? VDD欠壓/過壓保護

? 輸出過壓保護

? 輸出短路保護

? 內(nèi)置過溫保護

PL3369B 內(nèi)部集成 VDD 檢測電路，系統(tǒng)上電后，當 VDD 端電壓超過芯片的閾值電壓時，芯片開始工作并輸出 PWM 信號，進而驅(qū)動功率 BJT 管。為了防止 VDD 上升過程中抖動對芯片的影響，內(nèi)部設置了閾值遲滯。芯片的上升閾值和下降閾值典型值為 17.5V 和 4.5V。

PL3369B 具有低的啟動電流，因而可以采用大的啟動電阻以及小的 VDD 電容以降低應用中的功率損耗。

PL3369B 的工作電流很低，再加上特有的復合模式控制，從而提高了系統(tǒng)的效率，特別是系統(tǒng)處于輕載條件下。

PL3115B

PL3115B 是一款高效率、高集成度、原邊調(diào)節(jié)的 PWM 功率開關。PL3115B 通過去除光耦以及次級控制電路，簡化了充電器/適配器等傳統(tǒng)的恒流/恒壓的設計，從而實現(xiàn)高精度的電壓和電流調(diào)節(jié)。

復合模式的應用使得芯片能夠?qū)崿F(xiàn)低靜態(tài)功耗、低音頻噪音、高效率。內(nèi)置的頻率抖動可以很好的降低芯片的 EMI以及 EMI 濾波成本，而且高集成的功率 MOSFET 能夠降低外部 PCB 的面積以及系統(tǒng)的成本。