強(qiáng)元芯電子（廣東）有限公司主營：整流橋,橋堆,肖特基二極管,超快恢復(fù)二極管

PL3332

編輯：LX

PL3332副邊導(dǎo)通時(shí)，電流首先流過功率 MOS 的體二極管，當(dāng)芯片檢測到功率 MOS 漏極與源極壓差小于V ON_TH 時(shí)，芯片經(jīng)過時(shí)間 T DON 開啟功率 MOS。V ON_TH 和 T DON 的典型值分別為-200mV 和 80ns。

PL3332關(guān)鍵特性：車規(guī)級(jí)（-40°-125°C ）、低待機(jī)、強(qiáng)抗干擾、強(qiáng)保密（IC 卡級(jí)）主要應(yīng)用：智能家居、小家電、智能照明、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)工具、觸摸按鍵、汽車遙控、PD、QC、電池管理等

PL3369

PL3369的復(fù)合模式的應(yīng)用使芯片能夠?qū)崿F(xiàn)低靜態(tài)功耗、低音頻噪音、高效率。滿載時(shí)芯片工作在PFM模式，隨著負(fù)載降低，芯片會(huì)逐漸進(jìn)入到綠色模式，以提高整個(gè)系統(tǒng)的效率。

PL3369主要特點(diǎn)：

? 內(nèi)置高壓功率BJT管

? 全電壓范圍內(nèi)高精度恒流/恒壓調(diào)節(jié)

? 去除光耦和次級(jí)控制電路

? 內(nèi)置恒流調(diào)節(jié)的線電壓補(bǔ)償

? 內(nèi)置變壓器電感補(bǔ)償

? 內(nèi)置輸出線補(bǔ)償

? 內(nèi)置可提高效率的自適應(yīng)PFM控制

? 低啟動(dòng)電流

? 內(nèi)置前沿消隱

? 逐周期電流限制

? VDD欠壓/過壓保護(hù)

? 輸出過壓保護(hù)

? 輸出短路保護(hù)

? 內(nèi)置過溫保護(hù)

PL3115B

PL3115B 是一款高效率、高集成度、原邊調(diào)節(jié)的 PWM 功率開關(guān)。PL3115B 通過去除光耦以及次級(jí)控制電路，簡化了充電器/適配器等傳統(tǒng)的恒流/恒壓的設(shè)計(jì)，從而實(shí)現(xiàn)高精度的電壓和電流調(diào)節(jié)。

復(fù)合模式的應(yīng)用使得芯片能夠?qū)崿F(xiàn)低靜態(tài)功耗、低音頻噪音、高效率。內(nèi)置的頻率抖動(dòng)可以很好的降低芯片的 EMI以及 EMI 濾波成本，而且高集成的功率 MOSFET 能夠降低外部 PCB 的面積以及系統(tǒng)的成本。